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[发明专利]单晶培养装置-CN202011059877.X在审
发明人：阿部淳;森山隼;桑原由则 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：课题在于提供可降低单晶的温度梯度的同时防止杂质混入导致的单晶的成品率的急剧变差的单晶培养装置。本发明的单晶培养装置90通过提拉法由坩埚1内的原料的熔融液12培养单晶13，其具备：覆盖坩埚1的上方的空间16的上部耐火材料容器10b、覆盖上部耐火材料容器10b的外周的绝热保温结构14和覆盖绝热保温结构
培养装置

[发明专利]硅酸钆单晶体的生长方法-CN200310108771.4无效
发明人：赵广军;徐军;何晓明;介明印;曾雄辉;张连翰;周圣明;庞辉勇;周国清 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种硅酸钆单晶体的生长方法，其特征在于该方法的关键是在提拉法生长硅酸钆单晶体的收尾阶段采用如下程序：在GSO晶体生长后期，即晶体等径部分的长度达到预定尺寸后，按5－50℃/h的升温程序进行晶体的升温生长本发明一方面避免了单晶生长结束时快速提拉或手动提拉造成晶体的开裂；另一方面，由于收尾程序使晶体尾部的形状与肩部对称一致，极大地提高了晶体散热的均匀性，减少了GSO晶体的开裂和解理的几率。
硅酸单晶体生长方法

[发明专利]利用熔盐法制备氟化镧单晶及稀土离子掺杂氟化镧单晶的方法-CN201911087069.1在审
发明人：涂朝阳;胡明远;王燕;朱昭捷;游振雨;李坚富 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种利用熔盐法制备氟化镧单晶、稀土掺杂氟化镧单晶的方法。制备氟化镧单晶或稀土掺杂氟化镧单晶的方法，均采用氟化锂为助熔剂；将含有氟化镧和助熔剂氟化锂的物料或含有氟化镧、助熔剂氟化锂和稀土源的物料置于熔盐提拉炉中，在含有四氟化碳和惰性气体的保护气氛中生长得到所述氟化镧单晶或稀土掺杂氟化镧单晶采用熔盐法生长晶体，能够降低单晶的生长温度，可以降到1100℃以下，极大的减少生长过程中熔体的挥发；熔盐炉设备简单，也比较便宜，可以生长出大尺寸的晶体，从而可以大大降低单晶的成本。单晶具有广泛的应用，采用熔盐法有利于实现其广泛应用的价值。
利用法制氟化镧单晶稀土离子掺杂方法

[实用新型]一种拉晶生产设备-CN202221345852.0有效
发明人：董升;李侨;邓浩 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请公开一种拉晶生产设备，涉及拉晶生产技术领域，该拉晶生产设备具有拉晶质量好，生产效率高的有益效果。拉晶生产设备包括单晶炉和加料组件，加料组件位于单晶炉外，用于向单晶炉内添加硅料，加料组件上设置有进气管，进气管用于通入清洁气体，清洁气体经过加料组件进入单晶炉。
一种生产设备

[实用新型]一种带有自动清洗功能的单晶炉炉体-CN201920172725.7有效
发明人：潘燕萍;朱海军 -专利权人：常州市乐萌压力容器有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生产设备领域，具体涉及一种带有自动清洗功能的单晶炉炉体，具有提拉头、副炉室、炉盖、炉筒、炉底盘，在副炉室顶端设有一进气口和进水口，所述进气口和进水口下方，且在副炉室、炉盖以及炉筒内分别设有两条等长的进气管和进水管本单晶炉炉体无需人工进行清洗，也无需拆机进行清洗，清洗效率高，清洁干净。
一种带有自动清洗功能单晶炉炉体

[发明专利]一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法-CN201711434604.7有效
发明人：宋梁成;朱崇强;雷作涛;杨春晖;赵丹洋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。本发明目的是要解决现有的生长CdSe晶体的高压布里奇曼法设备复杂，且易发生爆炸，而温梯熔体区熔法与气相提拉法的晶向不可控、光学品质差的问题。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
硒化镉气相生长单晶导热顶部籽晶装料中远红外波段布里奇曼法密封石英管后处理光学品质晶体生长制备籽晶单晶体晶体的熔体区提拉法透过率籽晶片生长活化晶向温梯爆炸

[发明专利]一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法-CN200810055808.4无效
发明人：朱伟;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，并加入SiO₂+B₂O₃玻璃，采用提拉法生长Ni_50+xFe_25－xGa_25+y单晶。本发明的单晶制备过程中加入了SiO₂+B₂O₃玻璃，有效地控制了本发明规定成分的NiFeGa材料在单晶生长过程中容易产生的第二相析出。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，而不需要附加设备，因此，成本低、易于工业化批量生产。
一种磁性形状记忆合金制备方法

[发明专利]氧化锌单晶的制造方法-CN200880005468.2有效
发明人：田中吉积;藤井一宏 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：一种氧化锌单晶的制造方法，从可以溶解氧化锌且在熔液中具有高于氧化锌的平均密度的溶剂、和氧化锌的混合熔液使氧化锌的结晶析出于籽晶上。优选的是，在提拉时，供给与被提拉了的氧化锌同量的氧化锌原料，同时连续地提拉氧化锌单晶。可以连续地制造结晶质量优异、在提拉方向长的单晶。
氧化锌制造方法

[发明专利]单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法-CN202310678043.4有效
发明人：李林东;魏子涵;陈伟;陈志军;吴超慧;张鹏;丁云飞;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F28D21/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法；单晶炉双相复合换热器包括换热壳体和分隔板，换热壳体包括相互连接且间隔分布的内壳和外壳，内壳的内壁和外壳的内壁之间形成换热腔，内壳的外壁围合形成提拉通道；分隔板连接于内壳的内壁和外壳的内壁之间，用于将换热腔分隔为水冷换热腔和相变换热腔，其中，水冷换热腔位于相变换热腔的上方，水冷换热腔用于循环冷却水，相变换热腔用于盛装有机换热介质本发明的单晶炉双相复合换热器和换热方法能够稳定、可靠地控制纵向温度梯度，以保证晶体在高拉速下稳定地生长，提高晶体生产效率。
单晶炉双相复合换热器单晶炉方法

[发明专利]一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法-CN202010910881.6在审
发明人：李翔;李慧芳 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，包括：将CeF3单晶切割成长棒并滚圆分别作为籽晶和料棒；将料棒固定于下进给装置上，将籽晶固定于上部提拉装置上，并控制料棒顶部截面中心置于激光加热中心使得第一料棒顶部熔融成半球状熔体；将籽晶接触料棒顶部的半球状熔体，保温5～10分钟后，开始提拉籽晶和馈送料棒，直至籽晶直径收缩至0.8mm后进行等径生长，得到直径为0.8mm的CeF3单晶光纤所述的单晶光纤由CeF3体块单晶制成。本发明所制备的CeF3单晶光纤直径为0.8mm，长度可达115mm。根据本发明，激光加热基座法(LHPG)生长CeF3单晶光纤，其熔点为1640℃，所生长的CeF3单晶光纤直径均匀，结晶度较好，具备较高的结晶质量。
一种激光加热基座法制 cef3 光纤方法

[发明专利]单晶直径的检测方法及单晶提拉装置-CN200880102139.X有效
发明人：柳町隆弘;园川将 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶直径的检测方法及一种单晶提拉装置，该装置具备摄影机及测力计两者，用以检测所提拉的单晶的直径；该单晶直径的检测方法，是用以检测通过切克劳斯基法所培育的单晶的直径的方法，其特征在于：使用摄影机与测力计两者，各自检测单晶的直径，并根据摄影机的检测直径与通过测力计所算出的直径的差、及按照前述单晶的成长速度所预先求得的修正系数α，来修正前述摄影机的检测直径，并且将通过该修正所得到的值作为前述单晶的直径。
直径检测方法单晶提拉装置

[实用新型]一种全自动单晶炉演示装置-CN202021229570.5有效
发明人：门正兴;罗雁曦;陈国华;曾庆嘉;方蔺;付瑞;杨康林 -专利权人：成都航空职业技术学院
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全自动单晶炉演示装置，包括底炉箱、冷却层和炉盖，所述底炉箱的内部设置有坩埚提升旋转机构，且坩埚提升旋转机构的上部分布有下炉筒，所述炉盖的上部分布有隔离阀室，且隔离阀室的中部外壁设置有圆门，所述圆门的中部分布有圆形观察窗，所述隔离阀室的顶部连接有提拉头，且提拉头的上端分布有旋转接头。该全自动单晶炉演示装置基于3D打印可以做到定制生产，并且从制作到生产过程中可以减少成本以及通过三维设计从而减少定制时的复杂过程，且零件少，3D打印过程中支撑少即耗材少，并且基于3D打印可以做到大批量生产
一种全自动单晶炉演示装置

[发明专利]热屏组件及单晶提拉炉热场结构-CN201610728299.1在审
发明人：邓先亮;赵向阳;陈强 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种热屏组件及单晶提拉炉热场结构，所述热屏组件包括热屏及位于所述热屏外围的排气管。本发明的热屏组件通过在热屏的外围设置一组排气管，将所述热屏组件用于单晶提拉炉热场结构时，所述排气管可以作为新增的氩气出口，可以改变氩气在热场结构内流动的路径，使得氩气在热场结构内不易形成涡旋。同时可以将从熔体中挥发的SiO及时排出，减少氩气流中的SiO进入熔体及与坩埚下方的高温石墨元件反应，从而延长各石墨组件的使用寿命，降低晶体中的氧含量和碳含量，并降低长晶结束后清炉的难度；同时，所述热屏组件还可以通过改变排气管中的流速
组件单晶提拉炉热场结构

[发明专利]籽晶夹头及单晶提拉炉-CN201710056545.8在审
发明人：李寅锋;温雅楠 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶夹头及单晶提拉炉，所述籽晶夹头为透明夹头，所述籽晶夹头的头部设有气流导向斜面。本发明的籽晶夹头为透明籽晶头，从引晶阶段开始都可以观察到整个过程，可以及时观测和及时修正引晶直径，确保整个拉晶过程正常进行，保证了晶锭生长的质量；通过在所述籽晶夹头的头部设置气流导向斜面，可以更好的引导炉腔体内气流
籽晶夹头单晶提拉炉气流导向晶锭引晶阶段开始体内气流头部设置透明夹籽晶头生长夹头拉晶炉腔乱流种籽观测修正保证透明观察

[实用新型]单晶炉提拉旋转驱动装置-CN201120243019.0有效
发明人：房志刚 -专利权人：常州江南电力光伏科技有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉装置领域，尤其是一种单晶炉提拉旋转驱动装置。
单晶炉提拉旋转驱动装置