专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果920817个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]互补移相装置-CN201980008402.7有效
  • 西恩·P·安德森;威普库马·帕特尔 - 思科技术公司
  • 2019-01-14 - 2023-08-15 - G02F1/015
  • 公开了一种移相装置以及相关开关器件和方法。所述移相装置包括:第一移相器,所述第一移相器被配置为向光信号提供第一相移;和第二移相器,所述第二移相器被配置为除了提供所述第一相移之外还向所述信号提供第二相移。在预定义时间段期间,所述第一移相器和所述第二移相器被驱动为使得所述第二相移与所述第一相移基本上互补。
  • 互补光移相装置
  • [发明专利]调制器、移相器和光通信装置-CN202310202491.7在审
  • 杉山昌树 - 富士通光器件株式会社
  • 2023-03-03 - 2023-10-20 - G02F1/01
  • 本申请涉及调制器、移相器和光通信装置。一种调制器包括第一移相器和第二移相器。第一移相器包括第一穿过的第一光波导以及使根据驱动电压的电力作用于第一光波导的第一电极。第一移相器根据施加到第一电极的驱动电压,对穿过第一光波导的第一进行移相。第二移相器包括第二穿过的第二光波导以及使根据驱动电压的电力作用于第二光波导的第二电极。第二移相器根据施加至第二电极的驱动电压,对穿过第二光波导的第二进行移相。第二移相器被构成为相比于第一移相器,根据预定量的驱动电压具有更小的相移量。
  • 调制器移相器光通信装置
  • [实用新型]光纤移相器半波电压标定设备-CN202121577946.6有效
  • 陈柳平;王其兵;范永胜;万相奎 - 国开启科量子技术(北京)有限公司
  • 2021-07-13 - 2021-08-13 - H04B10/07
  • 本实用新型公开的光纤移相器半波电压标定设备,涉及量子通信设备测试领域,包括信号发生器、脉冲光源、分束器、光纤延长线、光纤移相器和采集器,其中,信号发生器用于为光纤移相器提供设定范围内的驱动电压,脉冲光源用于制备脉冲,分束器用于将脉冲分束并将分束后的脉冲中的一路信号输入光纤移相器,另一路信号通过光纤延长线输入光纤移相器,使得分束后的两束信号产生干涉,得到干涉后的信号;光纤延长线用于控制分束后的脉冲中的其中一路信号到达光纤移相器的时间;光纤移相器用于调节分束后的脉冲中的其中一路信号的相位,使得干涉后的信号的对比度达到最大值,实现了对光纤移相器的半波电压的精确标定。
  • 光纤移相器电压标定设备
  • [发明专利]一种基于硅基相变材料的偏振调控装置-CN202210737959.8有效
  • 李朝晖;魏宇航;曾思清;李焱;喻颖 - 中山大学
  • 2022-06-28 - 2022-10-28 - G02F1/01
  • 该偏振调控装置包括偏振旋转分束器、分束器组件、移相器组件和偏振旋转合束器;偏振旋转分束器的输入端连接输入光纤;第一分束器的输入端连接偏振旋转分束器的输出端,第一分束器的第一输出端连接第一移相器、第一分束器的第二输出端连接第二移相器;第二分束器的输入端分别连接第一移相器、第二移相器,第二分束器的第一输出端连接第三移相器、第二分束器的第二输出端连接第四移相器;偏振旋转合束器的输入端分别连接第三移相器、第四移相器。该偏振调控装置可以实现与输入无关的基于硅波导的任意偏振产生的技术效果。
  • 一种基于相变材料偏振调控装置
  • [发明专利]调制器和发射装置-CN202011554833.4在审
  • 桂成程;余宇;付思东 - 华为技术有限公司
  • 2020-12-24 - 2022-06-24 - H04B10/50
  • 本申请实施例公开了一种调制器,应用于光通信领域。该调制器包括:波导和多个移相器段。其中,多个移相器段光学耦合到波导,多个移相器段用于根据电驱动信号调制波导中承载的连续以生成信号。多个移相器段包括第一移相器段和第二移相器段,第一移相器段包括第一N掺杂区和第一P掺杂区,第二移相器段包括第二N掺杂区和第二P掺杂区。通过形成等效电容,本申请公开的调制器降低了隔离区的长度,进而降低驱动功耗。
  • 调制器发射装置
  • [发明专利]罩、罩制作方法及使用该罩的图案形成方法-CN03122598.5无效
  • 三坂章夫 - 松下电器产业株式会社
  • 2003-04-30 - 2003-11-12 - G03F1/08
  • 本发明公开了一种罩、罩制作方法及使用该罩的图案形成方法,其目的在于:同时将孤立沟槽图案与孤立线图案或者孤立沟槽图案与密集图案微细化。罩包括形成在透光性基板(10)上的对曝光光具有遮光性的低透光率移相器(半遮光部)、由低透光率移相器包围起来且对曝光光具有透光性的高透光率移相器(透光部)、及设在高透光率移相器附近的开口部(周边部)。低透光率移相器及高透光率移相器让曝光光在同相位下透过;开口部让曝光光在以低透光率移相器及高透光率移相器为基准的反相位下透过。在低透光率移相器形成区域的透光性基板(10)上,形成有具有让曝光光部分地透过的透光率且让曝光光在以周边部为基准的反相位下透过的移相膜(11)。
  • 制作方法使用图案形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top