专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]移位寄存器-CN200910176205.4有效
  • 林志隆;涂俊达;陈勇志 - 友达光电股份有限公司
  • 2009-09-16 - 2010-03-10 - G11C19/28
  • 每一个移位单元包含一提升电路、一提升驱动电路、一下拉驱动电路及一下拉电路。提升电路根据一第一信号以及一驱动节点的电压输出该第一信号至一输出节点。该提升驱动电路根据上一个移位单元的输出电压驱动该提升电路。该下拉驱动电路根据该第一信号以及一第二信号输出一低电位电压至该驱动节点以及该输出节点。该下拉电路根据该输出节点的电压重置该提升驱动电路,并根据一第三信号以及一第四信号输出该低电位电压至该驱动节点以及该输出节点。
  • 移位寄存器
  • [发明专利]利用升高电压的静态随机访问存储器-CN200910139300.7有效
  • S·佩里塞蒂 - 阿尔特拉公司
  • 2009-06-05 - 2009-12-09 - G11C11/41
  • 本发明涉及利用升高电压的静态随机访问存储器。具体地,提供了双端口存储器元件和存储器阵列电路。该存储器阵列电路可以包括在读操作和写操作期间将阵列中存储器元件的列的电源线切换至适当电源电压的电路。每个存储器元件可以包括在读操作和写操作期间在电源电压之间进行选择的电路。在读操作期间,提升的电源电压可以为存储器元件中存储数据的交叉耦合倒相器供电,同时可以使用未提升电压来导通相关联的地址晶体管。在写操作期间,未提升电压可以为交叉耦合倒相器供电,同时可以使用提升电压来导通相关联的地址晶体管。
  • 利用升高电压静态随机访问存储器
  • [发明专利]电路检测系统与电路检测方法-CN201910439160.9有效
  • 吴奇哲;洪宗扬;郭家铭;方奕娜;王明义 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-05-24 - 2023-07-25 - G01R31/28
  • 一种电路检测方法,其包含:于待测电路的电源电压为第一电压电平时对所述待测电路输入第一测试信号;当将所述第一测试信号输入所述待测电路后,将所述电源电压从所述第一电压电平提升至第二电压电平;当所述电源电压从所述第一电压电平提升至第二电压电平后,再将所述电源电压从所述第二电压电平下降至所述第一电压电平;于所述待测电路的所述电源电压为所述第一电压电平时对所述待测电路输入第二测试信号;以及当将所述第二测试信号输入所述待测电路后,将所述电源电压从所述第一电压电平提升至所述第二电压电平
  • 电路检测系统方法
  • [发明专利]静电放电引导电路-CN200810004262.X无效
  • 郭荣彦 - 普诚科技股份有限公司
  • 2008-01-24 - 2009-07-29 - H02H9/00
  • 一种静电放电引导电路,其用于一大尺寸开放式漏极电路的静电放电防护电路,包括:电压源,用以提供电压;第一PMOS,耦接至电压源;第一NMOS,耦接至PMOS;寄生二极管,耦接至PMOS;第二NMOS,耦接至PMOS的漏极;第一寄生电容,耦接至第二NMOS;第二寄生电容,耦接至第一寄生电容与第二NMOS;以及栅极电压提升电路,耦接至第二NMOS的栅极与源极,栅极电压提升电路包括:第三NMOS;第一电容耦接至第三其利用栅极电压提升电路用以提升第二NMOS的栅极电压。本发明可以解决NMOS栅极电压过低以及不正常导通而降低静电放电防护表现等问题。
  • 静电放电引导电路

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