专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低腐蚀的氧化电位杀菌溶液及其制备方法-CN201310215491.7在审
  • 邵鹏飞 - 邵鹏飞
  • 2013-05-31 - 2013-09-25 - A01N59/00
  • 本发明涉及杀菌消毒领域,特别涉及一种低腐蚀的氧化电位杀菌溶液及其制备方法。本发明的低腐蚀的氧化电位杀菌溶液的制备方法,包括以下步骤:(1)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元;(2)提供pH值调节单元;(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合,得到氧化性溶液,所述氧化性溶液的pH值在2-8间,其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其电导率不高于120S/m。与现有的酸性氧化电位杀菌溶液相比,本发明的氧化电位杀菌溶液可降低对金属的腐蚀,从而扩大了应用范围。
  • 一种腐蚀性氧化电位杀菌溶液及其制备方法
  • [发明专利]一种低腐蚀的酸性氧化电位杀菌水及其制备方法-CN201210362002.6在审
  • 邵鹏飞 - 邵鹏飞
  • 2012-09-21 - 2013-03-13 - C02F1/46
  • 本发明涉及杀菌消毒领域,特别涉及一种低腐蚀的酸性氧化电位杀菌水及其制备方法。本发明的低腐蚀的酸性氧化电位杀菌水的制备方法,包括以下步骤:(1)提供可以产生氢离子的A单元;(2)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的B单元;(3)将所述A单元与所述B单元混合,得到酸性氧化性溶液,所述酸性氧化性溶液的pH值在2-7间,其氧化还原电位不低于700mV,其有效氯含量不低于3mg/L,其每一种腐蚀金属离子的含量不高于0.02mol/L,所述腐蚀金属离子能与单质铝发生置换反应。与已有的化学法配置的酸性氧化电位杀菌水相比,本发明的酸性氧化电位杀菌水可降低或者控制对金属的腐蚀,从而扩大了应用范围。
  • 一种腐蚀性酸性氧化电位杀菌及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件的清洗方法-CN202210517412.7在审
  • 徐正弘 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-05-12 - 2022-08-30 - H01L21/02
  • 本公开涉及半导体技术领域,特别涉及半导体器件的清洗方法,其中,采用腐蚀溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件;采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀溶液清洗后的半导体器件,以去除腐蚀溶液的残留部分并且,通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力,更容易在深宽比结构的表面铺展,更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀溶液。以及,第一水溶性有机溶剂可溶于水,在第一水溶性有机溶剂与腐蚀溶液接触后,可以带走腐蚀溶液中的部分水分,从而抑制腐蚀溶液中的离子解离,避免腐蚀溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏
  • 半导体器件清洗方法

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