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- [发明专利]NOR Flash的工艺方法-CN202011415083.2有效
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李志林;齐翔羽
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2020-12-07
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2022-10-04
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H01L27/1157
- 本发明公开了一种NOR Flash的工艺方法：第一步，划分NOR Flash的存储单元区域以及外围区域，分别制作各个隔离阱，形成阈值电压调节注入层，并淀积形成存储单元区域多晶硅以及外围区域多晶硅；第二步，通过掩膜版定义刻蚀打开存储单元区域多晶硅的窗口，将存储单元区域多晶硅暴露；第三步，对打开的存储单元区域多晶硅的窗口内的存储单元区域多晶硅进行回刻蚀，然后去除光刻胶；第四步，在衬底整体表面淀积层间介质。本发明在淀积层间介质之前先对存储单元区域的多晶硅进行一次回刻蚀，降低存储器单元多晶硅厚度，减少了存储器单元多晶硅与外围区域多晶硅之间的高度差，层间介质淀积过程中避免了空洞的形成，也提高了存储器单元多晶硅区域的接触孔填充能力
- norflash工艺方法
- [发明专利]吸收性物品-CN201880100502.8有效
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工藤悦子
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尤妮佳股份有限公司
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2018-12-28
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2022-10-04
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A61F13/49
- 一实施方式的吸收性物品具有前后方向、宽度方向、前体围区域、后体围区域、下裆区域、吸收芯、吸收性主体、前外装体、后外装体和弹性构件，所述宽度方向与所述前后方向正交，所述下裆区域配置在所述前体围区域与所述后体围区域之间，所述吸收性主体包含所述吸收芯，并且跨所述前体围区域以及所述后体围区域地配置，所述前外装体在所述前体围区域比所述吸收性主体靠非皮肤面侧地配置，所述后外装体在所述后体围区域比所述吸收性主体靠非皮肤面侧地配置，并且相对于所述前外装体独立，所述弹性构件在所述前体围区域沿所述宽度方向具有伸缩性。
- 吸收性物品
- [发明专利]一种无支撑3D打印方法-CN202111513452.6有效
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韩向阳;刘普祥;袁浩
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深圳市华阳新材料科技有限公司
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2021-12-13
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2022-07-08
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B22F10/38
- 本发明公开了一种无支撑3D打印方法，其将当前已打印的零件层设定为第N层，即将打印的下一层设定为第N+1层，在小角度区域内，第N+1层有一部分区域会超出第N层的边界线，该超出边界的部分区域定义为悬空区域，悬空区域的悬空宽度定义为W，将第N+1层底边到第N层底边连线与水平方向的夹角定义为α。本发明对分界线内外两侧以及对悬空区域进行激光扫描过程中及时调整激光功率P与激光扫描速度V的比值，当激光束在扫描第N+1层重叠区域时，控制激光束光斑直径Φ保持不变或者放大，当激光束扫描完第N+1层小角度悬空区域及重叠区域后，控制激光束的光斑直径Φ变小，基于上述原理，使每一零件层的悬空区域和重叠区域在不依赖支撑体的情况下得以打印成形。
- 一种支撑打印方法
- [发明专利]一种液晶显示面板及显示装置-CN202010349499.2有效
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胡清文;许喜爱;陈国照
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厦门天马微电子有限公司
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2020-04-28
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2022-07-26
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G02F1/133
- 本申请实施例公开了一种液晶显示面板及显示装置，该液晶显示面板包括：阵列基板和彩膜基板，阵列基板上具有驱动信号线，彩膜基板包括第一区域和至少一个第二区域，第二区域与第一区域相连，第一区域在预设平面上的正投影与阵列基板在预设平面上的正投影重合；位于至少一个第二区域的电路板，电路板上具有驱动电路；位于阵列基板和彩膜基板之间的电连接元件，电连接元件电连接驱动信号线和驱动电路；其中，第二区域为柔性区域，且第二区域背离第一区域的一端向阵列基板一侧弯折，使得第二区域呈弯折状态，以在减小阵列基板面积的前提下，不过多增加彩膜基板的面积，从而利于窄边框的实现，满足用户日益提高的窄边框需求。
- 一种液晶显示面板显示装置
- [发明专利]对被处理体进行处理的方法-CN201780042178.4有效
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森北信也;伴濑贵德;濑谷祐太;新妻良祐
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东京毅力科创株式会社
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2017-07-04
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2023-08-15
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H01L21/3065
- 成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(VL2)构成，掩模(ALM)设置于第1区域(VL1)上，第1区域(VL1)设置于第2区域(VL2)上，第2区域(VL2)设置于被蚀刻层(EL)上。方法(MT)中，在收容有晶片(W)的处理容器(12)内生成包含氮气的气体的等离子体而对第1区域(VL1)进行蚀刻直至到达第2区域(VL2)，从第1区域(VL1)形成掩模(OLM1)，在掩模(OLM1)的侧面(SF)保形形成保护膜(SX)，且对第2区域(VL2)进行蚀刻直至到达被蚀刻层(EL)，从第2区域(VL2)形成掩模(OLM2)。
- 处理进行方法
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