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[发明专利]用分子单层掺杂硅基底的方法和组合物-CN201180013240.X有效
发明人： K.D.珀拉德;A.C.雷托 -专利权人：戴纳洛伊有限责任公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：掺杂硅基底的组合物和方法用包含四甘醇二甲醚和含掺杂剂材料的掺杂剂稀溶液处理基底，然后用快速热退火工艺使掺杂剂扩散进表面。1‑丙基膦酸二乙酯和烯丙基硼酸颇哪醇酯是优选的含掺杂剂材料，并优选其在掺杂剂稀溶液内的含量为约1%～约20%，更优选掺杂剂量是4%或更少。
分子单层掺杂基底方法组合

[发明专利]用于形成包含砷掺杂剂的基底的溶液配方和方法-CN201380057792.X有效
发明人： S.E.霍赫斯特勒;K.D.波拉;L.S.穆迪;P.B.麦肯兹;刘俊佳 -专利权人：慧盛材料美国有限责任公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：描述了用于形成包含掺杂剂的基底的溶液配方和方法。在具体实施方案中，该掺杂剂可包含砷(As)。在一个实施方案中，提供了包含溶剂和掺杂剂的掺杂剂溶液。在一个特定实施方案中，该掺杂剂溶液可具有至少大致等于能够致使基底表面处的原子连接到掺杂剂溶液的含砷化合物上的最低温度的闪点。在一个实施方案中，基底表面处的多个硅原子共价键合到该含砷化合物上。
用于形成包含掺杂基底溶液配方方法

[发明专利]制备掺杂的有机半导体材料的方法以及在该方法中使用的配方物-CN200780009954.7有效
发明人：奥拉夫·蔡卡;安德利亚·卢克斯;迈克尔·利默特;霍斯特·哈特曼;安德烈·格吕辛;安斯加尔·维尔纳;马丁·安曼 -专利权人：诺瓦莱德公开股份有限公司
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备掺杂的有机半导体材料的方法，所述方法包含如下步骤：(i)制备包含至少一种掺杂剂前体、至少一种待掺杂的有机材料和溶剂的溶液或悬浮液，(ii)将所述溶液或悬浮液施用于基材上并移除溶剂，(iii)通过施加活化能将掺杂剂前体转化为掺杂剂，其中所述掺杂剂前体是掺杂剂的二聚物、低聚物、聚合物、二螺化合物或多环，所述掺杂剂前体通过施加活化能解离为掺杂剂。
制备掺杂有机半导体材料方法以及使用配方

[发明专利]多元掺杂石墨烯及其制备方法-CN201780054618.8有效
发明人：郑明姬;文振山;卞那美 -专利权人： LG 电子株式会社
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B32/182 文献下载
摘要：公开了掺杂有不同掺杂剂的石墨烯及其制备方法。制备多元掺杂石墨烯的方法包括：将金属类掺杂剂和至少一种有机类掺杂剂混合以制备掺杂溶液；在基材上堆叠石墨烯层；以及用包含该金属类掺杂剂和该至少一种有机类掺杂剂的掺杂溶液掺杂石墨烯层。
多元掺杂石墨及其制备方法

[发明专利]用于在晶片上施加液体掺杂剂溶液的装置-CN200580004884.7无效
发明人： A·穆恩泽尔 -专利权人：壳牌阳光有限公司
申请日： 2005-02-11 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用于在晶片(3)上施加液体掺杂剂溶液的装置(1)，包括掺杂剂分配装置(5)、可在第一辊位置(15)和第二辊位置(17)之间水平平移的可转动的掺杂剂传送辊(7)和用于保持晶片的工作台(9)，其中，该掺杂剂分配装置包括掺杂剂传送块(20)和具有由边缘(26)围绕的开口侧的流体容器(24)，该开口侧朝向掺杂剂传送块(20)，块托架(21)可在第一块位置和第二块位置(31)之间水平平移，在第一块位置掺杂剂传送块位于流体容器的开口侧下方，在第二块位置掺杂剂传送块已与位于第一辊位置的可转动的掺杂剂传送辊接触，在正常操作期间，在第二辊位置，可转动的掺杂剂传送辊已与晶片接触以将掺杂剂溶液施加在晶片表面上。
用于晶片施加液体掺杂溶液装置

[发明专利]一种石英锭生产装置及掺杂方法-CN202111107421.0在审
发明人：江志和;谷巨明;秦卫光;张铁;王帅;刘念宗 -专利权人：久智光电子材料科技有限公司;天津富通信息科技股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种石英锭生产装置及掺杂方法，包括：封闭的掺杂剂容器，所述掺杂剂容器至少为一个，用于盛装石英掺杂元素配置成的溶液；气体输入管，其一端与所述掺杂剂容器连通，另一端设有洁净压缩空气入口；所述气体输入管上设有气体流量控制阀用于控制洁净压缩空气进入掺杂剂容器量，进而调整掺杂剂容器的掺杂剂流出量；掺杂剂输出管，一端与所述掺杂剂容器连通，另一端位于竖直设置的基础石英管的一侧；下料管，用于石英粉料的下料，其出口与所述掺杂剂输出管对齐设置；火焰产生装置，设置在所述掺杂剂输出管的输出端，将掺杂剂和石英粉料热熔后沉淀在所述基础石英管的外壁。操作过程容易控制、掺杂均匀、原料不易受到污染。
一种石英生产装置掺杂方法

[实用新型]一种石英锭生产装置-CN202122287195.0有效
发明人：江志和;谷巨明;秦卫光;张铁;王帅;刘念宗 -专利权人：久智光电子材料科技有限公司;天津富通信息科技股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种石英锭生产装置，包括：封闭的掺杂剂容器，所述掺杂剂容器至少为一个，用于盛装石英掺杂元素配置成的溶液；气体输入管，其一端与所述掺杂剂容器连通，另一端设有洁净压缩空气入口；所述气体输入管上设有气体流量控制阀用于控制洁净压缩空气进入掺杂剂容器量，进而调整掺杂剂容器的掺杂剂流出量；掺杂剂输出管，一端与所述掺杂剂容器连通，另一端位于竖直设置的基础石英管的一侧；下料管，用于石英粉料的下料，其出口与所述掺杂剂输出管对齐设置；火焰产生装置，设置在所述掺杂剂输出管的输出端，将掺杂剂和石英粉料热熔后沉淀在所述基础石英管的外壁。操作过程容易控制、掺杂均匀、原料不易受到污染。
一种石英生产装置

[发明专利]掺杂聚合物的方法-CN200810135657.3有效
发明人： P·K－H·侯;J－S·金;R·H·弗兰德 -专利权人：剑桥显示技术有限公司
申请日： 2000-04-05 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：用于形成用掺杂剂掺杂的共轭聚合物的方法，包括以下步骤：(a)将包含掺杂剂结构部分的掺杂剂加入到包括共轭聚合物或它的前体和任选的第二聚合物的溶液中，该掺杂剂结构部分能够键接于共轭聚合物、它的前体或第二聚合物上；(b)使掺杂剂结构部分键接于共轭聚合物、它的前体或第二聚合物上进行共轭聚合物的掺杂，特征在于在步骤(a)中添加的掺杂剂的量低于形成完全掺杂的共轭聚合物所需的量。
掺杂聚合物方法

[发明专利]掺杂聚合物的方法-CN00807051.2有效
发明人： P·K－H·侯;J－S·金;R·H·弗兰德 -专利权人：剑桥显示技术有限公司
申请日： 2000-04-05 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： H01B1/12 文献下载
摘要：用于形成用掺杂剂掺杂的共轭聚合物的方法,包括以下步骤(a)将包含掺杂剂结构部分的掺杂剂加入到包括共轭聚合物或它的前体和任选的第二聚合物的溶液中,该掺杂剂结构部分能够键接于共轭聚合物、它的前体或第二聚合物上;(b)使掺杂剂结构部分键接于共轭聚合物、它的前体或第二聚合物上进行共轭聚合物的掺杂,特征在于在步骤(a)中添加的掺杂剂的量低于形成完全掺杂的共轭聚合物所需的量。
掺杂聚合物方法

[发明专利]光纤稀土掺杂预制件的制造方法-CN00120094.1有效
发明人： K·坦卡拉 -专利权人：斯佩克特恩公司
申请日： 2000-04-07 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：公开了制造光纤稀土掺杂预制件的方法。通过改进化学汽相沉积工艺在可产生二氧化硅烟灰但也可避免其烧结的温度下在二氧化硅基衬底管内表面沉积高孔隙率二氧化硅烟灰层。然后将该衬底管在包括稀土元素和共掺杂剂的溶液中浸泡。排去溶液,用氯和惰性气流高温干燥。然后氧化稀土元素和共掺杂剂。最后,第二种共掺杂剂氯化物与氧在烧结温度流过烟灰层使其密实化,该温度下,该共掺杂剂氧化成氧化物并被送至烟灰层中稀土元素周围。稀土元素和优选共掺杂剂一起掺杂可增强稀土离子性能。其它掺杂剂也可同时使用以改进芯的折射率。
光纤稀土掺杂预制件制造方法

[发明专利]氧化液的制备方法以及固态铝电解电容器-CN202010789645.3有效
发明人：陈宇澄;杜学军;潘素清 -专利权人：万裕三信电子（东莞）有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种氧化液的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，将氧化剂溶解在水中，得到氧化剂溶液；步骤S2，将过量掺杂剂分散在水中，加热使掺杂剂完全溶解，得到掺杂剂溶液；步骤S3，将所述掺杂剂溶液以不超过1.5L/min的速率加入所述氧化剂中，搅拌，得到所述氧化液。
氧化制备方法以及固态铝电解电容器

[发明专利]一种低表面能氟碳掺杂PEDOT:PSS分散液的制备方法-CN202110896892.8有效
发明人：李昱达;汪锋;付清瑶 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C08L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低表面能氟碳掺杂PEDOT:PSS分散液的制备方法，将短链氟碳掺杂剂和PSS加入到超纯水中，充分乳化得到PSS/氟碳掺杂剂混合溶液；将3,4‑乙撑二氧噻吩单体加入到上述溶液中，加酸降低体系pH至0～1；充分搅拌乳化，加入氧化剂，室温搅拌反应72～96h；进行阴阳离子树脂交换除盐得氟碳掺杂PEDOT:PSS导电聚合物分散液。本发明采用低表面能的氟碳掺杂剂部分取代高表面能的PSS，利用氟碳掺杂剂降低PEDOT:PSS导电聚合物的表面能，同时利用PSS克服氟碳掺杂剂分散性不足的缺陷，从而成功制得低表面能氟碳掺杂PEDOT:PSS
一种表面能氟碳掺杂 pedot pss 分散制备方法

[发明专利]富勒烯掺杂的纳米结构及其方法-CN201180006895.4无效
发明人： A·维尔卡;M·C·勒姆克斯;Z·鲍 -专利权人：小利兰·斯坦福大学托管委员会
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：掺杂纳米结构以调节传导特性。根据各个示例性实施方式，用卤化富勒烯型掺杂剂材料掺杂诸如碳纳米管的纳米结构。在一些实施方式中，掺杂剂材料从溶液中沉积或者通过气相沉积，所述掺杂剂材料用于掺杂纳米管以增加所述纳米管的导热性和/或导电性。
富勒烯掺杂纳米结构及其方法

[发明专利]成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜-CN202180045862.4在审
发明人：桥上洋;渡部武纪;坂爪崇宽;川原村敏幸;邓太江;安冈龙哉 -专利权人：信越化学工业株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。
成膜用掺杂原料溶液制备方法层叠制造半导体

[发明专利]一种薄膜制备装置-CN200910300041.1无效
发明人：裴绍凯 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2009-01-05 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种薄膜制备系统包括前驱体溶液制备装置和薄膜沉积装置。所述前驱体溶液制备装置包括储液罐、汽化装置和吸收塔。所述储液罐和所述汽化装置均与所述吸收塔相连通。所述储液罐用于储存镀膜溶液并向吸收塔提供镀膜溶液。所述汽化装置用于汽化掺杂剂溶液并向吸收塔提供汽化后的掺杂剂溶液。所述吸收塔用于使镀膜溶液吸收汽化后的掺杂剂溶液从而得到前驱体溶液。所述薄膜沉积装置用于将前驱体溶液导至待镀膜的基板表面以形成薄膜。
一种薄膜制备装置

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