专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]缺陷修补结构及缺陷修补方法-CN200710091734.5无效
  • 廖仕杰;陈辉达;王仪龙 - 财团法人工业技术研究院
  • 2007-03-30 - 2008-10-01 - G02F1/13
  • 本发明提供一种缺陷修补结构及缺陷修补方法。该修补结构具有多数层的结构,以修补具有缺陷的线路图案。另外,本发明提供的缺陷修补方法主要是利用具有多数层结构的转移材料接受电磁波光源照射后产生的碰撞压力,亦即直接来自光子撞击所产生的光压,辅以电磁波能量产生打断分子键结或爆炸现象,使材料转移至欲修补的区域中通过本发明提供的结构与方法可以可解决传统转移材料时,修补材料因受光源照射后产生热影响的现象,而使得材料易氧化及应力破坏的问题。
  • 缺陷修补结构方法
  • [实用新型]一种局部研磨治具-CN201720443919.7有效
  • 易文辉 - 苏州凯利昂光电科技有限公司
  • 2017-04-25 - 2017-11-28 - B24B23/02
  • 本实用新型公开了一种局部研磨治具,包括磨头,磨头用于研磨加工材料的局部缺陷部位,其中,磨头的底部表面的面积远小于加工材料表面的面积。本实用新型的局部研磨治具通过使用小磨头针对性地对加工材料的局部缺陷部位进行有效地研磨,能够降低研磨加工材料的其他无缺陷部位的研磨时间,减少亮点显示,提高显示效果。
  • 一种局部研磨
  • [发明专利]一种修补铸件的方法-CN201310731073.3在审
  • 张学彬 - 博爱县万通机械厂
  • 2013-12-27 - 2015-07-01 - B23P6/04
  • 本发明公开了一种修补铸件的方法,其特征在于包括以下步骤a、对铸件的缺陷部位进行清理,去除氧化皮和杂质,使表面清洁;b、对步骤a中清理缺陷处过后的铸件表面用酒精清洗;c、对步骤b中清洗过的铸件缺陷处的基体进行加热;d、在另一容器内熔化修复材料,并将熔化后的修复材料注入铸件缺陷处,并观察缺陷处是否填充满,如果未填充满,则继续注入修复材料,如果已填充满,则冷却至室温,完成铸件缺陷处的修补。
  • 一种修补铸件方法
  • [发明专利]一种大型棒状物铸造方法-CN201310731868.4在审
  • 靳永万 - 博爱县东森铸造厂
  • 2013-12-27 - 2015-07-01 - B22D19/10
  • 本发明公开了一种大型棒状物铸造方法,其特征在于:包括以下步骤:a、对铸件的缺陷部位进行清理,去除氧化皮和杂质,使表面清洁;b、对步骤a中清理缺陷处过后的铸件表面用酒精清洗;c、对步骤b中清洗过的铸件缺陷处的基体进行加热;d、在另一容器内熔化修复材料,并将熔化后的修复材料注入铸件缺陷处,并观察缺陷处是否填充满,如果未填充满,则继续注入修复材料,如果已填充满,则冷却至室温,完成铸件缺陷处的铸造。
  • 一种大型棒状物铸造方法
  • [发明专利]一种大型棒状物铸造方法-CN201711189747.6在审
  • 刘文昭 - 常州市凯发光明铸件厂(普通合伙)
  • 2017-11-24 - 2018-03-20 - B22D19/10
  • 本发明公开了一种大型棒状物铸造方法,其特征在于包括以下步骤a、对铸件的缺陷部位进行清理,去除氧化皮和杂质,使表面清洁;b、对步骤a中清理缺陷处过后的铸件表面用酒精清洗;c、对步骤b中清洗过的铸件缺陷处的基体进行加热;d、在另一容器内熔化修复材料,并将熔化后的修复材料注入铸件缺陷处,并观察缺陷处是否填充满,如果未填充满,则继续注入修复材料,如果已填充满,则冷却至室温,完成铸件缺陷处的铸造。
  • 一种大型棒状物铸造方法
  • [发明专利]缺陷石墨烯SERS基底的制备方法-CN202011241248.9在审
  • 陈少娜;梁艳华;代忠旭 - 三峡大学
  • 2020-11-09 - 2021-04-02 - C08F292/00
  • 本发明公开了缺陷石墨烯SERS基底的制备方法,制备方法包括:(1)合成银纳米粒子和缺陷石墨烯,将得到的粒子和石墨烯分别洗涤真空干燥。(2)合成缺陷石墨烯/银杂化材料,将得到的产物真空干燥。(3)用硅烷试剂对缺陷石墨烯/银复合材料进行改性,将得到的产物真空干燥。(4)运用表面分子印迹技术在缺陷石墨烯/银复合材料表面聚合分子印迹聚合物,制备核‑壳分层活性SERS基底。本发明制备方法优点1在于利用了石墨烯的缺陷锚定Ag纳米粒子,使其分散更均匀;优点2在于利用缺陷位点结合分子印迹聚合物,进一步提高SERS基底吸附性能。
  • 缺陷石墨sers基底制备方法
  • [发明专利]一种基于光度立体的缺陷检测方法及系统-CN202210796957.6在审
  • 韩俊涛;江登表 - 江苏科技大学
  • 2022-07-06 - 2022-09-02 - G06T7/00
  • 本发明公开了一种基于光度立体的缺陷检测方法,属于缺陷检测技术领域,本发明基于光度立体视觉技术分析钢材料表面划痕、凹陷、突起等缺陷的特征在表面法向量分布图、梯度分布图、高度分布图中的表征程度,在计算得到物体表面法向量分布图后利用表面三维重建计算方法得到相应的钢材料表面缺陷最终高度分布图,最后通过信息融合并基于SSD算法构建的深度学习模型进行检测,实现了对钢材料缺陷识别,其相较于现有缺陷检测方法而言,检测效率和检测精度高、且实时性强,能够有效区分微小缺陷区域与复杂背景区域,能大幅提高钢材生产的效率
  • 一种基于光度立体缺陷检测方法系统
  • [发明专利]用于半导体晶片检验的缺陷标记-CN201780055520.4有效
  • D·W·肖特;S·R·朗格;魏军伟;D·卡普;C·阿姆斯登 - 科磊股份有限公司
  • 2017-09-26 - 2020-07-28 - H01L21/66
  • 本文中描述用于准确地定位先前由检验系统检测到的掩埋缺陷的方法及系统。在晶片的表面上由检验系统检测到的掩埋缺陷附近做出物理标记。另外,所述检验系统在至少两个维度上准确地测量所述所检测缺陷与所述物理标记之间的距离。将所述晶片、对所述标记的标称位置的指示以及对所述所检测缺陷与所述标记之间的所述距离的指示传送到材料移除工具。所述材料移除工具(例如,聚焦离子束FIB机械加工工具)从所述晶片的所述表面所述掩埋缺陷上方移除材料直到使所述掩埋缺陷对基于电子束的测量系统可见为止。随后,采用所述基于电子束的测量系统来进一步分析所述缺陷
  • 用于半导体晶片检验缺陷标记

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