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[发明专利]新型超低损耗G.654E光纤及其制作方法-CN202010651138.3有效
发明人：陈炳炎;王秋萍;陈宏达;龚成 -专利权人：普天线缆集团有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型超低损耗G.654E光纤及其制作方法，用VAD法制作纤芯，用OVD法在纤芯上制作掺氟内包层，用OVD法制作掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层，沉积纯SiO2外包层多孔体，烧成一体，光纤拉丝；掺氯纤芯的折射率大于掺氟的环沟型下陷内包层的折射率，掺氯纤芯和掺氟的环沟型下陷内包层界面形成的全内反射的第一导光界面，斜坡型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小通过上述方式，本发明新型超低损耗G.654E光纤及其制作方法，能够达到纤芯和包层粘度匹配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。
新型损耗 654 光纤及其制作方法

[发明专利]低损耗G.652.D光纤及其制作方法-CN202010794339.9有效
发明人：陈炳炎;王秋萍;龚成 -专利权人：普天线缆集团有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗G.652.D光纤，用VAD法制作掺氯纤芯，用OVD法在纤芯上制作掺氟的内包层，用POVD法制作掺氟的斜坡下陥包层和外包层，在线拉丝；掺氯纤芯和掺氟的内包层的粘度匹配，降低因芯/包粘度失配引起导光界面的应力而产生的光纤附加损耗，不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗，掺氯纤芯和内包层界面形成光纤的导光界面结构，斜坡型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型，与外包层形成梯度差本发明低损耗G.652.D光纤及其制作方法，能够达到纤芯和包层粘度匹配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。
损耗 652.光纤及其制作方法

[发明专利]低衰减单模光纤及其制备方法-CN201710538634.6在审
发明人：陈刚;朱继红;黄利伟;雷汉林;冯正鹏;汪洪海;王瑞春 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种低衰减单模光纤及其制备方法，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.5～4.0μm，相对折射率差△1为0.33～0.36％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层半径通过VAD工艺制造芯棒得到芯层掺锗和氯、内包层掺氟和氯的玻璃芯棒，将此芯棒套入纯二氧化硅外套管，或通过OVD工艺在此芯棒外面沉积外包层，得到可供拉丝的预制棒，将此预制棒在1500～3300m/min的拉丝速度下进行拉丝形成光纤本发明通过掺氯减少芯层掺锗量和改善芯包层粘度匹配实现光纤的低衰减，该光纤制备工艺较为简单，制作成本低，且工艺稳定，产出合格率高。
衰减单模光纤及其制备方法

[发明专利]一种光纤及其制造方法-CN201210138617.0有效
发明人：熊良明;杨晨;罗杰;童维军;李江;王聍;曹蓓蓓 -专利权人：长飞光纤光缆有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光纤及其制造方法，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层平均折射率n₁、包层折射率n₂和纯二氧化硅折射率n₀，满足n₁＝(0.997～1.0012)*n₀，n₂＝n₁－(0.0025～0.0045)*n₀；所述的芯层为掺碱金属离子芯层或非掺碱金属离子芯层，所述的包层由掺氟、氯和含羟基的二氧化硅基材料构成；并且包层和芯层材料掺氟浓度差△[F]、芯层和包层材料羟基浓度差△[OH]、芯层和包层材料掺氯浓度差△[Cl]和芯层材料掺碱金属离子浓度之和[M]，满足本发明通过掺杂组分和浓度差的控制使得光纤芯层和包层材料的高温粘度匹配，获得瑞利散射衰减降低的单模光纤，光纤的散射系数
一种光纤及其制造方法

[发明专利]包覆物折射率变化的光纤及其形成方法-CN201780058352.4有效
发明人： D·C·布克班德;P·A·奇鲁辛斯基;B·L·哈珀;李明军;S·K·米史拉;S·M·拉尼;P·坦登 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：所述光纤具有芯体、围绕芯体的内包覆物以及围绕内包覆物的外包覆物。所述外包覆物是掺氯的，使得相对折射率根据半径而变化。外包覆物的径向变化的相对折射率降低了芯体和内包覆物中的过量应力，这有助于减少光纤衰减，同时还减少了宏弯和微弯损耗。制造光纤的方法包括用氯掺杂烟炱预制件的烟炱包覆物层，然后从烟炱包覆物层的最外部区域移除一部分氯掺杂剂。随后对具有经过修正的氯掺杂剂分布的烟炱预制件进行烧结以形成玻璃预制件，其可随后用于拉制光纤。
包覆物折射率变化光纤及其形成方法

[发明专利]一种利用垃圾焚烧飞灰和铝灰制备氯氧镁掺混合硅铝酸盐水泥的方法-CN202210247516.0有效
发明人：黄涛;宋东平;张树文;徐娇娇 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用垃圾焚烧飞灰和铝灰制备氯氧镁掺混合硅铝酸盐水泥的方法，(1)将高镁粉、垃圾焚烧飞灰和煤矸石混合，得到氯氧镁掺混合硅酸盐水泥生料，研磨，得到氯氧镁掺混合硅酸盐水泥生料细粉；(2)将铝灰与氯氧镁掺混合硅酸盐水泥生料细粉混合，得到铝灰氯氧镁掺混合硅酸盐水泥生料细粉；(3)将铝灰氯氧镁掺混合硅酸盐水泥生料细粉进行低温等离子体照射处理，得到氯氧镁掺混合硅铝酸盐水泥。本发明实现了对危险废弃物的高效资源化转化利用；所制备的氯氧镁掺混合硅铝酸盐水泥活性高，最高强度可达47Mpa，可浸出重金属含量不超过GB30760中规定的限值，二噁英含量低于50ng‑TEQ/kg。
一种利用垃圾焚烧制备氯氧镁掺混合硅铝酸盐水方法

[发明专利]一种内包层掺氯的三包层石英光纤-CN202010826255.9在审
发明人：王龙飞;李凡;眭立洪 -专利权人：江苏永鼎光纤科技有限公司;江苏永鼎股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种内包层掺氯的三包层石英光纤，由纤芯、内包层和外包层组成，所述内包层是由氯掺杂石英玻璃制成，所述内包层的折射率比纯石英的折射率高(0～30)×10‑3掺氯的三包层石英光纤，能够有效提高内包层的折射率，同时降低了掺杂的难度和成本。
一种包层石英光纤

[发明专利]单模光纤及其制备方法-CN202010600926.X有效
发明人：秦钰;丁杰;葛一凡;陈京京;钱宜刚;沈一春 -专利权人：中天科技精密材料有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：该单模光纤包括裸光纤和包覆在裸光纤外的涂覆层，裸光纤包括同轴设置的氟和碱金属共掺二氧化硅的芯层、氟掺二氧化硅的下陷内包层、氟掺二氧化硅的辅助内包层和低氯二氧化硅的外包层，下陷内包层的外表层区域形成高羟基含量层通过合理设计剖面折射率分布，增大了光纤有效面积；采用在纯二氧化硅的芯层掺碱金属和掺氟，在下陷内包层外形成高羟基层，低氯纯二氧化硅的外包层等设计，改善光纤内外部的粘度匹配，减少光纤制备过程中缺陷，降低了光纤的衰减参数；在芯层外直接设置下陷内包层，确保了光纤具有良好的弯曲性能。
单模光纤及其制备方法

[发明专利]一种纳米二氧化钛掺银复合氯氰菊酯农药及其制备方法-CN201610265979.4在审
发明人：陈政;高友君 -专利权人：贺州学院
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： A01N53/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米二氧化钛掺银复合氯氰菊酯农药及其制备方法，属于复合农药技术领域。本发明的技术方案要点为：将纳米二氧化钛掺银悬浊液加入硬脂酸乙醇溶液中，混合溶液减压抽滤得到硬脂酸改性纳米二氧化钛掺银粉体；在氯氰菊酯乳油中加入硬脂酸改性纳米二氧化钛掺银粉体和环己酮，再加入十二烷基硫酸钠的去离子水溶液，搅拌混合均匀得到纳米二氧化钛掺银复合氯氰菊酯农药。本发明的工艺方法简单，易于工业化生产，所制得的纳米二氧化钛掺银复合氯氰菊酯农药具有环境友好和化学残留时间短等优点。
一种纳米氧化钛掺银复合氯氰菊酯农药及其制备方法

[发明专利]超低损耗G.654E光纤及其制作方法-CN202010651146.8有效
发明人：陈炳炎;王秋萍;陈宏达;龚成 -专利权人：普天线缆集团有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低损耗G.654E光纤及其制备方法，用PCVD法制作掺氯的梯度型折射率剖面分布纤芯及纯SiO2内包层，用POVD法制作掺氟斜坡下陷包层及纯SiO2外包层，最后拉丝，纤芯和纯SiO2内包层界面两侧的折射率相同，掺氯纤芯和纯SiO2内包层的界面形成全内反射的第一导光界面，掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型与外包层形成一定的梯度差通过上述方式，本发明超低损耗G.654E光纤及其制作方法，能够避免界面的粘度失配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。
损耗 654 光纤及其制作方法

[发明专利]一种纳米氧化铁掺二氧化钛复合氯氰菊酯农药及其制备方法-CN201610265987.9在审
发明人：陈政;高友君 -专利权人：贺州学院
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： A01N53/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米氧化铁掺二氧化钛复合氯氰菊酯农药及其制备方法，属于复合农药技术领域。本发明的技术方案要点为：将纳米氧化铁掺二氧化钛悬浊液加入硬脂酸乙醇溶液中，混合溶液减压抽滤得到硬脂酸改性纳米二氧化钛粉体；在氯氰菊酯乳油中加入硬脂酸改性纳米氧化铁掺二氧化钛粉体和环己酮，再加入十二烷基硫酸钠的去离子水溶液，搅拌混合均匀得到纳米氧化铁掺二氧化钛复合氯氰菊酯农药。本发明的工艺方法简单，易于工业化生产，所制得的纳米氧化铁掺二氧化钛复合氯氰菊酯农药具有环境友好和化学残留时间短等优点。
一种纳米氧化铁氧化复合氯氰菊酯农药及其制备方法

[发明专利]一种低损抗弯单模光纤及其制备方法-CN202211077684.6在审
发明人：孙楠;田国才;杜森;王友兵;柏文俊;刘长兴;王亚玲;许珂;冯永明;鞠磊;许勤华;梅春霞 -专利权人：江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低损抗弯单模光纤及其制备方法，该光纤从内到外依次包括纤芯层、第一内包层、第二内包层、过渡层和外包层。本发明中，纤芯层、第一内包层和第二内包层通过VAD法一步沉积而成，过渡层与外包层通过OVD法分步沉积而成，工艺路径简单，成本低，有利于规模化；第一内包层掺氟，通过精准控制氟的掺杂量可实现纤芯层中锗氟共掺，降低纤芯层的粘度，使纤芯层和内包层粘度匹配更优，减少光纤内部的缺陷，降低衰减损耗；过渡层中掺氯，优化过渡层的宽度，可有效阻挡外包层中的羟基进行到纤芯层，减弱对光纤衰减造成的负面影响；外包层中掺铝，有利于在拉丝过程中将应力集中在包层，使纤芯层受力较少，减少光纤内部缺陷，降低衰减损耗。
一种低损抗弯单模光纤及其制备方法

[发明专利]一种抗弯曲光纤的制造方法及其对应的光纤-CN202010781833.1在审
发明人：钟媛;姚艳;王亚玲;冯永明;和联科;郇朝阳;劳雪刚;沈震强;肖华 -专利权人：江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C03B37/027 文献下载
摘要：一种抗弯曲光纤的制造方法，包含如下步骤：S1.通过VAD法制备松散体，松散体包含芯层和内包层；S2.松散体完成沉积后转入烧结炉进行脱水和烧结，得到烧结芯棒；S3.烧结芯棒进行延伸，得到第一延伸芯棒；S4.第一延伸芯棒、掺氟套管、合成套管进行酸洗，酸洗后先将掺氟套管插入合成套管中，再将第一延伸芯棒插入掺氟套管中形成组装芯棒；S5.对组装芯棒进行延伸，得到第二延伸芯棒；S6.第二延伸芯棒、不含氯的合成石英套管进行组装得到光纤预制棒
一种弯曲光纤制造方法及其对应

[发明专利]一种经济型煤矿用织物芯整体带芯塑化胶及制备方法-CN202210304718.4在审
发明人：陈新杰;沈庆龙;叶家坤;鞠岑;王亚静;宋婷婷;孙志国 -专利权人：宁顺集团有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种经济型煤矿用织物芯整体带芯塑化胶及制备方法，按质量组份计，包括如下原料：聚氯乙烯糊树脂95‑105份、二辛脂30‑35份、52％氯化石蜡6‑20份、三氯乙基磷酸酯20‑30份、阻燃氮磷剂4.8‑5.2份、锌钡稳定剂3.2‑3.7份、三盐基硫酸铅0.8‑1.2份、掺混糊树脂10‑20份、氢氧化铝5‑10份；本发明通过将聚氯乙烯糊树脂、二辛脂、52％氯化石蜡、三氯乙基磷酸酯、阻燃氮磷剂、锌钡稳定剂、三盐基硫酸铅、掺混糊树脂和氢氧化铝配合制成的胶，经测试验证后，在添加掺混糊树脂等填充材料后，塑化带芯依旧可以达到生产要求，从而达到降低成本的目的。
一种经济型煤矿织物整体塑化制备方法

[发明专利]弯曲不敏感的耐辐照单模光纤-CN201610209017.7有效
发明人：莫琦;黄丽洁;喻煌;刘骋;陈文;余志强;王冬香;蔡冰峰;陈黎明;史惠萍 -专利权人：武汉邮电科学研究院;烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：该单模光纤包括由内至外依次排列的芯层、内包层、外包层，芯层、内包层、外包层的材质均为石英，内包层包括由内至外排列的第一掺氟内包层、第二掺氟内包层，芯层和第一掺氟内包层均不掺杂锗元素，其他金属杂质以及磷元素浓度均低于0.1ppm；以质量百分比计，芯层中掺杂的氟元素含量为0～0.45％，氯元素含量为0.01％～0.10％；第一掺氟内包层中的氟元素浓度为1.00％～1.55％，第二掺氟内包层中的氟元素浓度为3.03％～
弯曲敏感辐照单模光纤

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