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[发明专利]接近传感器-CN201810393483.4在审
发明人：续木史郎;丰田直树 -专利权人：星电株式会社
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G01D5/24 文献下载
摘要：本发明涉及接近传感器。基于静电电容来感测物体的接近的接近传感器具备：电极部，由使用金属材料形成的筒状体构成，在筒状体的轴向一侧的端部具有连接端子；基板，具有根据连接端子的位置而形成的焊盘，在筒状体竖立设置的状态下将连接端子焊锡熔敷于焊盘；以及感测部，安装于基板，根据电极部中的静电电容的变化来感测物体的接近。
接近传感器连接端子筒状体静电电容电极部感测焊盘基板金属材料竖立设置感测部焊锡熔敷轴向

[发明专利]接近传感器-CN201810641904.0在审
发明人： A·李根斯托弗-海因姆里舍尔;R·博楚德;L·格尼鲁德 -专利权人：奥普托塞斯股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：检测物体接近的接近传感器，包括感测元件、电路板上的检测电路和具有邻接壳体后端的后部和邻接壳体前端的前部的壳体，感测元件布置在壳体的前部内使得其适于穿过前部与物体相互作用，检测电路与感测元件相互连接以便从感测元件接收检测信号为了使传感器沿着其长度伸展方向具有更好的灵活性，本发明提出了电路板包括在相对于纵向方向的横切方向上延伸的至少一个可弯曲部，侧壁在围绕电路板的可弯曲部的区域中基本由至少一种柔性材料构成使得传感器穿过所述横切方向弯曲
壳体电路板感测元件侧壁前部接近传感器检测电路可弯曲部邻接传感器横切长度伸展方向穿过接收检测柔性材料物体接近延伸围住检测

[发明专利]接近传感器-CN201811266480.0在审
发明人：崔洪桅 -专利权人：宜科（天津）电子有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种接近传感器，包括：四芯线、密封塞以及后塞、LED小PCBA、主板PCBA、弹簧、磁芯支架、磁芯、线圈骨架、金属管壳，通过线圈骨架、磁芯、磁芯支架之间的配合连接，避免了磁芯与线圈接触带电，磁芯再于金属管壳接触带电，造成产品不良的问题，主板PCBA与线圈骨架、磁芯、磁芯支架通过弹簧的弹性连接，即吸收了公差，也使磁芯与感应面贴紧，提高测量精度；电位器可外调节设计，可避免产品因一些不可控因素使产品精度下降造成产品不良，通过电位器的调节使产品回复正常使用，产品组装后一次灌胶方式设计，提高了生产效率，也提高了产品的稳定性。
磁芯磁芯支架线圈骨架接近传感器金属管壳电位器带电弹簧主板产品组装弹性连接方式设计配合连接生产效率线圈接触公差感应面密封塞四芯线灌胶后塞贴紧回复测量吸收

[发明专利]接近传感器-CN201910149020.8在审
发明人： A·凯克斯;P·舒勒;T·赫尔曼 -专利权人：欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H03K17/955 文献下载
摘要：本发明涉及接近传感器。提供一种具有装饰面的电子接近传感器，其特征在于，所述装饰面包括半导体层，所述半导体层的厚度在10nm‑100nm之间。通过所述涂层向接近传感器赋予所期望的金属外观，而不会失去其作为接近传感器的特性。
接近传感器半导体层金属外观装饰面期望赋予

[发明专利]接近传感器-CN201811345645.3在审
发明人：冈本卓也;中山祐辅;土田裕之 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G01D5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种可减少周期性噪声的影响的接近传感器。本发明的一实施例的接近传感器(100)是利用磁场对检测体(200)进行检测，接近传感器(100)包括：检测线圈(11)，产生磁场；励磁电路(20)，朝检测线圈(11)中反复供给脉冲状的励磁电流；检测电路
接近传感器检测线圈励磁电流励磁电路检测体磁场周期性噪声方式控制非周期性检测电路控制电路脉冲状检测时机

[发明专利]接近传感器-CN201910733673.0在审
发明人：上平祥嗣 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：本发明涉及一种接近传感器。接近传感器(100)具有：发光部(110)(例如，垂直腔面发射激光器)，对检测对象照射光；第1受光部(120)，具有第1串扰特性并检测来自第1检测范围内(例如，0～5cm左右)存在的检测对象的外部反射光
接近传感器

[发明专利]接近传感器-CN201980073442.X在审
发明人：广野大辅;木村胜治;浦野雄贵 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H03H19/00 文献下载
摘要：提供了能够检测两个线圈之间的距离的接近传感器。接近传感器配备有参考信号生成电路单元、第一线圈、第二线圈、时钟信号生成电路单元和开关电容器电路单元。在该接近传感器中，参考信号生成电路单元向第一线圈施加第一AC电压，并且将与第一AC电压同步的参考信号传输至时钟信号生成电路单元，与第一线圈磁场耦合的第二线圈生成第二AC电压，第二AC电压与第一线圈和第二线圈的耦合系数相关
接近传感器

[发明专利]接近传感器-CN202080019898.0在审
发明人：后勇树;井上大辅;中山祐辅;桂浩人 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01H36/00 文献下载
摘要：本发明提供一种接近传感器，可抑制耐受电压下降。接近传感器1包括：框体10；线圈部，收容于框体10的一端部；夹具20，连接于框体10的另一端部；基板30，收容于框体10及夹具20的内部，且搭载有电连接于线圈部的电路；屏蔽件45，覆盖基板30中位于框体
接近传感器

[发明专利]接近传感器-CN202180084336.9在审
发明人：维贾伊·亚德吉里·埃莱;桑迪普·韦内卡;迪内希·库鲁甘蒂;拉迪卡·科德 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01S17/04 文献下载
摘要：公开了一种接近感测设备(100)，其包括：辐射发射器(104)，其发射红外、IR、光；辐射传感器(106)，其被配置成感测来自辐射发射器(104)的反射辐射；存储器(110)，其用于存储多个环境辐射水平范围和映射到所述多个环境辐射水平范围的多个系数；以及处理电路系统，其被配置成通过从来自辐射传感器例如来自环境水平传感器ALS(108)的输出中减去以下述任一者按比例改变的所测量的环境辐射水平来针对串扰对所述输出进行补偿：从所述多个系数中选择的系数；一种接近感测校准方法，其用于确定在针对串扰对来自辐射传感器(106)的输出进行补偿时使用的多个系数，该方法包括：接收来自辐射传感器(106)的多个输出，其中，该辐射传感器被配置成感测来自辐射发射器(104)的反射辐射；从环境水平传感器(108)接收多个环境辐射水平，所述多个环境辐射水平中的每个环境辐射水平在基本上与测量所述多个输出中的每个输出的时间对应的时间处进行测量；以及确定所述多个输出与对应的所述多个环境辐射水平之间的关系并且基于该关系导出多个系数
接近传感器

[发明专利]接近传感器-CN201680061552.0有效
发明人：汉斯·若尔根·邦;斯泰尔·A·斯克斯塔德 -专利权人：椭圆实验室股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G06F3/043 文献下载
摘要：本申请公开了一种电子装置202，包括超声波接近传感器布置，该超声波接近传感器布置包括从装置的前表面208凹进的超声波发射器4和超声波接收器6。屏障218在发射器和接收器之间在装置的前表面的方向上延伸。该超声波接近传感器布置被布置为基于由超声波接收器接收的信号214来确定对象16到所述前表面的接近度，其中所接收的信号为来自所述对象的从超声波发射器发射的信号的反射。
接近传感器

[发明专利]接近传感器-CN201810043373.5有效
发明人：安内特·丽根斯托弗·亨丽策;罗兰德·博楚德;劳任特·江尼劳得 -专利权人：奥普托塞斯股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测物体接近度的接近传感器，所述传感器包括感测元件(11)、检测电路(65)和壳体(5)，所述感测元件(11)设置在所述壳体(5)的前部(21)中，使其可以适于通过所述前部(21)和所述检测电路与物体相互作用，所述前部和所述检测电路与所述感测元件(11)相互连接，以便接收来自所述感测元件(11)的检测信号，为使所述传感器沿其长度延伸方向上达到更好的灵活性，本发明提出所述壳体(5)包括多个区段(41、42、43本发明提供的接近传感器在其长度延伸方向的灵活性增加。
感测元件壳体接近传感器检测电路前部长度延伸传感器检测信号连续设置物体接近检测

[发明专利]接近传感器-CN201310514177.9有效
发明人： P·海姆利希尔 -专利权人：奥普托塞斯股份有限公司
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种接近传感器，其具有用于产生磁场的线圈（15）和用于检测由外部物体引起的磁场变化的传感器电路（62），传感器电路（62）包括至少一个半导体部件（36、37、67、69、70及71），所述至少一个半导体部件安装在电路板为了改善接近传感器对有害外部影响（例如高温）的抵抗力和延长其寿命周期，本发明建议在密封的并且固定在电路板（17）的表面（18、19）上的包罩（20）中包括半导体部件（36、37、67、69、70及71）
接近传感器

[发明专利]接近传感器-CN201711141212.1有效
发明人：长谷川亮太;三田贵章 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H03K17/945 文献下载
摘要：本发明提供一种接近传感器。在接近传感器中，使用单个发光元件来高亮度地确保从全方向的可见性。接近传感器(1)具备：基板(14)，形成有控制部(20)，且所述基板的法线方向垂直于线圈部(13)的轴向；发光元件(15)，在基板上沿轴向发光；光扩散部(16a)，使发出的光朝轴向以外的方向扩散；以及导光部因此，在接近传感器中，可使用单个发光元件来高亮度地确保从全方向的可见性。
接近传感器

[发明专利]接近传感器-CN201711369918.3有效
发明人：桂浩人;后勇树;三田贵章 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G01V3/11 文献下载
摘要：本发明提供一种接近传感器，可抑制在对框体的内部进行密封的树脂密封部中产生空隙，由此可实现良率的提升。接近传感器(1)包括框体、探测线圈、电路基板(30)、以及树脂密封部。
电路基板框体树脂密封部接近传感器树脂注入口密封收纳分隔框体开口形状切口形状探测线圈液状树脂对向覆盖良率填充切除硬化

[发明专利]接近传感器-CN200810214307.6有效
发明人：西出治宝 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可提高检测精度的接近传感器。就本接近传感器(20)而言，其通过磁场检测元件(26)来检测其与具有磁铁或其它磁体的被检测部件(8)的接近程度，并且，其上设置有以弹力的形式对磁场检测元件(26)沿着朝向检测面(26a)的方向加载力的弹性部件
接近传感器

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