“晶炉硅料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3021753个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种单晶炉液体连续加料装置-CN202111300662.7在审
发明人：张忠涛;曹玉宝;尹嘉琦;李万朋;王建波 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅制备技术领域，具体的说是一种单晶炉液体连续加料装置，包括拉晶炉、熔料炉、拉晶坩埚和熔料坩埚；所述熔料坩埚外侧安装有加热器；所述熔料炉顶部安装有提渣装置；所述拉晶炉与熔料炉之间设有支撑管；所述支撑管内部安装有上料管；所述拉晶炉与熔料炉之间连通有气压平衡管路，气压平衡管路上安装有控制阀；将硅料送入熔料坩埚中，加热器将硅料熔化，关闭控制阀，给熔料炉内部加压，利用压差效应，将熔料坩埚中的熔料通过上料管导入拉晶坩埚中，完成一次上料，进而打开控制阀，调节压差，保护设备，再向熔料坩埚中投入硅料，拉晶和熔料同时进行，无需再在拉晶炉内熔料，大量节省时间，更方便提渣，提高单晶炉工作效率。
一种单晶炉液体连续加料装置

[发明专利]一种单晶炉的加料方法-CN201310200286.3无效
发明人：方中期;汪国锋 -专利权人：开化县同欣硅业有限公司
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉的加料方法，该方法包括下列步骤：A、在单晶炉中按单晶炉总加硅料量第一次加足硅料，再将硅料熔化后开始拉第一根晶棒；B、当单晶炉第一次拉晶至单晶炉中硅料剩余10～20%时，停止第一根拉晶；C、在单晶炉中缓缓加入单晶炉总加料量的30～40%，待其完全熔化；D、再次缓缓加入单晶炉总加料量的30～40%，再待其完全熔化；E、又再次缓缓加入单晶炉总加料量的余量，待该余量完全熔化；F、重新开始第二根晶棒的拉晶，直到单晶炉中硅料完全拉完为止。采用本发明，由于每炉可拉二根晶棒，不仅节省能耗，而且提高了坩埚等材料的利用率。
一种单晶炉加料方法

[发明专利]一种自给式晶硅烧胶炉-CN202211104687.4在审
发明人：郭英丽;聂勇;胡胜魁;贾丹丹;郭玉涛;程小敏 -专利权人：河南省众邦伟业科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅废片回收处理设备机领域，尤其涉及一种自给式晶硅烧胶炉，包括加热炉、设置在加热炉进料端的给料设备以及与加热炉连接的除尘设备，将晶硅废片投放至加热内，通过加热使晶硅废片表面附着的参胶融化后与晶硅分离，通过在加热炉的两端增设除尘罩，利用除尘罩在进料端和出料端对其作业中的废气进行收集后输送至除尘器中进行处理后再排放，以此来减小作业过程中对环境的污染。
一种自给式晶硅烧胶炉

[实用新型]一种加料装置及拉晶装置-CN202221344483.3有效
发明人：文永飞;邓浩;董升;马少林 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种加料装置及拉晶装置，加料装置应用于拉晶装置，拉晶装置包括单晶炉以及设置于单晶炉内的坩埚，加料装置包括：进料管和导流件；其中，进料管穿设于单晶炉并延伸至单晶炉内，进料管用于将硅料输送至单晶炉内；导流件与进料管相对应设置，且导流件至少部分延伸至坩埚内，以使硅料沿导流件输送至坩埚内。本申请采用进料管将硅料沿导流件输送至坩埚内，进料稳定，对坩埚内硅液的液面变化影响较小，可以实现进料的同时进行拉晶。提升了拉晶的稳定性，避免了对单晶硅性能的影响，提高了太阳能电池的光电转换效率。
一种加料装置

[发明专利]铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法-CN201110160801.0无效
发明人：石坚;熊涛涛 -专利权人：安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法，涉及投炉硅料和晶种摆放方法，a采用单块重量≤200g的硅料，在晶种之上铺0.5～60cm的厚度；b晶种之间距离≤0.1mm。本发明的有益效果在于：1、通过本方法的控制，可减少晶种引起的缺陷。可有效解决类似单晶大量位错而导致生产效率偏低问题，使得铸锭炉生长类似单晶的光电转化效率提高0.1%左右。晶种厚度控制在20mm以下，单炉（约450kg）生产成本可降低1000元以上。
铸造生产类似单晶硅锭投炉硅料摆放方法

[发明专利]一种降氧拉晶工艺和石英坩埚-CN202111305898.X在审
发明人：黄晶晶;吴刚;鞠贵冬;王新强 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降氧拉晶工艺和石英坩埚。通过对初次投放的硅料进行化料时，通入氩气，并通过炉压控制控制炉压为预设炉压；再将炉压控制关闭，打开主泵，复投硅料；然后再复投硅料结束后，间隔第二预设时间，将炉压控制闭环，通过上述公开的降氧拉晶工艺，能够加快高温化料期间所产生的挥发物排出，减少SiO附着在排气管道，避免因SiO附着在排气管道使产生的SiO不能及时排出，保证排气管道能够顺畅排气，进而能够减少挥发物中的SiO溶于液态硅中，降低液态硅中含氧量，避免进行氧反切，有效提高成晶率，
一种降氧拉晶工艺石英坩埚

[发明专利]一种改善多晶硅晶界缺陷的方法和装置-CN201810688074.7在审
发明人：周建军;徐志群;周慧敏;龙昭钦;周成;雷鸣;冷金标 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善多晶硅晶界缺陷的方法和装置，其中方法包括：判断当前铸锭炉中的硅料是否处于熔融状态；若是，向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂；判断当前所述铸锭炉中的硅料是否处于长晶结束阶段；若是，停止向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂通过在当前的多晶铸锭炉中的硅料在熔融状态时，通入氢元素掺杂剂，在长晶结束之后结束，通过掺杂剂中的氢原子来终结硅的悬挂键，显著降低硅晶体表面的复合速率，能够在硅基体中引入高浓度的氢原子，氢钝化程度更加彻底
掺杂剂硅料氢元素铸锭炉方法和装置晶界缺陷熔融状态多晶硅氢钝化氢原子多晶铸锭炉工艺过程结束阶段铸锭工艺硅基体硅晶体悬挂键终结复合保存引入

[发明专利]铸造法生产类似单晶硅的方法-CN201110292620.3无效
发明人：石坚;熊涛涛 -专利权人：安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅的方法，涉及铸造法生产类似单晶硅的方法，包括对GT或四面及顶面加热器的铸锭炉设备的改进与类似单晶的生长控制，所述的铸锭炉设备的改进指类似单晶硅锭热场梯度改进装置，所述的类似单晶的生长控制，包括投炉硅料和晶种摆放方法，化料加热方法，炉内融化后晶种稳定炉底的方法之一或组合。本发明的有益效果是：通过改变GT炉或四面加热器加顶部加热器的热场装置及材料、完善投炉硅料和晶种摆放方法、化料加热方法、炉内融化后晶种稳定炉底的方法等措施，从而改变热场内部温度曲线，可显著改善化料及生长等温曲线
铸造生产类似单晶硅方法

[发明专利]一种直拉法制备单晶硅的方法-CN201711175303.7在审
发明人：王会敏;张浩强;颜超;范晓甫;赵龙;张振国;霍永超;杜瑞豹;杨乐天 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请属于单晶硅生产技术领域，具体涉及一种直拉法制备单晶硅的方法，单晶炉完成硅料熔化之后，单晶炉加热功率快速下降，温控器控制单晶炉的炉内温度稳定后，籽晶接触液面后引颈，引颈一定高度后，无位错开始放肩，放肩后长晶，单晶炉加热功率分步逐降，长晶达到目标直径后开始转肩。并且此方法可以快速找到引颈温度，减少长晶位错，缩短单晶的生长周期并减少硅料与石英埚接触时间以减少硅料杂质的影响，提高了引颈成功率及单晶品质。
一种法制单晶硅方法

[发明专利]一种移动式加热器的铸锭炉-CN201910764891.0在审
发明人：黄晶晶;张涛;陈骏;叶鹏;陈养俊;姜志兴;贺小峰;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种移动式加热器的铸锭炉，包括炉体、设于所述炉体内、用以加热融化所述炉体内的硅料的侧部加热器，所述侧部加热器用以当硅料长晶时跟随硅料的固液界面的移动沿所述炉体的高度方向移动。该移动式加热器的铸锭炉能够改善硅棒成晶质量、减小硅棒各段的差异性、提高晶体转换效率。
移动式加热器铸锭炉硅料侧部加热器硅棒炉体体内方向移动加热融化晶体转换差异性固液减小移动

[实用新型]一种移动式加热器的铸锭炉-CN201921347322.8有效
发明人：黄晶晶;张涛;陈骏;叶鹏;陈养俊;姜志兴;贺小峰;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动式加热器的铸锭炉，包括炉体、设于所述炉体内、用以加热融化所述炉体内的硅料的侧部加热器，所述侧部加热器用以当硅料长晶时跟随硅料的固液界面的移动沿所述炉体的高度方向移动。该移动式加热器的铸锭炉能够改善硅棒成晶质量、减小硅棒各段的差异性、提高晶体转换效率。
一种移动式加热器铸锭

[发明专利]一种多晶硅炉-CN201210169843.5有效
发明人：符寒光;蒋志强;冯锡兰;刘建伟;魏永强 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种多晶硅炉，属于加多晶硅炉技术领域，包括耐热钢、六钛酸钾晶须隔热砖、加热装置、Al2O3耐火砖、坩埚和钢板组成，多晶硅炉的炉身的外壳为钢板，在钢板内层贴有六钛酸钾晶须隔热砖层，在隔热砖层内层还有Al2O3耐火砖层，并将坩埚置于多晶硅炉Al2O3耐火砖层构成的空腔内，在坩埚和Al2O3耐火砖层之间的空间内放置加热装置，在多晶硅炉的上方还设置了一个取料盖，取料盖是将六钛酸钾晶须隔热砖镶嵌在耐热钢中，直接盖在节能多晶硅炉的炉身上采用本发明多晶硅炉制备多晶硅，具有良好的节能效果。
一种多晶

[发明专利]一种提纯棒的拉制方法-CN202310098147.8在审
发明人：赵巍;陈铭;宋丽平;龙小娇;龙昭钦 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅制备技术领域，涉及一种提纯棒的拉制方法。拉制方法包括将硅料混合物填装到单晶炉内；将所述硅料混合物加热融化为硅熔体；对所述硅熔体进行引晶、放肩、转肩、等径生长，之后收尾提断并冷却，取出晶棒的步骤；拉制方法所采用的的原料均为异常硅料混合物，其组分包括焖炉料、细粉等，通过对硅料混合物进行熔融、引晶、放肩、转肩、等径生长等步骤的处理，去除硅料中的杂质并形成了提纯棒；所制备的提纯棒经破碎后可以在拉制单晶硅棒时投炉使用，实现了异常硅料的再利用，大幅度的节约了硅料成本
一种提纯拉制方法

[发明专利]能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置-CN202110688408.2在审
发明人：伊冉;王黎光;张兴茂;闫龙;李小红 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置，属于单晶硅生产技术领域。生产时，单晶硅原料化料后，增加降氧处理过程，对硅熔汤进行搅拌的同时，提高氩气流量至化料结束后氩气流量的1.5倍～3倍，和/或提高拉晶炉的炉内压力为化料结束后炉内压力的1.5倍～3倍，实践结果表明，采用上述手段能够有效地降低单晶硅晶棒的头部氧含量约50%，有效打破了大直径单晶硅晶棒头部氧含量无法进一步降低的技术瓶颈。
能够降低头部含量直径单晶硅生产方法装置

[实用新型]一种硅芯炉-CN201520543266.0有效
发明人：陈辉;刘和松;郁叙法;张礼铭;郭大伟 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司;江阴东升新能源有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及到硅芯设备的技术领域，公开了一种硅芯炉。该硅芯炉包括炉体，以及设置在所述炉体内的长晶托盘，设置在长晶托盘上并用于盛放原料多晶硅料的条形坩埚，以及用于熔化所述原料多晶硅料的加热装置，且所述托盘内设置有冷却气体通道，还包括与所述冷却气体通道连通的氩气冷却系统在上述技术方案中，硅芯炉采用定向凝固法形成硅锭，并在具体的冷却过程中，通过采用氩气冷却系统对熔化的原生多晶硅料进行冷却，形成较大的温度梯度差，从而提高了长晶的效率。提高了硅锭的生产效率。
一种硅芯炉

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top