专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]防止包住气泡的晶粒转移方法-CN202210072477.5在审
  • 卢彦豪 - 梭特科技股份有限公司
  • 2022-01-21 - 2023-08-01 - H01L21/50
  • 本发明提供了一种防止包住气泡的晶粒转移方法,包括下列步骤:吸附装置借由第一负压吸附晶粒晶粒弯曲;固晶装置借由正压吹拂晶粒放置晶粒放置向上隆起,晶粒放置的中心接触到晶粒的中心,晶粒放置的周围和晶粒的周围之间形成缝隙;以及吸附装置停止借由第一负压吸附晶粒晶粒恢复成平坦状并且脱离吸附装置,固晶装置停止借由正压吹拂晶粒放置晶粒放置恢复成平坦状;晶粒晶粒放置将缝隙内的空气向外挤出,使得缝隙闭合,晶粒的底面紧密贴合于晶粒放置的顶面借此,本发明能够达到防止晶粒晶粒放置包住气泡的效果。
  • 防止包住气泡晶粒转移方法
  • [发明专利]一种中心接触的无冲击力固晶方法-CN202111010111.7在审
  • 卢彦豪 - 梭特科技股份有限公司
  • 2021-08-31 - 2023-03-03 - H01L21/607
  • 本发明提供了一种中心接触的无冲击力固晶方法,包括下列步骤:固晶装置拾取晶粒晶粒表面无锡球且无铜柱;固晶装置将晶粒移动至晶粒放置一侧,基板表面无锡球且无铜柱;固晶装置通过正压吹拂晶粒中心,使得晶粒中心变形以接触晶粒放置中心;晶粒中心在接触晶粒放置中心后形成贴合波,贴合波从晶粒中心往晶粒的周边扩展,使得晶粒逐渐脱离固晶装置并固定于晶粒放置上;以及晶粒完全固定于晶粒放置上。以此,本发明通过无冲击力的正压控制晶粒中心与基板接触,力道极小,不会损及晶粒
  • 一种中心接触冲击力方法
  • [发明专利]具有实现晶粒内连接的集成通孔的光学半导体元件-CN202210798110.1在审
  • 范倍诚 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-07-06 - 2023-06-16 - H01L27/146
  • 该光学半导体元件具有一逻辑晶粒,包括一核心电路以及一逻辑周围电路;一存储器晶粒,设置在该逻辑晶粒上并包括一存储器胞以及一存储器周围,且一第一晶粒内(inter‑die)通孔,设置在该存储器周围中且电性连接到该逻辑周围电路;以及一感测器晶粒,设置在该存储器晶粒上并包括一感测器像素以及一感测器周围,且一第一晶粒间(intra‑die)通孔设置在该感测器周围中并经由该第一晶粒内通孔而电性连接到该逻辑周围电路,以及一第二晶粒间通孔设置在该感测器周围中该第一晶粒间通孔的一高度大于该第二晶粒间通孔的一高度。
  • 具有实现晶粒连接集成光学半导体元件
  • [发明专利]光学半导体元件-CN202211260574.3在审
  • 吴智琮 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-10-14 - 2023-08-11 - H01L27/146
  • 该光学半导体元件具有一逻辑晶粒,包括一核心电路以及一逻辑周围电路;一存储器晶粒,设置在该逻辑晶粒上并包括一存储器胞以及一存储器周围,且一第一晶粒内(inter‑die)通孔,设置在该存储器周围中且电性连接到该逻辑周围电路;以及一感测器晶粒,设置在该存储器晶粒上并包括一感测器像素以及一感测器周围,且一第一晶粒间(intra‑die)通孔设置在该感测器周围中并经由该第一晶粒内通孔而电性连接到该逻辑周围电路,以及一第二晶粒间通孔设置在该感测器周围中该第一晶粒间通孔的一高度大于该第二晶粒间通孔的一高度。
  • 光学半导体元件
  • [发明专利]角落或侧边接触的无冲击力固晶方法-CN202110944509.1在审
  • 卢彦豪 - 梭特科技股份有限公司
  • 2021-08-17 - 2022-07-01 - H01L21/603
  • 本发明提供了一种角落或侧边接触的无冲击力固晶方法,包括下列步骤:固晶装置拾取晶粒晶粒表面无锡球且无铜柱;固晶装置将晶粒移动至晶粒放置一侧,基板表面无锡球且无铜柱;固晶装置通过正压吹拂晶粒角落或侧边,使得晶粒角落或侧边挠曲变形以接触晶粒放置晶粒角落或侧边在接触晶粒放置以后形成贴合波,贴合波从晶粒角落往其对角扩展或从晶粒侧边往其相对侧扩展,使得晶粒逐渐脱离固晶装置并且固定于晶粒放置上;以及晶粒完全固定于晶粒放置上因此,本发明通过无冲击力的正压控制晶粒角落或侧边与基板接触,力道极小,不会损及晶粒
  • 角落侧边接触冲击力方法
  • [发明专利]具有复合中介结构的光学半导体元件-CN202210803193.9在审
  • 薛宇涵 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-07-07 - 2023-06-16 - H01L27/146
  • 该光学半导体元件具有一逻辑晶粒,包括一核心电路以及一逻辑周围电路;一存储器晶粒,设置在该逻辑晶粒上并包括一存储器胞以及一存储器周围,且一第一晶粒内通孔设置在该存储器周围中并电性连接到该逻辑周围电路;以及一感测器晶粒,设置在该存储器晶粒上并包括一感测器像素以及一感测器周围,一第一晶粒间通孔设置在该感测器周围中并经由该第一晶粒内通孔而电性耦接到该逻辑周围电路,且一第二晶粒间通孔设置在该感测器周围中该中介结构设置在该存储器晶粒的该后表面上。
  • 具有复合中介结构光学半导体元件
  • [发明专利]具有串接导通孔的光学半导体元件-CN202211328048.6在审
  • 谢明宏 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-10-26 - 2023-07-21 - H01L27/146
  • 该光学半导体元件包括一逻辑晶粒,包括一核心电路以及一逻辑周围电路;一存储器晶粒,设置在该逻辑晶粒上并包括一存储器胞以及一存储器周围;一第一晶粒内通孔,设置在该存储器周围中;一着陆垫,设置在该第一晶粒内通孔上;以及一感测器晶粒,设置在该存储器晶粒上并包括一感测器像素以及一感测器周围,一第一晶粒间通孔设置在该感测器周围中。该第一晶粒内通孔与该第一晶粒间通孔经由该着陆垫并以一串接(cascade)方式而电性耦接。
  • 具有串接导通孔光学半导体元件
  • [发明专利]一种LED芯片晶粒盘片全自动分离装置-CN202110573276.9有效
  • 林永祥 - 琉明光电(常州)有限公司
  • 2021-05-25 - 2021-08-03 - B07C5/02
  • 本发明公开了一种LED芯片晶粒盘片全自动分离装置,涉及芯片晶粒技术领域,该全自动分离装置包括晶粒分离台、晶粒分离晶粒分离组件、晶盘投放口和晶盘存放组件,所述晶粒分离台上表面一侧设置有晶粒分离,所述晶粒分离上开设有若干个负压吸附孔,所述晶粒分离台上表面中部设置有晶粒分离组件,所述晶粒分离台上表面与晶粒分离对应位置处开设有晶盘投放口,所述晶粒分离台下表面设置有晶盘存放组件;本发明科学合理,使用安全方便,通过与晶盘上晶粒对应的分离吸头以及电磁铁的设置,使得可以一次性完成整个晶盘上合格晶粒与不合格晶粒的分离,大大的提高了分离效率。
  • 一种led芯片晶粒盘片全自动分离装置
  • [实用新型]集成电路组件层叠结构-CN200820301077.2有效
  • 马嵩荃;梁裕民 - 讯忆科技股份有限公司
  • 2008-06-10 - 2009-05-20 - H01L25/00
  • 一种集成电路组件层叠结构,包含其周缘设有多数第一缺口的第一晶粒,该第一晶粒上设有第一传导、及连接各第一缺口与第一传导的第一布线;以及层叠于第一晶粒一面上的第二晶粒,该第二晶粒的周缘设有与该第一传导对应的第二缺口,该第一传导与第二缺口间设有导通介质,并于该第二晶粒上设有第二传导、及连接各第二缺口与第二传导的第二布线。藉此,可利用第一晶粒与第二晶粒的层叠配合,而将所需的系统整合于第一及第二晶粒上,除可增加集成电路组件布局的灵活性外,亦可达到易于制作以及特性稳定的功效。
  • 集成电路组件层叠结构
  • [发明专利]利用薄膜转移晶粒的方法-CN202110469014.8在审
  • 卢彦豪 - 梭特科技股份有限公司
  • 2021-04-28 - 2022-10-28 - H01L21/683
  • 本发明提供了一种利用薄膜转移晶粒的方法,包括下列步骤:支撑座支撑薄膜,第一顶推座抵靠于薄膜的固定部,固定部对准承载膜上的晶粒;支撑座与第一顶推座将固定部往晶粒的方向移动,直至固定部黏附晶粒为止;固定部拾取晶粒晶粒脱离承载膜;支撑座驱动固定部移动至基板的晶粒放置的上方,第一顶推座与固定部同步移动;支撑座与第一顶推座将固定部往晶粒放置的方向移动,直至晶粒移动至晶粒放置为止;以及支撑座与第一顶推座驱使固定部与晶粒分离,使得晶粒完全固定于晶粒放置上。因此,本发明利用薄膜转移晶粒的方法中薄膜具有延展性且质地柔软,完全不会碰伤晶粒
  • 利用薄膜转移晶粒方法
  • [实用新型]改良的导线架结构-CN201020258431.5有效
  • 张定宏 - 勤益股份有限公司
  • 2010-07-14 - 2011-02-16 - H01L23/495
  • 本实用新型是关于一种改良的导线架结构,包括:一第一晶粒座、一第二晶粒座、一第三电极焊线、一第五电极焊线、及一第六电极焊线。其中,该第一晶粒座与第二晶粒座可供分别设置一第一晶粒与一第二晶粒,并且,通过一第一引线可将该第一晶粒之一第二电极(源极)电性连接至一第二电极焊线,如此,使得第一晶粒之该第二电极(源极)可电性连接至该第二晶粒之一第四电极
  • 改良导线结构

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