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[发明专利]一种同相结光催化剂及其制备方法和应用-CN201910136110.3有效
发明人：张静;陈雪冰;周月娥 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，具体涉及一种同相结光催化剂及其制备方法和应用。本发明提供的同相结光催化剂，包括不同粒径的同晶相半导体材料，其中小粒径半导体材料负载在所述大粒径半导体材料的表面；所述大粒径半导体材料与小粒径半导体材料的粒径比为(40～100)：1。本发明利用不同粒径的同晶相半导体材料形成结，可以有效促进光生电子和空穴分离的效率，从而显著提高材料的光催化性能。实施例结果表明，本发明提供的同相结光催化剂用于光催化分解水时，氢气生成量能达到150μmol/h/g。
一种光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体纳米光催化材料及其制备方法-CN201110150429.5无效
发明人：张国庆;熊亮;阳楚雄 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米光催化材料及其制备方法。本发明所述的半导体纳米光催化材料包括载体和负载于载体表面的半导体纳米光催化剂层，其特征在于，所述的载体为多孔泡沫材料。其制备方法是：以多孔泡沫材料为载体；载体经过表面处理后，通过负载方法将半导体纳米光催化剂固定于所述载体表面，其中半导体纳米光催化剂占载体总重量的1%-20%；经真空干燥制得目标产品。相对于现有技术本发明的光催化材料比表面积大、结合力好、负载量大，提高了光催化活性效率和光催化稳定性。其制备方法简单易于操作，且适合产业化生产。
一种半导体纳米光催化材料及其制备方法

[发明专利]由半导体材料和上转换材料组成的红光或红外光催化材料-CN200910067512.9有效
发明人：秦伟平;张代生;薛笑杰;赵丹;郑克志;王丽丽;姜涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2009-09-09 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料领域，具体涉及一种由上转换材料和半导体材料组成的新型红光或红外光催化材料。其是将半导体光催化材料和红光/红外-紫外上转换发光材料结合，利用上转换材料吸收红光/红外光、发射紫外光，激发半导体光催化材料，实现红外光催化；通过对此复合材料中的半导体进行修饰和改进，还可以进一步提高此材料的光催化活性本发明拓展了光催化反应所需激发光的波长范围，打破了只能用紫外光和短波可见光激发光催化反应的限制，提高了光催化反应对太阳光的利用率；本发明可广泛应用于红光、红外光和太阳光的光催化降解水中的有机污染物。
半导体材料转换材料组成红光红外光催化

[发明专利]一种基于金属-半导体复合结构的光催化材料及其制备方法与磁场辅助应用-CN202011485680.2有效
发明人：桑元华;高文强;王晓宁;崔超;赵晓蕾;张珊;王书华;王建军;刘宏 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金属‑半导体复合结构的光催化材料及其制备方法与磁场辅助应用，本发明将不同形貌的金属(金(Au)纳米棒、纳米颗粒、银(Ag)纳米线、钼(Mo)纳米片等)与半导体光催化剂硫化镉纳米颗粒构建得到金属/半导体复合结构的光催化材料，该光催化材料通过外部磁场辅助，在磁场中通过切割磁感线在金属导体中产生感应电势，来促进半导体光生载流子的分离，提高半导体光催化性能。
一种基于金属半导体复合结构光催化材料及其制备方法磁场辅助应用

[发明专利]处理工业废气的复合式光催化氧化反应装置-CN201911295040.2在审
发明人：钱阵;戴军森;计杨;张婷婷 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： B01D53/75 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理工业废气的复合式光催化氧化反应装置，包括气‑固相光催化反应设备、液‑固相光催化反应设备；气‑固相光催化反应设备包括外壳体、“弹簧形”管道、负载型半导体光催化材料、光源，负载型半导体光催化材料填充于“弹簧形”管道内，“弹簧形”管道、光源设置于外壳体内；液‑固相光催化反应设备包括容器、光源、液体、粉体半导体光催化材料、气体分布器；光源、液体设置于容器中，气体分布器设置于容器的底部，粉体半导体光催化材料分散于液体中该复合式光催化氧化反应装置具有优异的降解效果。
半导体光催化材料催化反应设备弹簧形固相光气体分布器光源光催化氧化反应装置复合式负载型外壳体粉体玻璃管道工业废气光源设置降解填充体内

[发明专利]一种三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料及其制备方法和应用-CN202011474867.2有效
发明人：陈丛瑾;卜鑫焱;黄权龙;赵西连;高雯婷;黄祖强;胡华宇;张燕娟 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨/活性炭/磷酸银复合半导体光催化材料及其制备方法和应用，属于光催化技术领域。该复合半导体光催化材料包括三氧化钨、作为载体的活性炭以及沉积在三氧化钨和活性炭表面的磷酸银。本发明的复合半导体光催化材料具有光生电子与空穴分离效率高、光催化效能高、催化稳定性好等优点；其制备方法简单、条件温和易控、工艺过程环保，易于实现工业化生产和利用；本发明的复合半导体光催化材料可应用于对双酚A这一污染物的高效去除，具有应用方法简单、降解效率高、光催化性能稳定好等优点，有着很好的实际应用前景。
一种氧化钨活性炭磷酸复合半导体光催化材料及其制备方法应用

[发明专利]光催化剂和光催化剂薄膜及其制备方法与应用-CN201710287655.5有效
发明人：于欣;李琳琳;王舒;王中林 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B01J23/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种光催化剂和光催化剂薄膜及其制备方法与应用。其中光催化剂包括：芯部、中间层和外层；所述芯部包括第一半导体材料；所述中间层包覆在所述芯部的外周，其中包括压电材料；所述外层负载在所述中间层的外周，其中包括第二半导体材料和/或具有表面等离子体效应的金属纳米颗粒，所述第二半导体材料和所述第一半导体材料相同或不同。该光催化剂通过在包括第一半导体的芯部和包括第二半导体和/或具有表面等离子体效应的金属纳米颗粒的外层之间形成压电材料，并对压电材料进行可选的极化处理，实现光生载流子的定向传输的效果，以进一步提高所制备的该催化剂的光催化杀菌效率
光催化剂薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体光催化材料的掺杂方法-CN202111646831.2在审
发明人：陈伏生 -专利权人：宁波晶鑫电子材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B01J23/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体光催化材料的掺杂方法。半导体‑金属异质结的设计和构造被认为是克服半导体可见光吸收有限的有效方法。本发明发明了一种简便、简便的用锌和铜溶液反应一步电置换合成Ag/ZnO异质结的掺杂方法，并通过一步电置换法制备了一种含有Ag/ZnO异质结结构的半导体光催化材料。该半导体光催化材料可以利用具有可见光吸收作用的Ag/ZnO异质结催化可见光照射下罗丹明B的降解，增强材料的光催化性能。
一种半导体光催化材料掺杂方法

[发明专利]一种金纳米粒子修饰的钨酸铋半导体光催化剂的制备方法及其应用-CN202110408262.1有效
发明人：王彦斌;孟迪;张丁戈 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01J23/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种金纳米粒子修饰的钨酸铋半导体光催化剂的制备方法及其应用，以溶剂热法合成并经过煅烧的钨酸铋为半导体光催化材料，通过化学沉积法将金纳米粒子负载在半导体光催化材料表面制备得到目标产物金纳米粒子修饰的钨酸铋半导体光催化剂，具有操作简单、消耗能量低、副产物少以及危险性低等优点，通过该方法制备的金纳米粒子修饰的钨酸铋半导体光催化剂能够用于光催化还原O2合成H2<
一种纳米粒子修饰钨酸铋半导体光催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种高效半导体异质结光催化材料及其制备方法-CN200710172539.5无效
发明人：黄富强;林信平;王文邓;邢精成 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： B01J23/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效半导体异质结光催化材料及其制备方法，属于光催化材料领域。本发明的光催化材料包括空穴受体和电子受体两种半导体材料，两种半导体材料拥有能带匹配性，空穴受体拥有空穴导电性，电子受体拥有电子导电性，空穴受体和电子受体之间存在良好的化学结合界面。本发明采用球磨-退火工艺和室温/低温表面处理方法制备得到光催化材料，具有良好的有机物降解性能和良好的应用前景。
一种高效半导体异质结光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种用于光催化的半导体纳米材料及其制备方法-CN201810618584.7在审
发明人：姬晓旭;赵庆怀;王爱华;程艺苑;盛至铭 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： B01J23/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光催化的半导体纳米材料，包括以下原料：氯化亚锡甲醇液、酸性溶液、氯化铋溶液、二甲基乙醇胺水溶液、氢氧化钠水溶液；其中，所述酸性溶液为草酸、去离子水和无水乙醇按照重量比为2:3:10的比例混合而成本发明还公开了所述用于光催化的半导体纳米材料的制备方法。本发明制备的用于光催化的半导体纳米材料具有良好的光催化活性，通过超声波微波协同组合效应制备的用于光催化的半导体纳米材料长度最短可达30纳米，同时在光催化活性评价中的催化活性良好，可以用于光催化分解无机物和有机物生成无毒
半导体纳米材料光催化制备光催化活性酸性溶液氢氧化钠水溶液二甲基乙醇胺环境污染问题无机物草酸光催化分解氯化铋溶液催化活性氯化亚锡去离子水无水乙醇协同组合超声波有机物甲醇液重量比二氧化碳微波无毒

[发明专利]具有磷酸铜修饰表面的半导体光催化剂及其制备方法-CN201110423915.X无效
发明人：许宜铭;陈海航 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-12-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有磷酸铜修饰表面的半导体光催化剂。它包括半导体粉体颗粒，所述半导体粉体颗粒外设有磷酸铜，所述磷酸铜以固体粉末形式均匀的分散在半导体粉体颗粒表面。本发明的光催化速率显著提高。本发明还提供以上半导体光催化剂的制备方法。本发明以半导体光催化剂为前驱体，以磷酸铜为修饰材料，将磷酸铜颗粒通过湿法化学的方法均匀的沉积分散于半导体粉体颗粒表面。在不改变前驱体半导体自身的晶体结构、晶相组成和平均粒径的情况下制备出具有磷酸铜修饰表面的半导体光催化剂。原料成本低廉，设备简单，易于操作；所得光催化剂相比于单纯的半导体光催化剂本身，其紫外可见光催化活性明显提高，同时对有机污染物的吸附能力也有所提升。
具有磷酸修饰表面半导体光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种具有不同润湿性的光催化复合材料的制备方法-CN202111214524.7在审
发明人：吴义强;卿彦;邓松林;田翠花;贾闪闪;罗莎 -专利权人：中南林业科技大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有不同润湿性的光催化复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)将光催化半导体加入无水乙醇中，超声分散，获得光催化半导体的乙醇分散溶液；(2)将氢氧化钠和硅烷偶联剂加入无水乙醇中，一次超声分散，再加入光催化半导体的乙醇分散溶液，二次超声分散，获得偶联剂的水解修饰溶液；(3)将偶联剂的水解修饰溶液均匀的涂覆于基底材料表面，并于室温风干，即得到所述光催化复合材料。本发明为调控光催化复合材料表面润湿性提供了一种新策略。通过引入硅烷偶联剂修饰光催化剂，并与光催化剂表面的羟基发生脱水反应，实现催化材料的低表面能修饰，进而调控光催化复合材料表面润湿性。
一种具有不同润湿光催化复合材料制备方法

[发明专利]一种石墨烯光催化膜-CN201910430210.7在审
发明人：侯树亭;沈海斌;马晴晴;李哲;马翠;侯成 -专利权人：湖南云亭烯新材料科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯光催化膜，包括石墨烯光催化膜；石墨烯光催化膜包括多层堆叠的石墨烯光催化网；石墨烯光催化网包括石墨烯材料、半导体材料和网膜；石墨烯材料采用真空冷冻升华干燥法处理；半导体材料为TiO2、ZnO、SnO2、BiVO4、Bi2WO6中的一种或多种；网膜为白坯网、碳纤维网、聚乙烯纤维网中的一种；石墨烯材料和半导体材料复合而成后包覆在网膜上，或石墨烯材料包覆在半导体材料的表面后包覆在网膜上。
石墨烯半导体材料石墨烯材料光催化膜网膜包覆光催化网真空冷冻升华干燥聚乙烯纤维网净化效果碳纤维网运营成本耗电白坯底泥堆叠多层换水清淤复合修复

[发明专利]一种炔基修饰的半导体材料的制备方法和应用-CN202110836193.4有效
发明人：孙明轩;刘文珠;孙汪兵;丁志鹏 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种炔基修饰的半导体光催化剂材料的制备方法及应用，将半导体材料与金属炔化物置于球磨罐中，并向球磨罐中加入不与半导体材料和金属炔化物反应的溶剂，使溶剂没过钢珠后，在氮气或惰性气体保护下进行球磨，经后处理得到炔基修饰的半导体材料；制得的炔基修饰的半导体材料用于有机染料或抗生素降解。本发明采用球磨的方法制备炔基修饰的半导体光催化剂材料，操作简单，避免了现有技术有毒原料的使用以及副产物的产生，制得的炔基修饰的半导体光催化剂材料对于有机染料和抗生素的降解性能优于纯的半导体材料。
一种修饰半导体材料制备方法应用

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