专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410077118.4有效
  • 周鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-03-04 - 2017-11-03 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种半导体器件的形成方法,包括在半导体衬底的电层上,形成以掺的氧化硅为材料的第一掩模层,掺的氧化硅形成工艺中,不会形成氧气等离子气体,因而避免氧气等离子气体造成电层损伤;在第一掩模层上形成以掺和氟的氧化硅为材料的第二掩模层,以第一掩模层和第二掩模层为整体作为掩模层,并以掩模层内的掩模图案为掩模刻蚀电层,在电层内形成开;之后采用清洗溶液清洗开。其中,清洗第二掩模层的速率大于清洗第一掩模层的速率,从而可有效扩大掩模层以及电层内的开的开口,在后续向电层的开内填充金属材料过程中,便于金属材料进入电层的开内,优化开内的金属的结构形态
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]纳米线及其制备和应用-CN201910703050.9有效
  • 李琪;郭瑞婷;麦立强;刘熊;王选朋 - 武汉理工大学
  • 2019-07-31 - 2022-11-04 - C01B32/15
  • 本发明涉及基于自刻蚀法合成纳米线及其应用,所制备的纳米线可以作为钾离子电池负极并应用于电化学能源转化,纳米线,其直径为200‑300nm,其内部有分布均匀的并互相连通,孔径~8nm,纳米线为无定形态并呈现的结构。本发明的有益效果是:本发明通过构筑纳米线,有效改善了热解的微结构,提高了钾存储容量和库伦效率。将纳米线作为钾离子电池负极时,测试结果表明,纳米线在钾离子存储中表现出快速的电子传输和高能量存储,是一种潜在的高效钾离子电池负极材料。
  • 介孔碳纳米及其制备应用
  • [发明专利]多孔复合材料的制备方法及钠离子电池负极-CN202310183651.8在审
  • 王建兴;方波;陈金泉;张毓晨;白俊;殷永辉 - 广东一纳科技有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-07-04 - H01M4/36
  • 本申请提供一种多孔复合材料的制备方法及钠离子电池负极,上述的多孔复合材料的制备方法包括如下步骤:将环氧树脂粉末进行煅烧操作,以得到多孔;对所述多孔进行第一次沉积操作,以得到沉积薄层包覆材料;将所述沉积薄层包覆材料置于过渡金属盐溶液,以得到混合浆料;对所述混合浆料进行调节pH操作,直至所述混合浆料的pH值为5‑6;对调节pH后的所述混合浆料进行超声操作,以将堵在所述多孔中的大之间的所述沉积薄层震破并使过渡金属化合物附着在周缘,得到过渡金属复合材料;将所述过渡金属复合材料进行第二次沉积操作,以得到多孔复合材料。
  • 多孔复合材料制备方法钠离子电池负极
  • [发明专利]一种复合材料及其制备方法和应用-CN202310481475.6在审
  • 吕盈盈;马瑗璐;袁帅;施利毅 - 上海大学
  • 2023-04-28 - 2023-08-22 - H01M4/36
  • 本申请涉及一种复合材料及其制备方法和应用,属于锂电池技术领域,复合材料包括基体和金属基颗粒,基体具有开放的孔隙结构,孔隙结构为微孔结构和/或结构,金属基颗粒分布于基体;金属基颗粒具有较高的导电性、比容量和密度,通过在基体上附着金属基颗粒,有助于改善基体的导电性和比容量;同时基体具有合适的孔隙结构,能够适应金属基颗粒在工作过程中的体积变化,提供体积缓冲空间;另外基体还能增加电接触
  • 一种复合材料及其制备方法应用
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210191209.1有效
  • 邓浩;洪中山 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-06-11 - 2014-01-01 - H01L21/768
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层、一低k电层、一TEOS掩膜层和一金属掩膜层;在所述金属掩膜层和所述TEOS掩膜层中形成用于蚀刻沟槽的第一图形,以露出部分所述低k电层;在所述露出的低k电层上形成用于蚀刻通的第二图形;形成用于填充铜互连金属的通,并去除所述第二图形;实施一碳化处理,以在通过所述第一图形暴露出来的低k电层的表面以及所述低k电层和所述TEOS掩膜层之间靠近所述第一图形的界面处形成一富含的材料层;形成用于填充铜互连金属的沟槽。根据本发明,可以有效地抑制在所述低k电层和所述TEOS掩膜层的界面处出现的底切现象的发生。
  • 一种半导体器件制造方法
  • [发明专利]一种材料及其制备方法和应用-CN202110903683.1在审
  • 裴现一男;赵中可;孔令涌;万远鑫;陈心怡;谭旗清;赖佳宇;张莉;任望保 - 深圳市德方纳米科技股份有限公司
  • 2021-08-06 - 2021-12-17 - C01B32/05
  • 本发明属于电池材料技术领域,具体公开了一种材料,以及其制备方法和应用。本发明提供的材料是呈不规则块状的蜂巢状多孔材料,材料内部具有和微孔二级多孔结构。材料通过将碳源与模板剂混合,制备成固体反应物;之后将固体反应物置于惰性气体气氛进行预碳化处理;然后将预碳化处理后的材料破碎成粉末,去除模板剂进行造后再干燥得到前驱体材料;前驱体材料在惰性气体中进行热处理,得到材料。本发明方法制得的材料具有大的层间距和丰富的纳米多孔结构,为锂离子或钠离子的传输提供了更多通道,同时为离子嵌入和脱出提供了更多的活性位点和储锂或储钠空间,制成的二次电池具有高的容量和稳定的循环性能。
  • 一种材料及其制备方法应用

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