“低介电高熔体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果9996824个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高介电常数复合弹性体及其制备方法和柔性设备-CN202110981744.6有效
发明人：朱世平;张长庚;张祺 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本申请提供一种高介电常数复合弹性体及其制备方法和柔性设备，涉及材料领域。高介电常数复合弹性体，其原料包括弹性体基体和填充物，所述填充物包括深共熔溶剂，所述弹性体基体不与所述深共熔溶剂互溶；所述深共熔溶剂由氢键供体和氢键受体通过氢键作用结合得到。高介电常数复合弹性体的制备方法，包括：将所述原料混合、加热固化，得到所述高介电常数复合弹性体。柔性设备，其原料包括所述的高介电常数复合弹性体。本申请提供的高介电常数复合弹性体，兼具高介电常数、低介电损耗和低弹性模量，是一种非常适合大规模工业化生产的介电复合弹性体。
介电常数复合弹性体及其制备方法柔性设备

[发明专利]低导通电阻及断路漏电的逆熔丝-CN02142687.2无效
发明人：陈锦扬 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-09-17 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种低导通电阻及断路漏电的逆熔丝，该逆熔丝设于一基底的绝缘层上，其包含有一硅导电层，设于该绝缘层中并约略突出于该绝缘层表面；一介电层，设于该硅导电层顶面；以及一金属导电层，设于该绝缘层表面并覆盖于该介电层上；由于本发明利用硅材料作为下电极，所以可高温处理而于硅材料表面形成一品质较佳的介电层，以避免如金属－金属逆熔丝的介电层漏电流大的问题。此外，本发明利用金属材料作为上电极，因此可有效避免硅－硅逆熔丝具有高电阻值的问题。
通电断路漏电逆熔丝

[发明专利]一种双介电聚合物共混熔喷纤维驻极非织造材料-CN201610859825.8有效
发明人：康卫民;何宏升;程博闻;庄旭品;李晓捷;邓南平;刘亚;任元林;赵义侠;李磊 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： D04H3/007 文献下载
摘要：本发明公开一种双介电聚合物共混熔喷纤维驻极非织造材料，其特征在于熔喷纤维体中包括聚苯乙烯和聚丙烯两种介电聚合物，所述聚苯乙烯和聚丙烯的质量百分比为：聚丙烯90％～99％，聚苯乙烯1％～10％。本发明所述双介电聚合物共混熔喷纤维驻极非织造材料，由于聚苯乙烯和聚丙烯两者的介电特性，在熔喷加工高速剪切过程中二者间相互摩擦带上大量静电，再经电晕放电处理，纤维体中两聚合物界面空穴陷阱可捕获大量空间电荷而形成耐久驻极材料，对亚微米数量级粉尘颗粒的捕集效率高达99.9％以上，在高效低阻过滤材料中具有广泛的应用前景。
一种双介电聚合物共混熔喷纤维驻极非织造材料

[发明专利]介电弹性体前驱液及其制备方法和应用、介电弹性体复合材料、柔性器件、发光器件-CN202010163954.X有效
发明人：朱世平;张长庚;石磊;张祺 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C08F283/12 文献下载
摘要：本发明涉及介电弹性体领域，具体而言，提供了一种介电弹性体前驱液及其制备方法和应用、介电弹性体复合材料、柔性器件、发光器件。所述介电弹性体前驱液包括弹性体基体、离子液体和溶剂，离子液体和溶剂的体积分数为5％‑45％。该介电弹性体前驱液具有导电率高、透明度高和流动性好的优点，有利于制备具有高介电常数、低弹性模量和高光学透明性的介电弹性体复合材料，很好地解决了介电弹性体中高介电常数与低弹性模量和高光学透明性不能兼顾的问题
弹性体前驱及其制备方法应用复合材料柔性器件发光

[发明专利]低介电玻璃纤维及制备方法、玻璃纤维制品、复合材料及应用-CN202011455551.9有效
发明人：郭仁贤;黄三喜;黄松林;祖群 -专利权人：南京玻璃纤维研究设计院有限公司;中材科技股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C03C13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低介电玻璃纤维及制备方法、玻璃纤维制品、复合材料及应用，本发明合理调配玻璃组分中各氧化物的配比以获得机械强度高，介电性能好且熔制工艺更简便等综合性能优异的低介电玻璃。具体的，通过合理设置氧化硅、氧化铝和氧化硼的比例，使得玻璃纤维具有较低的介电常数和介电损耗，并适当调节了玻璃粘度，同时，在考虑介电性能及机械强度的前提下通过合理设置碱土金属氧化物、碱金属氧化物、TiO2、CeO2及SnO2的用量，进一步改善了玻璃的熔制、澄清性能，拉丝成形温度更低
低介电玻璃纤维制备方法玻璃纤维制品复合材料应用

[发明专利]电子式熔线结构-CN200510075795.3有效
发明人：庄建祥;罗吉进 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-07 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明是揭露一种电子式熔线结构。此结构借由多晶硅层上的硅化层形成，其以一第一介电材料部分区隔电子式熔线与半导体基底，且以第二介电材料部分区隔电子式熔线与在熔线正上方的至少一导体。多晶硅层具有不大于约2500埃的厚度与不大于0.14微米的宽度，而第二介电材料部分实质上是含有低介电材料。
电子式熔线结构

[发明专利]低介电玻纤增强PC/PPO复合材料及其制备方法-CN202110651248.4有效
发明人：赵建青;钟绍信;刘述梅;朱亚明;袁彦超 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明公开了低介电玻纤增强PC/PPO复合材料及其制备方法。按质量百分比计，PC/PPO复合材料该原料配方由如下组分组成：29.8％～41.5％的聚碳酸酯、29.7％～38.0％的改性聚苯醚、20.0％～40.0％的短切低介电玻璃纤维、0.1％～0.4％的抗氧剂，Df降低至1.53×10‑3～2.40×10‑3，能够满足5G/6G对于低介电材料的应用要求，且良好的相容性和较低的熔体粘度保证了复合材料具有高力学性能和优良的成型加工性能。
低介电玻纤增强 pc ppo 复合材料及其制备方法

[发明专利]集成电路及其结构与程序化半导体元件的方法-CN202110654631.5在审
发明人：张盟昇;陈建盈;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种集成电路及其结构与程序化半导体元件的方法，特别是反熔丝结构及具有此等反熔丝结构的IC元件，其中反熔丝结构包括介电反熔丝结构，介电反熔丝结构形成于主动区域上且具有：第一介电反熔丝电极；第二介电反熔丝电极，第二介电反熔丝结构平行于第一介电反熔丝电极延伸；第一介电组合物，第一介电组合物在第一介电反熔丝电极与第二介电反熔丝电极之间；及第一程序化晶体管，第一程序化晶体管电连接至第一电压供应源，其中在程序化操作期间，将一程序化电压选择性地施加至介电反熔丝结构中的某些以在第一介电反熔丝电极与第二介电反熔丝电极之间形成电阻性直接电连接。
集成电路及其结构程序化半导体元件方法

[发明专利]一种具有高介电常数低模量高击穿场强的介电弹性体材料及其制备方法-CN201910644658.9在审
发明人：刘玲;刘春萍;张立群 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高介电常数低模量高击穿场强的介电弹性体材料的制备方法及所得介电弹性体材料。本发明利用化学方法，通过单羟基极性有机小分子改性交联剂，然后将其和催化剂加入到聚二甲基硅氧烷低聚物中，制备了一种带有极性基团的硅橡胶介电弹性体材料。该介电弹性体材料同时具有高介电常数、低模量、高击穿场强的优异性能，解决了不能同时实现这三种性能的难题。
一种具有介电常数低模量高击穿场强弹性体材料及其制备方法

[发明专利]高介电性弹性体组合物及电介体天线-CN200580019651.4无效
发明人：大平晃也 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明提供在从低温到高温的广阔温度范围内，显示出高比介电常数，且具有低介电损耗角正切的高弹性体组合物及使用该组合物形成的电介体天线。介电体天线具有高介电性弹性体组合物的成型体和设置于该成型体上的电极，所述高介电性弹性体组合物是在弹性体中配入高介电性陶瓷粉末而形成的，上述高介电性陶瓷粉末在－40℃～100℃的范围内的以25℃为基准的比介电常数的温度系数α(单位：1/℃)为(－200～100)×10^－6，该高介电性弹性体组合物的比介电常数为7以上，介电损耗角正切为0.01以下，上述高介电性陶瓷粉末是钛酸钡·钕类陶瓷粉末，上述电极通过粘接镀镍处理或镀银处理的铜箔
高介电性弹性体组合电介体天线

[发明专利]一种高介电低模量的硅橡胶介电弹性体及其制备方法-CN202210344872.4有效
发明人：张志杰;喻研;赵云峰;费华峰;戴丽娜;汪倩 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08G77/388 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电低模量的硅橡胶介电弹性体及其制备方法，所述硅橡胶介电弹性体是采用高极性硅油制备得到的，所述硅油包括至少一种具有式Ⅰ所示结构的聚合物。与现有技术相比，本发明的高极性硅油在硅橡胶生胶基体中不迁移、与硅橡胶生胶相容性好、高效、易于添加；本发明的硅橡胶介电弹性体介电常数高、杨氏模量低；本发明制备方法简单，易于工业化生产。#imgabs0#
一种高介电低模量硅橡胶弹性体及其制备方法

[发明专利]一种制备高介电薄膜的方法-CN201310199062.5有效
发明人：刘江萍;陈骁;何流;王锦梅;徐晓薇 -专利权人：刘江萍
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C08L81/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高介电聚合物复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将主材料A与一定量的第一溶剂充分混合，获得第一浆料；将具有高介电常数、低损耗的有机介电材料B与一定量的第二溶剂混合分散，获得第二浆料；将第一浆料和第二浆料充分混合后，获得第三浆料；真空容器中静置熟化第三浆料，获得混合均匀的凝胶态高介电有机复合材料；将凝胶态复合材料加入到挤出机中，加热挤出，待熔膜挤出后通过冷却辊骤冷，再将挤出冷却膜通过拉伸成膜机双向拉伸，最后通过150℃热定型后，制得高介电聚合物复合薄膜。该薄膜具有高介电常数值、高击穿电压值和低介电损耗值。
一种制备高介电薄膜方法

[发明专利]电容基板结构-CN200910165150.7有效
发明人：刘淑芬;陈孟晖;陈碧义;陈云田 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电容基板结构，可有效改善超高介电有机/无机混成基板材料高漏电流与低绝缘电阻的问题。本发明夹设于两导体层之间的绝缘层为多层介电层结构，其中至少一个介电层为高介电层，其包括高介电陶瓷粉体和导电粉体均匀分散于有机树脂中的混合物。其余介电层为一般的有机树脂，且可进一步含有高介电陶瓷粉体。
电容板结

[发明专利]一种高介电常数低模量介电弹性体材料及其制备方法-CN201010222160.2有效
发明人：张立群;杨丹;田明;成煜民;伍社毛;于迎春;刘浩亮 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C08L15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数低模量介电弹性体材料及其制备方法。采用高介电常数的液体以液滴或分子水平分散在橡胶基体中，显著降低介电弹性体的模量，同时提高弹性体的介电常数，以解决介电弹性体中低模量与高介电常数不能兼顾的问题。
一种介电常数低模量介电弹性体材料及其制备方法

[发明专利]一种低介电纳米注塑材料-CN202010841319.2在审
发明人：迟胜南;何杰;曹建伟;马旭辉 -专利权人：东莞市奥能工程塑料有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电纳米注塑材料，包括以下重量份数的原料：聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、低介电增强体、增韧剂、成核剂、分散剂、相容剂、抗氧剂、炭黑。本发明低介电PBT材料，通过使用低介电增强体降低了增强体对体系介电常数的影响。通过添加高酸值炭黑，减少了普通炭黑对介电常数的影响。本发明低介电纳米注塑材料制备方法，与金属粘合力强，高拉拔力，低介电强度和损耗，操作简单，成本低廉，适合于工业化生产，可以满足5G终端及基站对低介电材料的性能要求。
一种低介电纳米注塑材料

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top