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[发明专利]一种高强塑铸造亚共晶铝硅合金及其制备方法-CN202110855051.2有效
发明人：贾海龙;朴一男;薛利文;殷超然;查敏;王慧远;宋家旺;马品奎 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明开发了一种高强塑铸造亚共晶铝硅合金及其制备方法，属于金属材料领域。所述高强塑铸造亚共晶铝硅合金按照质量百分比计，由如下组分组成：Si：7.0～8.0wt.％，Cu：1.0～2.5wt.它的制备方法包括：待铝锭、Al‑20Si、Al‑10Mn和Al‑50Cu合金完全熔化后，依次加入Al‑3B、Mg、Zn和Sb，浇铸成形获得高强塑铸造亚共晶铝硅合金。本发明获得的合金通过在铝硅合金中添加B、Sb和Zn，协同调控合金的微观组织形貌，同时具备细化、变质一体效果，明显提升合金的力学性能。本发明获得的高强塑铸造亚共晶铝硅合金的屈服强度、抗拉强度、延伸率分别为150MPa、281MPa、9.3％。
一种高强铸造亚共晶铝硅合金及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅单晶体的生长方法-CN202110125864.6有效
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅单晶体的生长方法，其对碳化硅粉体进行了一次热处理，然后加入一定量的硅粉，并进行第二次热处理，再以硅/碳化硅粉体为源料进行碳化硅单晶体生长。本发明的关键是采取热处理硅/碳化硅粉体，从而有效提高硅的占比，进而提高碳化硅单晶体的氮掺杂浓度。
一种碳化硅单晶体生长方法

[发明专利]一种制备微纳米TiC/TiSi2复合粉体的方法-CN201410234832.X有效
发明人：杨瑞嵩;杨杰;李明田;附青山;刘春海;崔学军;金永中;何勇;王鹏;王静婷 -专利权人：四川理工学院
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C01B31/30 文献下载
摘要：本发明属于金属陶瓷材料制备技术领域，尤其涉及一种制备微纳米TiC/TiSi₂复合粉体的方法，其特征在于：制备步骤为准备硅粉、钛粉和石墨粉原材料：硅粉、钛粉和石墨粉原料质量摩尔比为1-4:1.5-3:1，其中，硅粉、钛粉和石墨粉的粒径≥300目，将硅粉、钛粉和石墨粉混合均匀；向步聚（1）得到的混合粉体中加入NaCl，NaCl加入量为该混合粉体总重量的1-2倍；将得到的混合物研磨混合均匀并制成坯体；将坯体放入1000℃的熔融氯化钠中，保温60分钟，冷却后得到载有TiC/TiSi₂复合粉体的氯化钠盐块；将载有TiC/TiSi₂复合粉体的氯化钠盐块经脱盐处理，去掉氯化钠，即得100-500nm的TiC/TiSi₂复合粉体。
一种制备纳米 tic tisi2 复合方法

[发明专利]一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末的快速晶化方法-CN201010541470.0有效
发明人：李延辉;王立;尹少武;杨福明 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：一种利用硅粉做添加剂实现非晶氮化硅粉体的快速晶化方法，属于超细氮化硅粉末的制备技术领域。其特征是将非晶氮化硅粉和作为添加剂的硅粉按照氮化硅粉∶硅粉＝(98～50)∶(2～50)的质量比例充分混合，再经过筛分、干燥工序后，装入高温氮气炉内进行非晶氮化硅的晶化；添加剂硅粉在有效缩短非晶氮化硅晶化时间的同时，与氮气发生燃烧合成反应生成α相氮化硅，最终产品为高α相氮化硅粉体，产品中硅含量在0.1％以下。硅粉作为晶化添加剂，可以在有效促进非晶氮化硅粉晶化过程，大大缩短晶化时间的同时，完成硅粉自身的氮化。该方法生产效率高、设备简单、操作方便、快速节能、且产物纯度高，特别适合通过非晶氮化硅粉来批量生产高α相含量的优质氮化硅粉。
一种硅粉作添加剂实现氮化粉末快速方法

[发明专利]用于锂电池的负极材料及其制备方法和锂电池-CN201910926725.6在审
发明人：李文超;唐仁衡;王英;黄玲;周庆 -专利权人：广东省稀有金属研究所
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：其具有核结构和包覆核结构的壳结构；核结构包括氧化亚硅复合颗粒以及附着于所述氧化亚硅复合颗粒上的纳米硅；其中，氧化亚硅复合颗粒含有：SiO、SiO
核结构复合颗粒氧化亚硅锂电池负极材料壳结构首次库伦效率首次充放电碳包覆层体积变化纳米硅包覆附着脱锂制备缓解

[发明专利]一种氧化亚镍粉体的制备方法-CN201110076233.6无效
发明人：闫忠强;郭幸;王红忠;郭丹;马玉芳;贾跃花;何艳;刘世红;敬春梅;路维华 -专利权人：兰州金川新材料科技股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：一种氧化亚镍粉体的制备方法，涉及用于电池材料、催化剂、磁性材料、电子材料、陶瓷等领域氧化亚镍粉末材料的制备方法。其特征在于其制备过程是将镍盐溶液雾化后，在高温下进行热分解后制取氧化亚镍粉体的。本发明的方法用镍盐溶液作为原料，雾化后在高温、可控气氛中使镍盐热解生成氧化亚镍（NiO），产生尾气经过吸收形成再生酸的方法。该方法可以一步连续实现从溶液到氧化亚镍的制备过程，且用该方法制得的氧化亚镍粉末粒度在0.2～20微米范围内可控，粉末粒度分布均匀、性能优异。该制备方法节能、环保、生产成本低，具有显著的经济和社会效益。
一种氧化亚镍粉体制备方法

[发明专利]一种具有层状结构硅碳负极材料的制备方法-CN202110823686.4有效
发明人：韩峰;孙玉治;韩少峰;郭峰;彭渊敏 -专利权人：赣州市瑞富特科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有层状结构硅碳负极材料的制备方法，该方法旨在解决现今锂离子电池硅碳负极材料存在膨胀不均匀，从而导致材料界面不稳定的技术问题。该方法的大致步骤为：选取片状单粒子的石墨和硅颗粒并混合，得到混合粉体；将混合粉体加入碳源前驱体溶液中，通过物理搅拌和超声分散，得到混合粉体悬浊液；将混合粉体悬浊液进行抽滤成型，得到高取向度的层状堆叠固体；将层状堆叠固体进行高温碳化，得到被无定型碳均匀包覆的层状石墨/硅固体；将层状石墨/硅固体进行粉碎，得到层状石墨/硅复合物；以碳纳米管和硬炭前驱体为原料，在层状石墨/硅复合物表面束缚一层碳纳米管导电网络，最终得到具有层状结构的硅碳负极材料。
一种具有层状结构负极材料制备方法

[发明专利]一种碳包覆氧化亚硅/g-C3-CN202010557531.6有效
发明人：薛安 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳包覆氧化亚硅/g‑C3N4复合材料，其原料包括：碳包覆氧化亚硅和g‑C3的含量为10‑45％，余量为包覆碳；氧化亚硅、g‑C3N4和包覆碳的含量总和为100％。本发明还公开了上述碳包覆氧化亚硅/g‑C3N4复合材料的制备方法。本发明还公开了上述碳包覆氧化亚硅/g‑C3N4复合材料在锂离子电池负极材料中的应用。本发明可以显著提高氧化亚硅的离子电导率和电子电导率，同时可以缓冲氧化亚硅在脱嵌锂过程中的体积变化，降低体积膨胀，提高容量保持率及循环性能。
一种碳包覆氧化 base sub

[发明专利]一种用于电极材料的硅氧颗粒及其制备方法和应用-CN201911007418.4在审
发明人：李喆;王岑;汪芳;张和宝 -专利权人：安普瑞斯(南京)有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电极材料的硅氧颗粒，其特征在于，所述硅氧颗粒包括：氧化亚硅颗粒，其通式为SiOx；碳层，多个所述氧化亚硅颗粒由所述碳层粘结，且碳层粘结的多个所述氧化亚硅颗粒由所述碳层包覆。本发明的硅氧颗粒致密、粒径分布窄、比表面积小，具有高容量，高库伦效率，低膨胀，循环保持率高等优点。
碳层氧化亚硅硅氧粘结致密电极材料库伦效率粒径分布低膨胀高容量包覆

[发明专利]一种硅氧颗粒及其制备方法和应用-CN202211174409.6在审
发明人：李喆;王岑;汪芳;张和宝 -专利权人：安普瑞斯（南京）有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电极材料的硅氧颗粒，其特征在于，所述硅氧颗粒包括：氧化亚硅颗粒，其通式为SiOx；碳层，多个所述氧化亚硅颗粒由所述碳层粘结，且碳层粘结的多个所述氧化亚硅颗粒由所述碳层包覆。本发明的硅氧颗粒致密、粒径分布窄、比表面积小，具有高容量，高库伦效率，低膨胀，循环保持率高等优点。
一种颗粒及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硼亚微米粉体及其制备方法-CN202110868858.X在审
发明人：尹邦进;陈冲;尹志勇 -专利权人：浙江吉成新材股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C01B32/991 文献下载
摘要：提供了一种碳化硼亚微米粉体及其制备方法，粉体粒度D50＝0.5‑1.0um，所有颗粒粒径分布集中在0.2‑1.8um之间，比表面积12‑16m2/g，包括以下按质量份比计的原料组分：平均粒径为10um碳化硼粉体：100；分散剂：0.1‑1.0；去泡剂正辛醇1‑2；所述原料组分以水做溶剂，通过砂磨机研磨得到所述碳化硼亚微米粉体。砂磨机放置粒径0.5‑1.0mm范围内的碳化硼微球研磨介质，10‑15小时得到碳化硼亚微米粉体。
一种碳化微米及其制备方法

[发明专利]一种同时回收光伏废玻璃和切割废硅粉的方法及装置-CN202310606986.6在审
发明人：孙岩;李鹏廷;胡志强;郭校亮;庞大宇 -专利权人：大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B09B3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时回收光伏废玻璃和切割废硅粉的方法及装置，属于光伏产业技术领域。其技术方案包括以下步骤：1)将切割废硅粉进行研磨；将光伏废玻璃破碎；2)将研磨之后的废硅粉和破碎之后的光伏废玻璃置于无水乙醇中超声清洗，干燥；3)将清洗后的切割废硅粉倒入模具中，用机械压力机压制成硅饼，将硅饼和破碎之后的光伏废玻璃装入坩埚中；4)将步骤3)坩埚中的硅饼和破碎之后的光伏废玻璃，在保护气氛中熔炼混匀；5)将步骤4)中熔炼混匀的熔体缓慢降温至熔体凝固，停止加热，再冷却至室温，制备得到再生硅样品本发明利用真空感应熔炼光伏废玻璃精炼和切割废硅粉，同时去除废硅粉中的氧化层实现再生硅的分离回收。
一种同时回收光伏废玻璃切割废硅粉方法装置

[发明专利]吸音材料、发声装置和电子设备-CN202310800401.4在审
发明人：潘泉泉;李春 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H04R9/06 文献下载
摘要：该吸音材料包括：硅铝沸石粉体，所述硅铝沸石粉体中具有供空气流通的纳米级微孔和介孔；石墨烯粉体，所述石墨烯粉体分散于所述硅铝沸石粉体中，所述石墨烯粉体在所述吸音材料中的质量占比小于或等于5％；胶粘剂，所述胶粘剂与所述硅铝沸石粉体、石墨烯粉体混合并胶粘定型；所述吸音材料的电导率大于或等于1*10‑5S/cm。
吸音材料发声装置电子设备

[发明专利]用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法-CN02100195.2无效
发明人：葛昌纯;曹永革 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2002-01-22 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种SHS工艺制备高α相Si3N4粉体和Si3N4晶须的方法，对于高α相Si3N4粉体的制备，添加剂α－Si3N4含量为硅粉含量的10－100wt％，NH4F+NH4Cl+CaF2的含量为硅粉含量的1－60wt％，wt％为重量百分比，维持SHS反应的氮气压力1－30MPa；所制得的超细Si3N4粉体，其比表面在2－6m2/g范围内，等效粒径在0.3－0.9μm范围内可调。对于Si3N4晶须的制备，β－Si3N4晶须反应物成分为Si粉，β－Si3N4粉为硅粉含量的5－15wt％，硅粉含量的1－60wt％的NH4Cl和硅粉含量的0.5－5wt％的分析纯Al粉；α－Si3N4晶须的反应物成分应为Si粉，α－Si3N4粉为硅粉含量的5－15wt％和硅粉含量的1－60wt％的NH4F，反应的氮气压力应5－20MPa。
燃烧合成相超细氮化硅粉体硅晶须方法

[发明专利]降低了低分子硅氧烷挥发量的难燃树脂组合物-CN200710170134.8无效
发明人：井原俊明;齐藤贤司 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明提供在树脂中的分散性良好，能够赋予树脂优异的难燃性，此外能够使从树脂中挥发的低分子硅氧烷量降低至小于10ppm的难燃粉体以及使用了该粉体的难燃树脂组合物。难燃树脂组合物，相对于100质量份的热塑性树脂，配合有10～200质量份的下述难燃粉体。难燃粉体，其特征在于：其是利用平均组成式(1)所示的有机聚硅氧烷在加压条件下对无机难燃粉体进行混炼、表面处理而成的难燃粉体，上述有机聚硅氧烷含有2000ppm以下采用丙酮萃取而定量的硅原子数2～10的低分子硅氧烷n为满足有机聚硅氧烷的重均分子量100000～3500000的数)。
降低分子硅氧烷挥发树脂组合