专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种导电、屏蔽、散热复合材料-CN202110037453.1在审
  • 杨茂洲;钟卫;殷承秋 - 深圳市鑫诺诚科技有限公司
  • 2021-01-12 - 2021-06-01 - H05K1/02
  • 本发明涉及一种导电、屏蔽、散热复合材料,包括有第一超薄电解铜箔、第一导电胶膜、人工石墨、第二导电胶膜与第二超薄电解铜箔,所述第一超薄电解铜箔与第一导电胶膜底端固定粘接,且第一导电胶膜与人工石墨底端固定粘接本发明通过该复合结构为上下两层超薄电解铜箔,使用导电胶膜100%粘合后,中间层局部覆合人工石墨,底部覆合导电胶膜,中间为局部覆合石墨确保维持铜箔原始极佳导电性能,同时具有更好的散热和屏蔽信号的功能,改变以往复合材料影响铜箔导电速度
  • 一种导电屏蔽散热复合材料
  • [发明专利]一种复合材料及其制备方法-CN201910998814.1在审
  • 叶炜浩;邹文鑫 - TCL集团股份有限公司
  • 2019-10-21 - 2021-05-07 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种复合材料及其制备方法,其中包括硅纳米线、包覆在所述硅纳米线表面的金属氧化物层,以及包覆在所述金属氧化物层表面的第一硅量子点层。本发明中,所述金属氧化物层可以有效地钝化硅纳米线与第一硅量子点层之间的界面缺陷以及第一硅量子点表面的悬空键,避免电子在界面缺陷处以及第一硅量子点表面进行非辐射复合发生淬灭;此外,由于金属氧化物自身显负电性的性质,可以在金属氧化物周围空间形成局域静电场,阻止注入电子直接被硅纳米线缺陷俘获,同时,吸引正极空穴注入到第一硅量子点层中,从而提高电子与空穴结合的几率,提高所述第一硅量子点层的发光强度,从而提升复合材料的电致发光性能
  • 一种复合材料及其制备方法

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