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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带外岛屿凸台的异型薄壁机匣环锻件轧制方法-CN202110861755.0有效
发明人：兰箭;华林;毛华杰;钱东升;邓加东 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带外岛屿凸台的异型薄壁机匣环锻件轧制方法，目标异型薄壁机匣环锻件的一部为近矩形截面环、另一部为近锥筒环且带有外岛屿凸台，先下料镦粗冲孔得到近矩形截面环坯，然后单边扩口得到厚壁异型截面环坯，然后轧制得到异型截面环坯，然后先粗轧制得到带内回转凸台的异型截面环坯，内回转凸台为一圈位于近锥筒环内侧对应外岛屿凸台高度位置处的环状突起，再整形提高带内回转凸台的异型截面环坯的圆度精度，最后精轧，近净成形异型薄壁机匣环锻件外表面并将内回转凸台体积转移到外表面得到外岛屿凸台本发明近净成形异型薄壁机匣环锻件外表面并在外表面得到外岛屿凸台，能保证外直径和外岛屿凸台精度，机加工余量低。
外岛屿凸台异型薄壁机匣环锻件轧制方法

[发明专利]带外岛屿凸台的矩形截面环件精密轧制模具及方法-CN202110861604.5有效
发明人：兰箭;华林;毛华杰;钱东升;邓加东 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B21H1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种带外岛屿凸台的矩形截面环件精密轧制模具及方法，该模具包括能主动旋转的驱动辊、芯辊和组合套模，驱动辊或芯辊能直线进给；组合套模包括能合围成一圈的若干分瓣模以及将所有分瓣模上下夹紧连接的上夹板和下夹板上夹板和下夹板的中部均设有芯辊通过孔，所有分瓣模、上夹板和下夹板在内表面形成环形槽，组合套模的外柱面与驱动辊接触且能被驱动辊带动旋转、环形槽用于容纳环坯、中部能容纳芯辊且芯辊工作部能配合伸入环形槽，分瓣模内表面对应位置设有与外岛屿凸台相适应的凹槽，环形槽及凹槽与带外岛屿凸台的矩形截面环件外表面相适应。本发明能轧制近净成形带外岛屿凸台的矩形截面环件，机加工余量低。
外岛屿凸台矩形截面精密轧制模具方法

[实用新型]母线槽插接口装置-CN201521119986.0有效
发明人：胡波;于常海;陈辉;罗龙辉;张剑 -专利权人：深圳市深龙达电器有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H02G5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种母线槽插接口装置，包括插口底座和盖板，插口底座上设有插口凸台和通道孔，盖板与插口凸台相适配密封，通道孔通过防护胶塞封堵；插口凸台为双岛屿结构，插口凸台包括外岛屿与内岛屿，外岛屿与内岛屿之间形成防护沟壑，内岛屿上设有插接孔，插口底座的两边还设有连接孔，紧固螺栓通过连接孔与母线槽固定连接，采用外岛屿与内岛屿的结构，在与盖板配合密封或其他插接部件配合时能够保持具有良好的防护能力，整体形成多重阻隔外界物质入侵插接孔
母线槽接口装置

[实用新型]一种可伸缩性皮料塑胶射出鞋底-CN201120042035.3无效
发明人：张健 -专利权人：张健
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： A43B13/12 文献下载
摘要：一种可伸缩性皮料塑胶射出的鞋底，所述的鞋底包括皮料、外面层及内面层，所述的皮料上不规则设置有多个通孔，所述的底面层不完全覆盖在底面，所述的底面层包括多段曲线状连接的外岛状块，所述的外岛状块连接相邻的多个通孔
一种伸缩性塑胶射出鞋底

[实用新型]一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置-CN202121838296.6有效
发明人：谢文华;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,栅极线路位于源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的源极外岛导通互连
一种氮化 hemt 芯片整合封装结构电子装置

[实用新型]一种防脱旋转电源插接件-CN201620133862.6有效
发明人：李庆祥 -专利权人：天津市祥盛达五金制品有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01R13/639 文献下载
摘要：旋转环的底部设有卡扣爪，插座的盖板上设有弧形卡扣槽，卡扣槽的直径由外岛内依次递减，卡扣爪与卡扣槽配合，旋转旋转环，卡扣爪卡扣在卡扣槽上，将插头稳固在插座上，保证插头和插座接触良好，不会发生松脱，方便使用的同时
一种旋转电源插接

[实用新型]一种采用P埋层工艺制作集成IGBT器件-CN201920075705.8有效
发明人：鄢细根;黄种德;陈晓静 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开的采用P埋层工艺制作集成IGBT器件，包括，P底衬、下隔离一(P埋层)、N+埋层、N外延、硼桥、上隔离、下隔离、外岛，所述P底衬上端设置有N+埋层，所述N+埋层上端设置有下隔离一(P埋层)
隔离上端埋层本实用新型底衬两边电导调制效应侧面设置隔离工艺工艺制作双极电路纵向结构多晶硅硼扩散

[发明专利]一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法-CN202110903905.X在审
发明人：谢文华;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,柵极线路位于源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的源极外岛导通互连
一种氮化 hemt 芯片整合封装结构及其制造方法

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