专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶体管的偏置电路及电子装置-CN202211422200.7在审
  • 郑爽爽;杨梦苏;刘昊宇;林良 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-03-07 - H03H7/06
  • 本申请提供了一种晶体管的偏置电路及电子装置,晶体管的偏置电路包括晶体管、栅极偏置电路和漏极偏置电路;栅极偏置电路包括第一偏置单元和第二偏置单元,第一偏置单元和第二偏置单元用于对晶体管的栅极进行偏置,并对晶体管的栅极的视频带宽性能进行优化;漏极偏置电路包括第三偏置单元和第四偏置单元,第三偏置单元和第四偏置单元用于对晶体管的漏极进行偏置,并对晶体管的漏极的视频带宽性能进行优化。通过栅极偏置电路对晶体管的栅极进行偏置,并对晶体管的栅极的视频带宽性能进行优化,漏极偏置电路对晶体管的漏极进行偏置,并对晶体管的漏极的视频带宽性能进行优化,进而解决了现有技术中因去耦电容数值大而难以集成的问题
  • 晶体管偏置电路电子装置
  • [发明专利]半导体电路控制方法和应用其的功率转换器-CN202080090750.6在审
  • 三好智之;铃木弘 - 株式会社日立制作所
  • 2020-12-01 - 2022-08-12 - H02M7/5387
  • 响应对栅极控制型二极管(203)的栅极电极(81)施加的电压,在半导体衬底内控制漂移区域(87)的载流子浓度。在反向恢复状态时,对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生电子层的零偏置或正偏置的电压信号。在正向恢复状态时,对栅极电极(81)与阳极电极(86)之间施加使栅极电极(81)的界面上产生空穴层的负偏置的电压信号。在正向恢复状态之后,从负偏置切换为施加零偏置或正偏置的电压信号。栅极控制型二极管(203)根据与其串联连接的IGBT的非导通期间,来对施加零偏置或正偏置的期间进行可变控制。
  • 半导体电路控制方法应用功率转换器
  • [发明专利]具有栅极驱动器的显示装置-CN202111050562.3有效
  • 洪禮媛;文泰雄;裵俊賢;金蓮京;申宴于 - 乐金显示有限公司
  • 2021-09-08 - 2023-06-20 - G09G3/36
  • 一种具有栅极驱动器的显示装置,栅极驱动器的每个级包括:输出部,输出部包括上拉晶体管和下拉晶体管,上拉晶体管响应于Q节点的控制输出多个时钟中的相应时钟作为栅极信号,下拉晶体管响应于QB节点的控制输出栅极截止电压作为栅极信号的截止电压;控制器,控制器对Q节点进行充放电,对QB节点进行与Q节点相反的充放电;以及反向偏置电路,反向偏置电路具有与Q节点电容耦合的反向偏置节点,并在Q节点的截止时段产生反向栅极偏置电压以将反向栅极偏置电压施加到反向偏置节点,其中,反向偏置电路可以通过反向偏置节点将反向栅极偏置电压施加到构成输出部和控制器的晶体管中的在Q节点的截止时段截止的一部分晶体管的遮光层。
  • 具有栅极驱动器显示装置
  • [发明专利]电子装置-CN202211502462.4在审
  • 桥本和幸;林宜宏;郭拱辰 - 群创光电股份有限公司
  • 2022-11-28 - 2023-07-14 - G09G3/20
  • 电子装置包含像素阵列、栅极驱动器以及偏置控制信号驱动器。像素阵列包含像素单元。栅极驱动器配置成产生多个栅极控制信号。偏置控制信号驱动器电连接至像素单元和栅极驱动器。偏置控制信号驱动器配置成根据多个栅极控制信号的一部分产生偏置信号以驱动像素单元。本公开的电子装置可根据多个栅极控制信号的一部分产生偏置信号以驱动像素单元而无需另外设置复杂的偏置信号产生集成电路。
  • 电子装置
  • [发明专利]一种低漏电放大器偏置电路-CN202111464366.0有效
  • 马昊泽;李南;陆建华 - 南京燧锐科技有限公司
  • 2021-12-03 - 2022-03-25 - H03F1/02
  • 一种低漏电放大器偏置电路,包括,共源极偏置电路和多个共栅极偏置电路,其中,所述共源极偏置电路,为放大器的共源极晶体管提供共源偏置电压;所述共栅极偏置电路,为放大器的共栅晶体管提供偏置电压;在放大器关断状态下,所述共源极偏置电路将所述共源偏置电压拉低到地,所述共栅极偏置电路将所述偏置电压拉低至关断电压;在放大器关断开启状态下,所述共源极偏置电路将所述共源偏置电压与地之间断开,所述共栅极偏置电路将所述偏置电压拉至开启栅压本发明的低漏电放大器偏置电路,通过拉低放大器的共栅晶体管的栅极电压,使共源晶体管的漏极电压跟随降低,从而最大限度的控制漏电流,降低放大器的静态功耗。
  • 一种漏电放大器偏置电路
  • [发明专利]信号放大器-CN202310847327.1有效
  • 周鹏;黄华;全金海;陈普锋;周阳;黄贵兴;王文 - 中科海高(成都)电子技术有限公司
  • 2023-07-12 - 2023-10-03 - H03F1/02
  • 一种信号放大器,包括:输入匹配网络,包括第一端和第二端,第一端与射频输入端连接;第二端与第一晶体管的第一栅极连接;第一晶体管;第二晶体管,包括与第一晶体管的第一漏极连接的第二栅极;输出匹配网络,设置在与第二晶体管的第二漏极和射频输出端之间;第一栅极有源偏置网络,经由设置在第一支路上的输入匹配网络与第一栅极连接,第一栅极有源偏置网络用于控制第一栅极偏置电压;第一漏极有耗偏置网络,设置在第二支路上的第一栅极有源偏置网络与第一漏极之间,第一漏极有耗偏置网络还与电源端口连接,第一漏极有耗偏置网络用于控制第一漏极的偏置电压和偏置电流。
  • 信号放大器
  • [发明专利]偏置栅极触点-CN202080065494.5在审
  • C·郭;杨海宁;袁骏;K·雷姆 - 高通股份有限公司
  • 2020-08-31 - 2022-04-29 - H01L27/02
  • 根据栅极的新位置,偏移或调制在两个晶体管之间的栅极位置可以实现较低功率电路和较高速度电路。在一个实例中,PFET晶体管与NFET晶体管之间的栅极可以朝向PFET晶体管偏移,以实现比栅极位于晶体管之间相等距离的常规电路更高速的电路。在另一实例中,PFET晶体管与NFET晶体管之间的栅极可以朝向NFET晶体管偏移,以实现比栅极位于晶体管之间相等距离的常规电路低的功率电路。
  • 偏置栅极触点
  • [发明专利]一种过零检测电路-CN202010257368.1在审
  • 明鑫;许齐飞;毛帅;冯旭东;王卓;张波 - 电子科技大学
  • 2020-04-03 - 2020-07-10 - G01R19/175
  • 一种过零检测电路,偏置级根据偏置电流产生偏置电压并将偏置电流镜像到自偏置模块和比较模块。自偏置模块中第一电阻的一端连接第五NMOS管的栅极偏置级镜像的第一路偏置电流,其另一端连接第四NMOS管的漏极;第四NMOS管的栅极连接偏置电压,其源极连接第五NMOS管的漏极;第五NMOS管的源极连接电源地比较模块中第六NMOS管的栅极连接偏置电压,其漏极连接第八NMOS管的栅极偏置级镜像的第二路偏置电流,其源极连接第七NMOS管的漏极;第七NMOS管的栅极连接第四NMOS管的漏极,其源极连接第九NMOS管的漏极;第九NMOS管的栅极连接使能信号,其源极作为过零检测电路的输入端;第八NMOS管的漏极连接偏置级镜像的第三路偏置电流并作为过零检测电路的输出端,其源极连接电源地。
  • 一种检测电路
  • [发明专利]高频功率放大器及其工作方法-CN201110048769.7有效
  • 太田生马;林范雄;筒井孝幸;森泽文雅;长谷昌俊 - 瑞萨电子株式会社
  • 2011-02-25 - 2011-08-31 - H03F3/195
  • 本发明提供一种高频功率放大器,其在半导体芯片上具有:与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513);以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号,并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成,具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon,偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流,补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明,能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。
  • 高频功率放大器及其工作方法
  • [发明专利]用于调节开关电源的偏置电压的设备-CN201980070211.3在审
  • S.I.小霍奇 - 斯兰纳亚洲有限公司
  • 2019-10-28 - 2021-06-08 - H02M3/156
  • 本发明公开了一种用于调节开关电源的偏置电压的设备。所述设备包括级联放大器、反馈电路和偏置调节器电路。所述级联放大器包括共栅极晶体管和共源极晶体管,其中所述共栅极晶体管的源极与所述共源极晶体管的漏极进行信号通信。所述反馈电路与所述共栅极晶体管的源极和所述共源极晶体管的漏极进行信号通信,并且所述偏置调节器电路与所述共源极晶体管的栅极、所述共栅极晶体管的栅极和所述反馈电路进行信号通信。所述反馈电路从所述共源极晶体管的漏极接收漏极电压以及产生反馈电压,并且所述偏置调节器电路被配置为接收所述反馈电压以及产生并调节所述偏置电压。由所述偏置电压产生栅极电压,并且所述栅极电压被注入到所述共栅极晶体管的栅极中。
  • 用于调节开关电源偏置电压设备

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