专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光纤阵列连接器及制造表面透镜的方法-CN202110880830.8在审
  • 陈勋;杜江兵;沈微宏;赵鹏九;何祖源 - 中兴通讯股份有限公司;上海交通大学
  • 2021-08-02 - 2023-02-10 - G02B6/26
  • 本发明公开了一种光纤阵列连接器及制造表面透镜的方法,光纤阵列连接器包括基板、光纤和盖板,基板设置有若干个凹槽;光纤放置在凹槽中;光纤的端面设置为倾斜的光学平面;盖板对应光纤的端面的出光区域设置有用于汇聚光线的表面透镜;光线在光纤内部传导至端面时,倾斜的光学平面使得光线发生反射后朝向盖板传播,光线在盖板中因传播会发散,当传播至盖板上的对应光纤的端面的出光区域时,由于设置有表面透镜,表面透镜会使得从该区域出射的光线产生汇聚作用,从而可以调制因传播而变形的模场,以匹配接收光纤模场,提高耦合效率;表面透镜设置在盖板上,无需对光纤阵列进行重新设计,可以简化生产制造流程,降低成本。
  • 光纤阵列连接器制造表面透镜方法
  • [发明专利]一种浅结均匀性的改善方法-CN201210544419.4在审
  • 李超波;邹志超;窦伟 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-12-14 - 2014-06-18 - H01L21/18
  • 本发明公开了一种浅结均匀性的改善方法,包含:将硅基片的表面进行预非晶化;从被预非晶化的表面对所述硅基片进行离子注入,得到P型硅基片或N型硅基片;修复所述硅基片表面由于所述预非晶化造成的晶格损伤。本发明提供的浅结均匀性的改善方法,与直接用掺杂离子进行注入相比,预先用氦离子对硅基片的表面进行离子注入,破坏硅基片表面晶格结构以达到预非晶化,然后再进行所需要的离子注入,最后进行退火处理恢复被破坏的表面晶格,形成浅结,故本发明可有效提高离子注入后,硅基片的注入离子剂量的均匀性,从而提高后续在硅基片上制备MOS器件的电学性能。
  • 一种超浅结均匀改善方法
  • [发明专利]磁致伸缩材料振动器-CN201610483037.3有效
  • 喻曹丰;冒鹏飞;何涛;魏本柱;马丁;邓月飞;钟长鸣 - 安徽理工大学
  • 2016-06-24 - 2017-08-29 - H02N2/00
  • 本发明公开了磁致伸缩材料振动器,包括中心套筒、驱动线圈、上配重块、上超磁致伸缩薄膜、基片、下磁致伸缩薄膜、下配重块、偏置线圈和电源,其特征在于所述的基片上端、下端分别粘贴有上超磁致伸缩薄膜、下磁致伸缩薄膜,上超磁致伸缩薄膜上端粘贴有上配重块,驱动线圈位于上配重块的上端,下磁致伸缩薄膜下端粘贴有下配重块,偏置线圈位于下配重块的下端,中心套筒从上往下依次穿过驱动线圈、上配重块、上超磁致伸缩薄膜、基片、下磁致伸缩薄膜、下配重块和偏置线圈,中心套筒与驱动线圈、基片、偏置线圈均为固定连接。本发明采用稀土磁致伸缩材料为振动元件,具有振幅大、响应快、结构简单、实用性强的特点。
  • 超磁致伸缩材料振动器
  • [发明专利]一种具有低损耗的零折射率材料及设计方法-CN201910724822.7有效
  • 梁久久;李杨 - 清华大学
  • 2019-08-07 - 2020-07-31 - G02B1/00
  • 本发明提出了一种具有低损耗的零折射率材料及设计方法。所述零折射率材料包括多个呈周期性排列的二维晶体单元,各晶体单元中第一介质柱的高度满足光子束缚态条件,使所述零折射率材料布里渊区中心的磁偶极子品质因数最高,此时所述零折射率材料的损耗最低。本设计方法包括:建立用于模拟所述材料的光子晶体模型;保持所有晶体单元的高度不变,调节其周期和沿x、y方向的结构参数,得到满足零折射率的光子晶体模型;建立晶体单元中第一介质柱高度和光子晶体模型的本征模式品质因数之间的关系本发明使得零折射率材料的大规模商用成为可能。
  • 一种具有损耗折射率材料设计方法
  • [发明专利]一种碳纳米管疏水涂层的制备方法-CN201610983772.0有效
  • 张友法;张静;余新泉 - 东南大学
  • 2016-11-09 - 2019-09-03 - C09D1/00
  • 本发明涉及一种碳纳米管疏水涂层的制备方法。基片用酸洗除去表面氧化物后,依次用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗15min,去除表面的油污和粉尘,冷风吹干待用。将含有羟基的壁碳纳米管超声分散在异丙醇溶液中,逐滴加入氨水和去离子水,待溶液搅拌均匀后加入正硅酸四乙酯,反应一段时间后滴加氟硅烷溶液,继续搅拌,最后获得碳纳米管疏水涂层溶液。将上述疏水涂层溶液中,喷涂在基片上,烘干后获得碳纳米管疏水涂层。这种低粘附性的疏水涂层具有自清洁、抗污染、抗凝露、抗结霜的特性。
  • 一种纳米疏水涂层制备方法
  • [发明专利]以双轴织MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法-CN200510021154.X无效
  • 魏贤华;李言荣;朱俊;张鹰 - 电子科技大学
  • 2005-06-24 - 2006-03-01 - H01L21/31
  • 以双轴织MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法,涉及微电子材料领域,特别涉及铁电薄膜与半导体集成中界面控制和生长取向的薄膜制备方法。采用本发明方法制备的BaTiO3薄膜能够达到单一取向,表面均匀,界面扩散得到有效控制,具体的,本发明包括:在真空环境下,加热基片,然后用激光剥离MgO,使MgO等离子体在Si基片上沉积,得到MgO缓冲层;再用激光剥离BTO,使BTO在Si基片上生长,得到BTO薄膜。本发明制备的MgO缓冲层为双轴织,具有很高的热力学稳定性,三个原胞厚的MgO能阻止界面的扩散;在双轴织的MgO缓冲层上制备的BTO薄膜为单一的c轴取向,表面平整,在结构上能满足铁电存储器、光学器件的设计
  • 双轴织构mgo缓冲单一取向薄膜制备方法

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