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[发明专利]晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖-CN201911107581.8有效
发明人：潘利敏;王贤超;汪陇军;杨元东;郑贵友 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C03C8/08 文献下载
摘要：本发明公开一种晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖。所述晶花干粒釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石53～63%，石英：10～14%，方解石：11～15%，白云石：0～4%，氧化锌：10～12%，碳酸钡：0～2%，碳酸锶：2～4%。根据本发明，能够提供一种定位晶花陶瓷砖，其具有双层图案效果，釉下有高清的墨水图案层次，釉中有独具艺术效果的定位晶花图案层。
晶花干粒釉使用晶花干粒釉制定位陶瓷砖

[发明专利]白色放射状晶花干粒釉、透光陶瓷砖及其制备方法-CN201911182145.7有效
发明人：萧礼标;汪陇军;王贤超;杨元东;程科木 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C03C8/00 文献下载
摘要：本发明公开白色放射状晶花干粒釉、透光陶瓷砖及其制备方法。白色放射状晶花干粒釉，包括白色晶核剂干粒和透明晶花干粒，其中，所述白色晶核剂干粒的原料组成包括：以质量百分比计，钾长石：10～20%、钠长石：6～18%、石英：8～12%、氧化铝：5～9%、方解石：8～
白色放射状晶花干粒釉透光陶瓷砖及其制备方法

[发明专利]彩色菊花状晶花釉、菊花状晶花透光陶瓷砖及其制备方法-CN201911182264.2有效
发明人：潘利敏;汪陇军;王贤超;杨元东;程科木 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C03C8/20 文献下载
摘要：本发明公开彩色菊花状晶花釉、菊花状晶花透光陶瓷砖及其制备方法。彩色菊花状晶花釉包括有色晶核剂干粒和透明晶花干粒，其中，有色晶核剂干粒的矿物组成包括：以质量百分比计，钾长石：8～30%、钠长石：0～18%、石英：6～18%、氧化铝：6～12%、方解石：4～18%、白云石
彩色菊花状晶花釉状晶花透光陶瓷砖及其制备方法

[发明专利]一种定位晶花透光陶瓷砖及其制备方法-CN201911182617.9有效
发明人：萧礼标;汪陇军;杨元东;王贤超;程科木 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C04B35/19 文献下载
摘要：本发明公开一种定位晶花透光陶瓷砖及其制备方法。所述定位晶花透光陶瓷砖的制备方法，包括以下步骤：（1）将透光粉料压制成制透光坯体；（2）在透光坯体上喷墨打印图案；（3）布施晶核剂干粒，定位打印干粒固定剂图案，并去除多余的晶核剂干粒；（4）施晶花干粒釉
一种定位透光陶瓷砖及其制备方法

[发明专利]一种白聚晶干粒陶瓷岩板及其制备方法-CN202210632867.3有效
发明人：萧礼标;潘岳;杨元东;邓来福;陈鹏程;庞伟科 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷建材领域，具体提供一种白聚晶干粒陶瓷岩板及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：在坯体表面施底釉；在施底釉后的坯体表面喷墨打印效果图案；在喷墨打印效果图案后的坯体表面施隔离釉，所述隔离釉的始融温度为1000‑1050℃；在施隔离釉后的坯体表面定位布施白聚晶干粒，白聚晶干粒的始融温度为1050‑1100℃，白聚晶干粒的始融温度高于隔离釉50‑100℃；在布施白聚晶干粒后的坯体表面施透明釉；将施透明釉后的坯体进窑烧成并抛光，获得所述白聚晶干粒陶瓷岩板。所述白聚晶干粒陶瓷岩板的晶花点缀效果好，抛光后版面通透。
一种白聚晶干粒陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖-CN201911322935.0有效
发明人：张良;刘俊荣 -专利权人：佛山欧神诺陶瓷有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C03C8/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，所述制备方法包括：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型；所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；通过控制生产过程参数以及合适的成分及配比的干粒及干粒保护釉，制备性能优良的抛晶砖；本发明能够适用于现有生产设备，无需改造生产线；采用的淋釉工艺，釉层更加均匀，采用钟罩淋釉，调节釉量更加方便，易于回收；所需釉层更薄，仅为干法干粒用量的五分之一，用量更低，烧成周期更短，不仅降低了生产成本低，而且提高了生产效率；同时相较于干法釉层气泡、针孔等缺陷较少，发色更为细腻丰富。
一种湿法干粒抛晶砖制备方法抛晶砖

[发明专利]一种陶瓷干粒釉、晶钻闪光陶瓷砖及其制备方法-CN202111351262.9有效
发明人：柯善军;蒙臻明;田维;马超;范伟峰 -专利权人：佛山欧神诺陶瓷有限公司;广西欧神诺陶瓷有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C03C8/20 文献下载
摘要：本发明属于建筑陶瓷技术领域，具体公开了一种陶瓷干粒釉、晶钻闪光陶瓷砖及其制备方法。陶瓷干粒釉的原料组成包括含锆透明熔块干粒和锆英砂，所述含锆透明熔块干粒的锆源为氧氯化锆。晶钻闪光陶瓷砖包括坯体层和面釉层，面釉层由陶瓷干粒釉烧制而成。本发明采用含锆透明干粒釉为基础釉，通过外加锆英砂颗粒，由于含锆透明干粒釉中存在少量均匀分布的锆，使釉熔体中的锆处于熔解饱和状态，可有效防止外加锆英砂颗粒在釉熔体中的高温熔融。同时，含锆透明干粒釉在冷却过程中形成的硅酸锆晶体以锆英砂颗粒为析晶载体，使锆英砂颗粒进一步长大，晶体形貌棱角更为分明，使制得的陶瓷干粒釉在光照条件下可呈现类似钻石的闪光效果。
一种陶瓷干粒釉闪光陶瓷砖及其制备方法

[发明专利]一种无光釉料及无光釉面的制备方法-CN202111465834.6有效
发明人：温晓炜;马云龙 -专利权人：亚细亚建筑材料股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C03C8/14 文献下载
摘要：本发明提供一种无光釉料及无光釉面的制备方法，所述无光釉料包括：无光干粒釉、纳米碳和主体釉；所述无光干粒釉的组分包括：氧化锌、三氧化二铝、氧化钡、二氧化硅和二氧化锆；所述主体釉包括氧化锌、碳酸钡、氧化硼、所述无光釉面的制备方法通过乙烯基硅烷在无光干粒釉表面形成有机层，减少了无光干粒釉对主体釉的影响，在烧成过程中能够保持无光干粒釉的微晶和均匀的主体釉面，纳米碳的形成能够吸收大量光，与微晶的漫反射互相配合，
一种无光釉料釉面制备方法

[发明专利]一种抑晶干粒、晶花定位全抛结晶釉艺术岩板及制备方法-CN202211445564.7在审
发明人：潘利敏;庞伟科;杨元东;邓来福;潘岳 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑晶干粒、晶花定位全抛结晶釉艺术岩板及制备方法。所述抑晶干粒的化学组成包括：以质量百分比计，Na2O：5.0‑8.0％；SiO2：55‑65％；Al
一种抑晶干粒定位结晶艺术制备方法

[发明专利]一种微晶釉料及其制备方法-CN201911420240.6在审
发明人：梁泳;钟华龙 -专利权人：佛山市华力达材料科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C03C8/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶釉料及其制备方法；所述制备方法，包括如下步骤：步骤S1.配制干粒；步骤S2.配制透明釉；步骤S3.将透明釉、干粒混合均匀后即得微晶釉料；通过将透明釉和干粒混合使用，以及合适的配方，使微晶釉料分散性好，流动性佳，光泽度高；有利于与面釉层形成较厚的晶体层，提高釉面砖的强度，釉面的通透性；抛光后釉面砖的硬度和耐磨损比纯透明釉厚抛好；入干燥窑砖坯的水份比现有的干粒抛淋砖坯的水份少30％，通过布施本发明的微晶釉料生产一片800×800mm规格瓷砖的成本比采用干粒抛工艺生产的成本减少30％～50％。
一种釉料及其制备方法

[发明专利]一种数码布料闪晶效果岩板及其制备方法-CN202310017521.7在审
发明人：范国雄 -专利权人：佛山市登羽科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明涉及岩板技术领域，具体公开了一种数码布料闪晶效果岩板，其特征在于，所述岩板包括玉质釉、玉质干粒和混合彩晶干粒；其中玉质釉、玉质干粒和混合彩晶干粒按照1:2：（3‑5）的重量比进行配比而成。
一种数码布料效果及其制备方法

[发明专利]硅锌矿型结晶干粒及陶瓷抛釉砖的制备方法-CN202111095490.4在审
发明人：袁瑛 -专利权人：佛山市精瓷新材料有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C03C8/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅锌矿型结晶干粒及陶瓷抛釉砖的制备方法，硅锌矿型结晶干粒包括如下化学成分，按质量计，Al2O3：0.5其制备方法通过使用干料机在瓷质砖生坯上施布硅锌矿型结晶干粒，再用抽粒机抽走除胶水位置以外的硅锌矿型结晶干粒；并在在瓷质砖生坯上喷保护釉、淋透明干粒釉；再将制得的瓷质砖生坯置放于干窑炉中于180～200℃其能够解决结晶釉在建筑陶瓷上的应用问题，实现在抛釉砖上烧制出精美的晶花。
锌矿结晶陶瓷抛釉砖制备方法

[发明专利]玉质微晶玻璃陶瓷复合板制备方法-CN201210003236.1有效
发明人：戴长禄;杨林;杨明;杨勇 -专利权人：广东博德精工建材有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明玉质微晶玻璃陶瓷复合板制备方法涉及建材技术领域。以“预定产品成分范围内择料的玉质微晶玻璃熔块干粒”关键技术，在陶瓷生坯上实施底釉制成底釉坯后印制印花釉又制成釉上彩陶坯，在釉上彩陶坯上布施玉质微晶玻璃熔块干粒制成釉上彩熔块干粒陶坯后喷施甲基纤维素进行固定又制成待烧陶坯进行烧制成半成品经刮平定厚、粗抛、精抛、磨边、倒角、风干、检选、分色、分级后制备成玉质微晶玻璃陶瓷复合板成品。用于玉质微晶玻璃陶瓷复合板生产。一次或二次烧成工艺都适应，产品质量好、具备独特的玉石质感、表面强度和耐磨性高、应用范围广、综合效益高。
玉质玻璃陶瓷复合板制备方法

[发明专利]一种具有矿物晶体花釉层的陶瓷砖及其制备方法-CN201610789135.X有效
发明人：钟礼丰;李德英;喻劲军;吴滨;谭静雯 -专利权人：广东金意陶陶瓷集团有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明提供一种具有矿物晶体花釉层的陶瓷砖及其制备方法，其中具有矿物晶体花釉层的陶瓷砖，其由下至上包括：坯体层、印花层、保护花釉层和矿物晶体花釉层，矿物晶体花釉层通过布施矿物晶体花釉形成，矿物晶体花釉以质量份数计算，包括如下组分：矿物晶体干粒100份，透明釉0‑50份，印膏60‑80份，羧甲基纤维素0.2份，水25‑40份，矿物晶体干粒的化学组分以氧化物重量份数计算，包括如下组分：SiO₂:本发明提供的陶瓷砖具有矿物晶体花釉层，其会呈现丰富的天然矿物晶体的纹理效果，获得类似天然石材的装饰纹理。
矿物晶体花釉陶瓷砖干粒制备羧甲基纤维素天然矿物天然石材纹理效果重量份数装饰纹理晶体的坯体层透明釉氧化物印花层质量份印膏

[发明专利]一种抛晶砖裂纹釉砖的制备方法-CN201511007774.8在审
发明人：张志英;刘乾惠 -专利权人：佛山市宾格装饰材料有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C03C8/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛晶砖裂纹釉砖的制备方法，其包括陶瓷生坯压制成型后，经施底釉、施面釉、烧成、印花釉后，经第一次裂纹熔块干粒布料、低温第一次烧成、第二次透明熔块干粒布料、低温第二次烧成后镀金抛光得到产品。本发明采用特定高膨胀系数的高硼熔块，采用干粒堆制，再加以低膨胀系数的透明抛光熔块干粒予以屏蔽，一则堵住裂纹口，防止吸污；二则同时采用高温溅射多弧离子镀金工艺，高光抛晶工艺，表面光泽度在90度以上，使釉中裂具强烈的釉下质感及冰晶感
一种抛晶砖裂纹制备方法

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