专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示面板和显示装置-CN202210569916.3在审
  • 金相佑;辛昊植;朱惠珍 - 三星显示有限公司
  • 2022-05-24 - 2023-02-17 - H10K59/12
  • 该显示面板包括:显示区域,包括中心区域和布置在显示面板的拐角处的拐角区域,其中多个像素被布置在拐角区域中;以及布置在显示区域外部的非显示区域拐角区域包括:包括各自在远离中心区域的方向上延伸并且至少部分地彼此分离的多个延伸区域的中心拐角区域;与中心拐角区域邻近的第一邻近拐角区域以及与第一邻近拐角区域间隔开的第二邻近拐角区域,中心拐角区域在第一邻近拐角区域和第二邻近拐角区域之间,并且非显示区域包括:从第一邻近拐角区域延伸到第二邻近拐角区域以至少部分地围绕中心拐角区域的旁路区域
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]显示面板和显示装置-CN202111036832.5在审
  • 李柔辰;朴喜真;田武经 - 三星显示有限公司
  • 2021-09-06 - 2022-03-08 - H01L27/32
  • 该显示面板包括:基板,包括第一显示区域、第一侧显示区域、第二侧显示区域拐角显示区域拐角显示区域布置在第一侧显示区域与第二侧显示区域之间,并且围绕第一显示区域的至少一部分;在第一显示区域中在第一方向上延伸的第一布线;在第一显示区域中在第二方向上延伸的第二布线;布置在拐角显示区域中并且连接到第一布线的第一拐角布线;布置在拐角显示区域中并且连接到第二布线的第二拐角布线;以及布置在拐角显示区域中的像素电路,其中第一拐角布线和第二拐角布线在拐角显示区域中在第一延伸方向上延伸
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]电化学装置及包含该电化学装置的电子装置-CN202210544829.2在审
  • 关晓静 - 宁德新能源科技有限公司
  • 2022-05-17 - 2022-07-29 - H01M10/0587
  • 本申请提供了一种电化学装置及电子装置,其中,电化学装置通过在正极拐角区域设置有更高克容量的第二正极材料,正极拐角区域的厚度TP2小于正极平直区的厚度TP1;和/或在负极拐角区域设置有更高克容量的第二负极材料,负极拐角区域的厚度TN2小于负极平直区的厚度TN1通过正极拐角区域和/或负极拐角区域预留一定的间隙,电化学装置在充放电循环过程中,正极极片和/或负极极片有足够的空间膨胀,从而降低了正极拐角区域和/或负极拐角区域由于膨胀而发生挤压变形的风险。由此,改善了正极拐角区域和/或负极拐角区域的紫斑和析锂的界面问题,提升了电化学装置的安全性能。
  • 电化学装置包含电子
  • [发明专利]显示基板、显示装置-CN202211582379.2在审
  • 蔡文哲;王琦伟;何帆;颜俊;仝可蒙;董向丹 - 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-03-21 - H10K59/131
  • 一种显示基板、显示装置,显示基板包括:显示区域以及位于显示区域周围的边框区域,显示区域包括至少一个拐角区域,边框区域包括至少一个拐角区域,显示区域的至少一个拐角区域和边框区域的至少一个拐角区域对应;位于显示区域的多个子像素和多条数据线,多个子像素中的至少部分子像素位于显示区域的至少一个拐角区域,且呈阶梯状排布,多条数据线包括多条第一数据线,多条第一数据线与位于显示区域的至少一个拐角区域至少部分子像素电连接,被配置为向至少部分子像素提供数据信号;位于边框区域的至少一个拐角区域的多个第一静电释放电路,多个第一静电释放电路分别与多条第一数据线电连接,被配置为释放多条第一数据线中的静电。
  • 显示显示装置
  • [发明专利]显示设备-CN202010284690.3在审
  • 李承珉;金兑眩;沈栋焕;池善范 - 三星显示有限公司
  • 2020-04-13 - 2020-10-23 - H01L27/32
  • 公开了显示设备,该显示设备包括前部显示区域、第一侧部显示区域、第二侧部显示区域拐角显示区域、显示面板和光引导构件。第一侧部显示区域从前部显示区域的第一侧延伸。第二侧部显示区域从前部显示区域的第二侧延伸。拐角显示区域设置在第一侧部显示区域与第二侧部显示区域之间。显示面板与前部显示区域重叠并且不与拐角显示区域重叠。光引导构件至少与拐角显示区域重叠。
  • 显示设备
  • [发明专利]一种框架锻件拐角成形方法-CN201410628381.8在审
  • 吴会萍;邰清安;邹建波;王丹;邱磊 - 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司
  • 2014-11-10 - 2015-04-22 - B21J5/00
  • 本发明涉及一种锻件成形方法,具体涉及一种框架锻件拐角成形方法。本发明的技术方案为:该方法包括如下步骤:(1)计算环形毛坯分配比例;(2)将环形毛坯按所述分配比例进行划分,并标记出每个拐角区域;(3)以其中一个拐角区域为基准,利用自由锻进行马棒扩孔将该拐角区域的两边拔长;依次将其它拐角区域的两边都拔长后,制成框架锻件雏形;(4)将每个拐角区域在专用模具上进行压弯扣角,制成框架锻件拐角;(5)将带有拐角的框架锻件雏形放到型槽中进行锻造成形。本发明提供的框架锻件拐角成形方法,能够精确制造框架锻件的拐角部位,能够精确控制框架锻件外形尺寸,因而减小框架锻件加工余量并提高框架锻件精度。
  • 一种框架锻件拐角成形方法
  • [发明专利]单光子探测器及制备方法-CN202011101934.6有效
  • 张伟君;熊佳敏;尤立星;王镇;谢晓明 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-10-15 - 2022-06-24 - G01J1/44
  • 本发明提供一种单光子探测器及制备方法,包括:衬底及形成于所述衬底上的超导线,所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部;其中,所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度),从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”,但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平,拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈,从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的
  • 光子探测器制备方法
  • [发明专利]显示面板和显示装置-CN202310215400.3在审
  • 朴埈亨;金炅民;徐智娫 - 三星显示有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-09-12 - H10K50/844
  • 所述显示面板包括:基底,包括中心区域拐角区域和中间区域,所述拐角区域包括在远离所述中心区域的方向上延伸的延伸区域,所述中间区域设置在所述中心区域和所述拐角区域之间;第一凹槽,在平面图中,限定在所述拐角区域中并且具有闭合曲线形状,在平面图中,所述第一凹槽的至少一部分沿着所述中心区域的周边限定;以及第二凹槽,在平面图中,沿着所述中心区域的所述周边限定在所述中间区域中,并且具有闭合曲线形状。
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]一种掩膜板及OLED面板的制备方法-CN201910290791.9有效
  • 李文杰 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-04-11 - 2022-08-05 - G03F1/00
  • 本发明公开了一种掩膜板及OLED面板的制备方法,掩膜板用以去除像素单元的多余光阻,像素单元具有一主体区域和连接于主体区域拐角区域;所述掩膜板包括漏光区和遮光区,去除像素单元的多余光阻时,主体区域被所述遮光区完全挡述,拐角区域裸露于漏光区中。本发明的有益效果在于提供一种掩膜板及OLED面板的制备方法在掩膜板上设置与像素单元主体区域宽度相等的遮光区,和与所述遮光区间隔设置的漏光区,所述遮光区对应所述主体区域,像素单元的其余部分如拐角区域全部裸露于漏光区中,在紫外光照射下,所述拐角区域的光阻被紫外光照射分解,提高所述拐角区域墨水的铺展性,提高OLED面板的性能。
  • 一种掩膜板oled面板制备方法
  • [发明专利]显示面板和包括该显示面板的显示装置-CN202110967015.5在审
  • 方琪皓;金恩惠;郑银爱;崔原硕 - 三星显示有限公司
  • 2021-08-23 - 2022-03-01 - H01L27/32
  • 该显示面板包括:位于显示区域中的多个像素;位于显示区域中并且沿第一方向延伸的多条数据线;位于显示区域中并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多条扫描线;以及位于与显示区域邻近的外围区域中并且被配置为将扫描信号提供到扫描线的扫描驱动器,其中外围区域包括与显示区域拐角邻近的拐角区域以及与拐角区域邻近并且从外围区域的一侧凹进以形成凹口的凹口区域,其中显示区域拐角区域的外边缘之间的距离大于显示区域与凹口区域的外边缘之间的距离。
  • 显示面板包括显示装置
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010784644.X在审
  • 朱柄宇;洪海涵;卢经文 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-08-06 - 2022-02-18 - H01L21/8234
  • 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法,半导体结构的制作方法包括:提供衬底,所述衬底包括有源区和位于相邻所述有源区之间的隔离区,所述有源区包括与所述隔离区邻接的拐角区域;进行掺杂工艺,向所述拐角区域内注入掺杂离子,所述掺杂离子用于减缓所述拐角区域的氧化速率;在进行所述掺杂工艺之后,对所述衬底进行去除工艺,所述去除工艺可去除氧化后的所述衬底,在进行所述去除工艺的过程中,所述隔离区内的结构暴露所述拐角区域侧壁。本发明有利于保持有源区拐角区域的结构完整性。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [实用新型]电化学储能装置-CN201721042204.7有效
  • 江桦锐;陈宝华;方宏新;王衍宾;李耿;李龙庆 - 宁德时代新能源科技股份有限公司
  • 2017-08-18 - 2018-03-16 - H01M2/02
  • 壳体具有两个长内壁面;两个短内壁面;一个内底壁面,各短内壁面与内底壁面之间形成短边拐角,短边拐角形成短边拐角区域;各长内壁面与内底壁面之间形成长边拐角,长边拐角形成长边拐角区域;电芯设置于壳体内,具有第一极片,以多层设置;第二极片,与第一极片电极性相反,以多层设置;隔离膜,以多层设置;其中,第一极片和第二极片的沿高度方向投影到短边拐角区域内的层沿高度方向与短边拐角间隔开;第一极片和第二极片的沿高度方向投影到长边拐角区域内的层沿高度方向与长边拐角间隔开,有效地避免了壳体的短边拐角和长边拐角对电芯的第一极片和第二极片的挤压。
  • 电化学装置

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