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- [发明专利]短波受激发射激光晶体-CN200510017134.5无效
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石春山;闫景辉
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石春山;闫景辉
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2005-09-14
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2006-04-26
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C30B29/12
- 本发明涉及一种短波受激发射激光晶体,属于信息功能材料领域中的激光晶体,在氟化镁钾基质中掺入激活剂三氟化铕后,三氟化铕中的三价铕离子全部转换成了二价铕离子并占据氟化镁钾中的一价钾离子;这些晶体包括二价铕离子激活的氟化镁钾晶体、二价铕离子激活的三价铈离子敏化的氟化镁钾晶体及二价铕离子激活的三价钆离子敏化的氟化镁钾晶体。三价铕离子的掺杂浓度x=0.002-0.0029,三价铈离子的掺杂浓度y=0.002-0.0029,三价钆离子掺杂浓度z=0.002-0.0029,其中x、y和z均为摩尔量。晶体受激发射波长为360nm;其净光学增益系数:掺铕的氟化镁钾晶体为每厘米11.4±3.2;双掺铕和铈的氟化镁钾晶体为每厘米14.5±6.5;双掺铕和钆的氟化镁钾晶体为每厘米20.2±3.6。
- 短波受激发射激光晶体
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