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[发明专利]碳化硅陶瓷分离及其制备方法-CN201911079133.1在审
发明人：席红安;赵俊亮;麦保祥;卢庆贤 -专利权人：佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅陶瓷分离膜，所述分离膜包括多孔氧化物陶瓷基体及碳化硅膜，所述碳化硅膜设置在所述多孔氧化物陶瓷基体的表面，且所述碳化硅膜为开口多孔结构，所述多孔氧化物陶瓷基体为平板式多孔陶瓷或碟式多孔陶瓷本发明所述的碳化硅陶瓷分离膜是通过物理气相沉积工艺在多孔氧化物陶瓷基体的表面沉积碳化硅膜层，得到预制碳化硅陶瓷分离膜件，然后将预制碳化硅陶瓷分离膜件在真空或惰性气氛气氛下进行高温处理，最终制得所述碳化硅陶瓷分离膜，本发明中所述碳化硅陶瓷分离膜上的碳化硅膜与多孔氧化物陶瓷基体的结合力强，且碳化硅膜层的硬度高，所述制备方法简单，易于推广。
碳化硅陶瓷分离及其制备方法

[发明专利]一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法-CN201610114077.0有效
发明人：李红霞;王刚;袁波;于建宾;陈阔;韩建燊;董宾宾 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于多孔陶瓷材料的制备领域，具体涉及一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法。提出的一种梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷的制备方法=采用碳化硅多孔陶瓷作为基体，在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，包括有碳化硅多孔陶瓷的预处理、硅浆的制备、硅浆在碳化硅多孔陶瓷表面的涂覆和气氛烧结四个过程。本发明通过在碳化硅多孔陶瓷的表面涂覆一层孔径小于碳化硅多孔陶瓷孔径的纳米级氮化硅晶须，形成由内向外孔径逐渐变大的梯度孔结构碳化硅基多孔陶瓷，在不降低过滤元件使用性能的前提下提高其耐用性。
一种梯度结构碳化硅基多陶瓷制备方法

[发明专利]一种孔梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备方法-CN201110252396.5无效
发明人：于晓东;王扬卫;王富耻;马壮;谭成文 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种孔梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备技术，属于多孔陶瓷材料制备技术领域。包括聚碳硅烷和碳化硅粉体，以碳化硅粉体的总质量为100份计算，聚碳硅烷含量为2～10份；还可以包括碳粉，加入的碳粉的含量为5～15份；碳化硅粉体且由细碳化硅粉体、粗碳化硅粉体或细碳化硅粉体和粗碳化硅粉体的混合物组成本发明可以在低温下制备出孔梯度碳化硅多孔陶瓷；可以制备出各种形状的多孔陶瓷；陶瓷先驱体具有较高的陶瓷产率；所制备的孔梯度碳化硅多孔陶瓷具有可控的三维连通孔，且孔分布具有可设计性；可以制备尺寸较大的孔梯度碳化硅多孔陶瓷
一种梯度碳化硅多孔陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法-CN201310229375.0无效
发明人：叶枫;刘强;刘仕超;杨海霞;侯赵平 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，本发明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、比表面积低的技术问题。该多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉体、烧结助剂、去离子水、分散剂、粘结剂和消泡剂制备；方法：一、制备浆料；二、制备多孔碳化硅陶瓷生坯；三、制备预氧化多孔碳化硅陶瓷坯体；四、制备钡长石原位结合的多孔碳化硅陶瓷；五本发明制备的多孔陶瓷孔隙率可达20vol%-82vol%，孔径为0.1-300μm；气孔率为48v0l%时，抗弯强度可达63MPa；孔壁中原位生成长棒状碳化硅晶粒。本发明用于制备具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷。
一种具有新型结构多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法-CN201410410783.0有效
发明人：徐慢;曹宏;石和彬;陈常连;沈凡;季家友;王树林;薛俊;安子博;赵静 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：1)多孔碳化硅素胚的比例设计；2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型；3)多孔碳化硅陶瓷的烧制，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷本发明的有益效果在于：通过组成比例设计，即控制碳化硅、金属硅粉、有机粘接剂的比例，使反应产物主要为碳化硅；此外，控制三者混合后的密度，可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制，可制备出孔隙在40％-80％之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品
一种孔隙率可控多孔碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种铝碳化硅复合散热结构-CN201510353740.8在审
发明人：司红康;刘淮祥 -专利权人：刘淮祥
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供一种铝碳化硅复合散热结构，包括多孔碳化硅陶瓷片和金属铝，所述多孔碳化硅陶瓷片的一表面接触热源，并在所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔被金属铝填充；远离所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔未被金属铝填充所述；被金属铝填充的多孔碳化硅陶瓷片部分的厚度是整个多孔碳化硅陶瓷片厚度的1/5-1/3，本发明的铝碳化硅复合散热结构具有优异的散热综合性能。
一种碳化硅复合散热结构

[实用新型]一种铝碳化硅复合散热结构-CN201520439221.9有效
发明人：刘淮祥 -专利权人：刘淮祥
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铝碳化硅复合散热结构，包括多孔碳化硅陶瓷片和金属铝，所述多孔碳化硅陶瓷片的一表面接触热源，并在所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔被金属铝填充；远离所述接触热源的表面一侧，所述多孔碳化硅陶瓷片的孔未被金属铝填充所述；被金属铝填充的多孔碳化硅陶瓷片部分的厚度是整个多孔碳化硅陶瓷片厚度的1/5-1/3，本实用新型的铝碳化硅复合散热结构具有优异的散热综合性能。
一种碳化硅复合散热结构

[发明专利]多孔碳化硅陶瓷及其制备方法-CN202011492478.2有效
发明人：刘国彬 -专利权人：深圳市德澳美科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/577 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅陶瓷领域，具体公开了一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。该多孔碳化硅陶瓷包括以下重量份数的组分：碳化硅微粉80~100份、烧结助剂2~10份、造孔剂1~5份、交联剂1~5份、分散剂3~6份、去离子水45~55份，造孔剂为粒径是1~30μm秸秆微粉；其制备方法为：将碳化硅微粉、烧结助剂、交联剂、分散剂、去离子水混合并进行搅拌，然后加入造孔剂和催渗剂并于真空条件下搅拌得到碳化硅陶瓷浆料；对碳化硅陶瓷浆料进行真空抽滤后放入模具中烘烤得到多孔碳化硅陶瓷素坯，将多孔碳化硅陶瓷素坯在氩气气氛下进行烧结，得到多孔碳化硅陶瓷。本申请制得的多孔碳化硅陶瓷环保性好、成本低，孔隙率大且性能优异。
多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种孔径可控的微米孔径碳化硅多孔陶瓷及其制备方法-CN202211046002.5有效
发明人：陈常连;陈松;孙文岳;胡朴;黄志良 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种孔径可控的微米孔径碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。首先，进行原料配方的设计，根据碳化硅多孔陶瓷的目标孔径，确定原料中各组分的质量百分含量；其次，按照设计的原料配方，将原料制成碳化硅多孔陶瓷生坯；最后，将碳化硅多孔陶瓷生坯置于惰性气氛中进行烧成，得到碳化硅多孔陶瓷本发明能够对微米孔径碳化硅多孔陶瓷的孔径进行精准调控，制备出1‑10μm范围内目标孔径的纯重结晶碳化硅多孔陶瓷，在柴油车尾气过滤、工业废气处理、烟气过滤和节能环保等基体材料领域有广泛的应用前景。
一种孔径可控微米碳化硅多孔陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种基于碳化硅的多孔泡沫陶瓷过滤网-CN202020015419.5有效
发明人：马北越;魏新崇;尹国学 -专利权人：东北大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B01D24/02 文献下载
摘要：本实用新型属于碳化硅多孔泡沫陶瓷技术领域，公开了一种基于碳化硅的多孔泡沫陶瓷过滤网，包括第一碳化硅多孔泡沫陶瓷、连接器和推动杆，所述连接器的左侧下端设置有推动杆，且推动杆的上侧连接有固定块，且固定块的上端安装有活动块，所述连接器上设置有卡块，所述连接器的右侧设置有第一碳化硅多孔泡沫陶瓷，且第一碳化硅多孔泡沫陶瓷的上端设置有第二碳化硅多孔泡沫陶瓷，所述推动杆的外侧设置有旋转环，且旋转环上开设有滑槽，所述推动杆上开设有限位槽本实用新型结构简单，通过在卡块上设置橡胶涂层，可以增大与第一碳化硅多孔泡沫陶瓷和第二碳化硅多孔泡沫陶瓷之间的摩擦力，进而使两个碳化硅多孔泡沫陶瓷在卡块上进行固定。
一种基于碳化硅多孔泡沫陶瓷过滤网

[发明专利]用于排胶脂的多孔碳化硅陶瓷工装及其制备方法-CN201911389403.9在审
发明人：赵楠;杨建荣;邓宏论 -专利权人：珠海凯利得新材料有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷装置领域，公开了一种多孔碳化硅陶瓷工装，所述多孔碳化硅陶瓷工装含有以下组分：碳化硅90‑95％，二氧化硅3‑10％，三氧化二铁0‑2％，二氧化钛0‑2％；所述多孔碳化硅陶瓷工装的朝上面设置有经切割而成的网格结构；所述多孔碳化硅陶瓷工装的内部孔径≤1.5mm，孔隙率为30％‑50％。所述多孔碳化硅陶瓷工装的制备方法包括以下步骤：造粒、成型、烧制和机械加工。本发明提出一种用于排胶脂、具有沟槽结构的多孔碳化硅陶瓷工装，所述工装应用于陶瓷产品的烧制，可促进陶瓷产品中胶脂的排出和表面氧化的进程。
用于排胶脂多孔碳化硅陶瓷工装及其制备方法

[发明专利]多孔碳化硅陶瓷的制备方法-CN201210312343.2有效
发明人：叶枫;刘强;侯赵平;刘仕超;张海礁 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。
多孔碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN202211631352.8在审
发明人：刘海林;霍艳丽;黄小婷;郑英晗;杨泰生;贾志辉;王浩然;李荟;王华 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明是关于一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：1)制备第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯由纯度≥99.9％的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成；2)高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯；所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度；所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅陶瓷颗粒一种成分；3)在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜，将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，得到高纯度多孔碳化硅陶瓷。本发明所要解决的技术问题是如何提高多孔碳化硅陶瓷的纯度，使其纯度可以达到99.9％以上，强度达到50MPa，满足其在半导体产业中的晶圆处理、液晶面板处理和柔性屏处理中的应用要求。
纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种莫来石晶须增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法-CN201910699059.7在审
发明人：罗旭东;侯庆冬;杨孟孟 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明专利涉及一种莫来石晶须增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，以碳化硅粉和硅粉为原料，以硝酸铝作为铝源，氟化铵作为催化剂，淀粉作为结合剂及造孔剂，经预混、溶解、混炼、成型、干燥、烧成，得到具有莫来石晶须增强的碳化硅多孔陶瓷在较低的温度下烧成，并在碳化硅颗粒之间形成莫来石晶须，增强了碳化硅多孔陶瓷的断裂韧性，进一步增强了碳化硅多孔陶瓷的抗折强度，从而得到高强度的碳化硅多孔陶瓷。
碳化硅多孔陶瓷莫来石晶须烧成碳化硅颗粒断裂韧性碳化硅粉氟化铵结合剂硝酸铝造孔剂硅粉混炼抗折铝源预混催化剂淀粉制备成型溶解

[发明专利]多孔梯度氮化硅-碳化硅复相陶瓷及其制备方法和用途-CN201710394241.2有效
发明人：李向明;姜付义;朱小涛;周艳丽 -专利权人：烟台大学
申请日： 2017-05-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁吸波用多孔梯度氮化硅‑碳化硅复相陶瓷的制备方法。该方法以廉价的硅藻土和酚醛树脂为原料，利用氧化铝模具制备出硅藻土坯体，在对硅藻土坯体进行烧结时，利用石墨模具对硅藻土坯体定向通入氮气，利用氮气在硅藻土坯体中被逐渐消耗而产生的分压渐变，最终在多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷中形成了连续梯度的碳化硅分布。该方法能够在多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷内部形成连续梯度的碳化硅分布，即能有效减少多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷表面对电磁波的反射，又能保证多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷内部对电磁波的吸收效果，显著提高了多孔氮化硅‑碳化硅复相陶瓷的电磁吸波性能。
多孔梯度氮化碳化硅陶瓷及其制备方法用途

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