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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电变换模块以及制造光电变换模块的方法-CN201880059775.2有效
发明人：米山延孝;滨野干雄;宫川善秀;山浦敏明;浅野明彦;田中学 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：光电变换模块(10)在基板上具有光电变换电池单元(12)、以及设置于光电变换电池单元(12)的栅极电极(31)。光电变换电池单元(12)包含：第一电极层(22)、第二电极层(24)、以及在第一电极层(22)与第二电极层(24)之间的光电变换层(26)。第二电极层(24)由位于相对于光电变换层(26)而与基板(20)相反的侧的透明电极层构成。栅极电极(31)设置于光电变换层(26)与透明电极层之间。
光电变换模块以及制造方法

[发明专利]固体摄像装置-CN201410439767.4在审
发明人：杉浦裕树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据实施方式，提供一种具备半导体层、有机光电变换层和微透镜的固体摄像装置。半导体层中设置多个光电变换元件。有机光电变换层设置在半导体层的受光面侧，吸收规定波长区域的光并进行光电变换，使规定波长区域以外的波长区域的光透射。微透镜设置在隔着有机光电变换层而与多个光电变换元件的各受光面分别相对置的位置上，将光向光电变换元件聚光。
固体摄像装置

[发明专利]固体摄像装置-CN201310320802.6在审
发明人：江川佳孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：在像素（P）中，个别设置进行光电变换的光电变换层、以及蓄积进行光电变换而得到的电荷的电荷蓄积层，光电变换层设于半导体基板的背面侧，电荷蓄积层设于半导体基板的表面侧，光电变换层与电荷蓄积层为至少一部分重叠
固体摄像装置

[发明专利]光电变换装置及其制造方法-CN200880006731.X无效
发明人：小林靖之;坂井智嗣;山口贤刚;浅原裕司;吴屋真之 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2008-02-08 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以低成本获得更高性能的光电变换装置及其制造方法。具备被层叠的至少二层光电变换层、和介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接及光学连接的中间层(93)的光电变换装置(90)，在所述中间层(93)表面上具有等离子体抗性保护层(93A)。
光电变换装置及其制造方法

[发明专利]固体拍摄装置-CN201210369912.7无效
发明人：江川佳孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：绿色用光电变换层（Gr、Gb）配置为与红色用光电变换层（R）及蓝色用光电变换层（B）在深度方向不重叠，蓝色用光电变换层（B）配置为与红色用光电变换层（R）在深度方向至少部分重叠，微透镜（Z1）与微透镜（
固体拍摄装置

[发明专利]薄膜光电变换装置的制造方法-CN200980148258.3有效
发明人：时冈秀忠;山林弘也;折田泰 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层
薄膜光电变换装置制造方法

[发明专利]摄像装置-CN201780022794.3有效
发明人：中田学;井土真澄;町田真一;井上恭典 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的摄像装置具备包括光电变换部的至少1个单位像素单元和电压施加电路。光电变换部包括第1电极、透光性的第2电极、包含第1材料的第1光电变换层及包含第2材料的第2光电变换层。第1光电变换层的阻抗比第2光电变换层的阻抗大。电压施加电路有选择地将第1电压及绝对值比第1电压大的第2电压的某个向第1电极与第2电极之间施加。
摄像装置

[发明专利]摄像装置以及电子器具-CN200680007951.5无效
发明人：西川卓男;丹生和男;高桥弘 -专利权人：柯尼卡美能达精密光学株式会社
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及的摄像装置，包括：光学部件；半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对所述光学部件所聚的光进行光电变换并蓄积电信号，具有配线层，所述模拟回路部与该当光电变换部邻接配置，具有配线层，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；光侵入防止部，其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
摄像装置以及电子器具

[发明专利]多光谱摄像装置-CN201710559669.8有效
发明人：黄忠守 -专利权人：展谱光电科技（上海）有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种多光谱摄像装置，包括像素阵列，所述像素阵列包括周期性重复排列的多个像素，每个所述像素至少包括一个第一子像素和一个第二子像素，各子像素至少包括：红外光电变换层，用于光电地转换近红外光；可见光电变换层，用于光电地转换可见光；彩色滤光片层，用于根据光谱范围选择性地通过光线；所述可见光电变换层位于所述红外光电变换层和所述彩色滤光片层之间；其中，所述第一子像素的红外光电变换层的变换效率大于所述第二子像素的红外光电变换层的变换效率，且所述第一子像素的彩色滤光片层的红外光透过率大于所述第二子像素的彩色滤光片层的红外光透过率。
光谱摄像装置

[实用新型]多光谱摄像装置-CN201720832186.6有效
发明人：黄忠守 -专利权人：展谱光电科技（上海）有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多光谱摄像装置，包括像素阵列，所述像素阵列包括周期性重复排列的多个像素，每个所述像素至少包括一个第一子像素和一个第二子像素，各子像素至少包括红外光电变换层，用于光电地转换近红外光；可见光电变换层，用于光电地转换可见光；彩色滤光片层，用于选择性地通过特定光谱范围的光线；所述可见光电变换层位于所述红外光电变换层和所述彩色滤光片层之间；其中，所述第一子像素的红外光电变换层的变换效率大于所述第二子像素的红外光电变换层的变换效率，且所述第一子像素的彩色滤光片层的红外光透过率大于所述第二子像素的彩色滤光片层的红外光透过率。
光谱摄像装置

[发明专利]叠层型光电动势装置-CN200610100509.9有效
发明人：岛正树 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si－H拉伸模式的峰值面积设定为I[_Si－H]，将Si－O拉伸模式的峰值面积设定为I[_Si－O]，将它们的比设定为α(＝I[[_Si－O]/I[_Si－H])时，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α短路电流Isc₂大于第一光电动势组件的短路电流Isc₁。
叠层型光电动势装置

[发明专利]发电装置以及发电模块-CN201880021314.6有效
发明人：屋敷保聪;森冈孝之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：发电装置(1)具备：光电变换部(2)，具有光电变换膜(10)；驻极体发电部(3)，具有保持电荷的驻极体层(200)，由透光性的材料构成；以及绝缘层(12)，覆盖光电变换膜的表面，且透射在光电变换膜中能够利用的所有波段或所有波段的一部分波段的光驻极体层(200)层叠于绝缘层(12)上。
发电装置以及模块

[发明专利]固体摄像器件、其制造方法和摄像机-CN200510107377.8无效
发明人：酒匈宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的固体摄像器件，在半导体衬底上排列有多个像素单元，所述像素单元具有：对入射光进行光电变换的光电变换部；以及微透镜，在上述光电变换部的上方，与各上述光电变换部相对应地形成，其特征在于：上述微透镜由透明层和滤色层这两层形成
固体摄像器件制造方法摄像机

[发明专利]层积型光电变换装置-CN200480001413.6有效
发明人：佐佐木敏明;小井洋平;山本宪治;吉见雅士;市川满 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和
层积光电变换装置

[发明专利]摄像装置-CN202080006672.7在审
发明人：山田翔太;广濑裕 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：有关本发明的一技术方案的摄像装置具备：光电变换部，包括第1电极、第2电极、将入射光变换为信号电荷的光电变换层及阻挡层；以及电荷积蓄区域，与第2电极连接，用于积蓄信号电荷。对于极性与信号电荷相反的电荷从上述第2电极向光电变换层的移动的、阻挡层的能量势垒是1.8eV以上；对于上述电荷从光电变换层向第2电极的移动的、阻挡层的能量势垒是1.6eV以下。
摄像装置

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