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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器以及数据写入方法-CN201610314547.8有效
发明人：村田伸一 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器以及数据写入方法。目的在于提供能够在不招致访问时间的增大的情况下进行利用ECC的可靠性高的数据访问的半导体存储器以及数据的写入方法。基于示出写入数据片各自的块内的写入位位置的数据地址来检测示出写入写入数据片的每一个的块内的页面的写入页面地址。向在与k个页面各自对应的k个页面数据片之中由写入页面地址示出的页面数据片的每一个内插入至少1个写入数据片，将插入有写入数据片的页面数据片作为写入页面数据片，对写入页面数据片的每一个实施错误订正编码处理来得到编码写入数据片然后，对属于由写入页面地址示出的页面的存储器单元的每一个施加基于编码写入数据片的写入电压。
半导体存储器以及数据写入方法

[发明专利]基于模仿电阻式存储器写入操作来调节电阻式存储器写入驱动器强度-CN201680009759.3在审
发明人：金泰芸;金俊培;金晟烈 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了基于模仿电阻式存储器写入操作来调节电阻式存储器写入驱动器强度的各方面。在一方面，提供了一种写入驱动器调节电路以调节由写入驱动器向电阻式存储器提供的写入电流以用于写入操作。写入驱动器调节电路包括被配置为提供对提供给电阻式存储器的写入电流模仿的模仿写入电流的模仿写入驱动器。模仿写入电流被施加到包含对电阻式存储器的电阻分布模仿的模仿电阻式存储器元件的模仿电阻式存储器。当施加模仿写入电流时，模仿电压跨模仿电阻式存储器元件而生成。写入驱动器调节电路被配置为基于模仿电压来调节写入电流，使得写入电流对于写入操作是足够的，但是足够低以减少击穿。
基于模仿电阻存储器写入操作调节驱动器强度

[发明专利]一种预装车载单元信息写入方法及系统-CN201911118866.1有效
发明人：李东声 -专利权人：天地融科技股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种预装车载单元信息写入方法及系统，支持车载单元在车辆生产时完成加装，用户在购车后只需要通过终端进行待写入信息的写入，方便车载单元中待写入信息的写入，提高待写入信息写入的办理效率，用户可以自行与车辆中加装的车载单元进行操作处理即可，省时省力，又可推进ETC应用的全面普及，同时在待写入信息写入的过程中，利用安全方案保障了信息写入的安全性。
一种预装车载单元信息写入方法系统

[发明专利]快速数据写入的电流型像素单元电路、方法、组合及阵列-CN202010638852.9有效
发明人：赵博华;黄苒 -专利权人：天津中科新显科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种快速数据写入的电流型像素单元电路、方法、组合及阵列，快速数据写入的电流型像素单元电路，包括：一像素驱动电路以及连接于所述像素驱动电路的写入电流调整电路，所述写入电流调整电路用于对像素驱动电路的写入电流进行调整，从而提高其数据写入速度。本发明设置有一写入电流调整电路，通过该写入电流调整电路对像素驱动电路的写入电流进行调整，从而提高其数据写入速度。
快速数据写入电流像素单元电路方法组合阵列

[发明专利]用来决定写入策略参数值以写入数据于光盘片上的方法和装置-CN200810161684.8无效
发明人：尔文·兰肯;马汀·克约伯;汤尼·凡·艾德 -专利权人：飞利浦建兴数位科技股份有限公司
申请日： 2008-10-06 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G11B7/0045 文献下载
摘要：本发明公开了一种决定多个写入策略参数值以写入数据于一光盘片上的方法，包含有：辨识该光盘片的类型，该光盘片的类型相关联于具有多个标准写入策略参数的一标准写入策略；决定出具有多个丛集写入策略参数的丛集写入策略，该多个丛集写入策略参数的个数少于该多个标准写入策略参数的个数；以及用多个初始丛集写入策略参数值来初始化该多个丛集写入策略参数。
用来决定写入策略参数数据盘片方法装置

[实用新型]一种写入电路与电子设备-CN202120527194.6有效
发明人：郑承恩;林本成 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种写入电路与电子设备，涉及写入电路技术领域。该写入电路包括写入单元、写入辅助单元以及负压抵消单元，写入辅助单元与写入单元电连接，且写入辅助单元的输出端与负压抵消单元电连接，负压抵消单元用于与一正电压电连接；其中，负压抵消单元用于抵消写入辅助单元输出的负压本申请提供的写入电路与电子设备具有可靠性更高的优点。
一种写入电路电子设备

[发明专利]一种数据写入速率的自适应限流方法、装置、设备及介质-CN202110652900.4在审
发明人：张洪鑫;孟祥瑞 -专利权人：济南浪潮数据技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种数据写入速率的自适应限流方法，应用于分布式存储系统中，包括：对多个IO实例进行数据写入控制；获取每个IO实例中待写入的数据写入请求；根据待写入的数据量判断当前第一周期内可写入的数据量进行对比，如果当前第一周期内可写入的数据量不小于待写入的数据量，控制待写入的数据写入，并更新当前第一周期内可写入的数据量；如果满足，根据第二周期内存在数据写入请求等待的第一周期的数量进行数据写入速率自适应调整，根据调整后的数据写入速率设置当前第一周期内可写入的数据量，本发明还提出了一种数据写入速率的自适应限流装置、设备及介质，有效的提高了数据写入速率限制的可靠性。
一种数据写入速率自适应限流方法装置设备介质

[发明专利]写入请求缓冲器-CN202211182335.0在审
发明人： N·阿加瓦尔;L·伊森盖尔;R·沃克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及写入请求缓冲器。所描述的设备和方法涉及用于可支持非确定性协议的存储器系统的写入请求缓冲器。主机装置和经连接存储器装置可包含具有读取队列和写入队列的控制器。控制器包含用于缓冲与被引导到所述存储器装置的写入请求相关联的写入地址和写入数据的写入请求缓冲器。所述写入请求缓冲器可包含存储独特写入地址的写入地址缓冲器和存储与所述独特写入地址相关联的最近写入数据的写入数据缓冲器。比较传入读取请求与存储在所述写入请求缓冲器中的所述写入请求。如果发现匹配，那么所述写入请求缓冲器可在不将所述读取请求向下游转发到后端存储器的情况下服务于经请求数据。因此，所述写入请求缓冲器可改进在经由互连件存取存储器装置时的时延和带宽。
写入请求缓冲器

[发明专利]数据写入方法、设备以及存储介质-CN202110142380.2在审
发明人：牛磊 -专利权人：北京沃东天骏信息技术有限公司;北京京东世纪贸易有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G06F16/27 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种数据写入方法、设备以及存储介质，方法应用于数据库服务器，方法包括：获取待写入数据和数据分析系统内的数据分区参数，其中，数据分析系统运行于数据库服务器；根据待写入数据和数据分区参数确定数据写入模式；根据数据写入模式将待写入数据写入对应数据存储区域中。本方案根据待写入数据和数据分析系统内的数据分区参数确定数据写入模式，可以适应不同情况下数据写入，可以提高数据写入效率。
数据写入方法设备以及存储介质

[发明专利]网络硬盘录像写入方法、装置、电子装置和存储介质-CN202111417143.9在审
发明人：张超;葛许隆 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N21/2662 文献下载
摘要：本申请涉及一种网络硬盘录像写入方法、装置、电子装置和存储介质，其中，该网络硬盘录像写入方法包括：获取目标存储设备的剩余写入速率，剩余写入速率为目标存储设备的总写入速率和当前写入目标存储设备的视频码率之差，获取待写入视频通道的码率，如果目标存储设备的剩余写入速率大于或者等于待写入视频通道的码率，则将待写入视频通道传输的视频数据写入目标存储设备，通过本申请，解决了实时码流未存储导致的录像丢失问题，实现了将实时码流的存储至目标存储设备
网络硬盘录像写入方法装置电子存储介质

[发明专利]提升镜像冗余磁盘阵列RAID5写性能的方法及设备-CN202211737093.7在审
发明人：洪潮;俞伟生 -专利权人：超聚变数字技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种提升镜像冗余磁盘阵列RAID5写性能的方法及设备，该方法包括：获取数据写入请求，该数据写入请求携带了一个或多个待写入数据以及各个待写入数据对应的待写入硬盘位置；响应该数据写入请求，将一个或多个待写入数据写入各个待写入数据对应的待写入硬盘位置，并调整各个待写入硬盘位置对应的数据位状态信息。
提升冗余磁盘阵列 raid5 性能方法设备

[发明专利]一种固态硬盘写入指令排序方法、固态硬盘-CN201710262451.6有效
发明人：苏忠益;陈怡地 -专利权人：深圳市得一微电子有限责任公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态硬盘写入指令排序方法、固态硬盘，该方法包括：在处理写入指令队列时，判断写入缓冲器的可用空间数是否小于当前写入指令的指令大小；若可用空间数小于当前写入指令，跳过写入指令，并判断可用空间数是否小于写入指令队列内写入指令后的下一条写入指令的指令大小；若否，则执行指令大小大于或等于可用空间数的写入指令。通过实施本发明，通过调整写入指令间的顺序来降低平均延迟时间，提高固态硬盘的读写速率。
一种固态硬盘写入指令排序方法

[发明专利]在单个存储单元中存储多值数据的非易失性半导体存储器-CN02106452.0有效
发明人：田中智晴;陈健(音译) -专利权人：株式会社东芝;三因迪斯克公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的非易失性半导体存储器具备可对数据进行电改写的1个非易失性半导体存储单元；以及将数据写入存储单元的写入电路，对存储单元供给写入电压Vpgm和写入控制电压VBL来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第1写入状态，则改变写入控制电压VBL的值来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第2写入状态，则将写入控制电压VBL的值改变为Vdd来禁止对存储单元M的写入。
单个存储单元数据非易失性半导体存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN200580006079.8有效
发明人：中西雅浩;泉智绍;笠原哲志;田村和明;松野公则;井上学 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：把存储与簇或物理块等的预定的存储单位对应的写入结束标志的写入结束标志表(105)保存到非易失性的控制存储器(106)内。然后，检测向预定的存储单位进行的数据写入的结束，把写入结束标志写入到写入结束标志表(105)上的对应的存储单位的地址内。这样就可以确认已正常地写入了数据。即便是不能向作为主存储器的写入单位的页内写入表示写入结束的标志的情况下，也可以提高写入的可靠性。
半导体存储装置

[发明专利]一种写入检测方法、装置、终端及存储介质-CN201811080240.1在审
发明人：贺元魁;潘荣华 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种写入检测方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：接收输入的写入指令和选择指令；所述写入指令携带有待写入数据；所述选择指令携带有目标partial的标识；根据所述目标partial的标识，将所述待写入数据写入所述目标partial；根据所述目标partial的写入结果和所述待写入数据，更正所述目标partial中写入失败的位的数据。本发明通过根据目标partial的写入结果和所述待写入数据，更正目标partial中写入失败的位的数据，这样无需再对除目标partial之外的partial进行更正，因此，大大缩短了更正所需时间和工作量
一种写入检测方法装置终端存储介质

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