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[发明专利]反渗透膜及使用方法-CN201780078729.2有效
发明人：王焕庭;金昇柱 -专利权人：莫纳什大学
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本发明涉及膜和制造用于反渗透的膜的方法，所述膜具有(i)多孔基材和(ii)与所述多孔基材相邻并包含二维纳米片材料和交联聚合物的层。所述二维纳米片材料优选选自包括以下的石墨烯氧化物：还原的石墨烯氧化物、多孔石墨烯、多孔石墨烯氧化物、层压的石墨烯氧化物和多孔还原的石墨烯氧化物。
反渗透使用方法

[发明专利]一种快速沉淀制备碱式硫酸铜二维纳米片的方法-CN201910711655.2在审
发明人：侴术雷;赖伟鸿;李用成;李东祥;李亚书;宫毅涛 -专利权人：辽宁星空钠电电池有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C01G3/10 文献下载
摘要：本发明提供一种快速沉淀制备碱式硫酸铜二维纳米片的方法,在未来的工业化大量应用生产显得尤为重要。该方法在制备材料中具有高效，快速，简洁等多种优秀特征，克服了沉淀反应的快速析晶导致的调控二维纳米材料的巨大挑战性，制备出二维纳米材料Cu₂(OH)₂SO₄，本发明专利创新性的利用硫酸铜和氨水为反应剂，水为溶剂，利用氨水的低解离系数缓慢的释放出OH^‑离子，使得材料在生长过程中可以定向的按照二维方向生长。本发明提供一种具有优异性能的Cu₂(OH)₂SO₄纳米片的形貌和物相调控方法。
硫酸铜氨水形貌二维纳米材料二维纳米片快速沉淀制备碱式产物纯度沉淀反应二维方向节能环保生长过程物相调控优异性能制备材料创新性反应剂纳米片溶剂解离析晶制备离子释放生长调控应用生产

[发明专利]一种PEG修饰的二维纳米片光热转换材料及其应用-CN201710655253.6有效
发明人：张达;刘景丰;刘小龙;吴名 -专利权人：福建医科大学孟超肝胆医院（福州市传染病医院）
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种PEG修饰的二维纳米片光热转换材料，由四羟基蒽醌与二价铜离子配位自组装，再经PEG修饰而成，所述纳米片直径为500～800nm，其中四羟基蒽醌、二价铜离子摩尔用量比为1.5～2：1。本发明的二维纳米片，在近红外区具有较高的光吸收系数，在近红外激光照射下，具有较高的光热转换能力，拓展了现今的光热转换材料，可用于肿瘤的光热治疗。
一种 peg 修饰二维纳米光热转换材料及其应用

[发明专利]一种含纳米粉体的天然酯绝缘油的制备方法及制备装置-CN201911391622.0在审
发明人：姚伟;王伟;王栋;孙鹏;张洋;刘阳;杨涛;王吉;寇晓适;吕中宾 -专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C10M125/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种含纳米粉体的天然酯绝缘油的制备方法及制备装置，所述制备方法包括如下步骤：将微米氮化硼粉末和天然酯绝缘油的混合液通过间歇式超声模式进行超声剥离，之后将超声剥离后的混合液离心，收集含二维纳米氮化硼的上清液，所述二维纳米氮化硼的厚度为10nm以下，宽度为500nm以下；将含二维纳米氮化硼的上清液与天然酯绝缘油在真空环境下进行充分混合，之后对混合溶液进行脱气脱水，得到含纳米粉体的天然酯绝缘油；本发明还提供了一种包括超声模块、离心模块、分析检测模块、真空混合模块和脱气脱水模块的含纳米粉体的天然酯绝缘油的制备装置。
一种纳米天然绝缘油制备方法装置

[发明专利]一种具有多级孔结构的二维纳米网材料及其制备方法-CN202211310508.2在审
发明人：俞建勇;杨铭;张世超;丁彬 -专利权人：东华大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01D69/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多级孔结构的二维纳米网材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：将低分子量聚合物与中分子量聚合物在溶剂中共混得到共混聚合物溶液；将两种分相能力不同的非溶剂混合得到共混非溶剂；将共混聚合物溶液涂覆至纳米纤维基材表面，形成连续的超薄液膜，得到涂覆后的纳米纤维基材；将涂覆后的纳米纤维基材浸入共混非溶剂中进行差时相分离，以实现在二维纳米网中不同尺寸孔结构的构筑，得到具有多级孔结构的二维纳米网材料。
一种具有多级结构二维纳米材料及其制备方法

[发明专利]基于无机纳米线的复合胶体材料及其制备方法与3D打印应用-CN201810209911.3有效
发明人：梁嘉杰;刘水任;史鑫磊 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C09D11/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无机纳米线的复合胶体材料及其制备方法与3D打印应用。质量组成包括：1）一维纳米线或纳米管，根据公式ɸ=(π/4)ar‑1计算，纳米线体积浓度要大于或等于ɸ，其中ar为纳米线或纳米管的长径比；2）二维纳米片的含量为纳米线质量分数的五分之一到十五分之一；3）表面活性剂，0‑2%；4）溶剂：水和N,N‑二甲基甲酰等。通过无机纳米片层材料同时作为交联剂以及纳米线的分散剂，使得无机纳米线在高浓度的水分散液中形成稳定的三维交联网络，从而可制得具有优异流变特性的一维纳米线（纳米管）和二维纳米片复合胶体材料。
基于无机纳米复合胶体材料及其制备方法打印应用

[发明专利]一种连续制备二维纳米薄膜的装置-CN201210126021.9无效
发明人：徐明生;黄文符;钟明轶 -专利权人：徐明生;黄文符;钟明轶
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于在生产线上依次设置有进料腔室、第一处理腔室、第一平衡腔室、薄膜制备腔室、第二平衡腔室、第二处理腔室和出料腔室；进料腔室、第一处理腔室、薄膜制备腔室、第二处理腔室和出料腔室中至少一个腔室设有加热装置；各腔室之间设有阀门、真空系统和气体管道，样品通过样品传送装置在各腔室之间传输；薄膜制备腔室设有薄膜沉积系统。本发明结构简单、工作可靠，可连续大面积地制备均匀的石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适应于产业化制备二维纳米薄膜。
一种连续制备二维纳米薄膜装置

[发明专利]一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法-CN202111019106.2在审
发明人：肖宁如;曲玉宁;王丽丽 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法。二维半导体纳米片具有明显的物理和化学特征，使其有望替代零维和一维纳米晶，高效应用于新一代光电器件制造中。在非层状结构材料中合成出二维纳米片将有利于不同特性材料在实际生产生活中的应用。本专利以ZnSe纳米片为研究对象，采用简单易行的溶剂热方法，利用单一、无毒的溶液，在空气氛围中，将硒源与锌源溶液混合放入反应釜进行高温反应，合成ZnSe纳米片。
一种合成二维硒化锌纳米制备方法

[发明专利]一种基于二维纳米片构筑蜂巢孔状膜的方法及应用-CN202211173661.5在审
发明人：冉瑾;邵宏伟;李勇;李欣欣;张世超;顾晶晶 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B01D71/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维纳米片构筑蜂巢孔状膜的方法及应用，涉及膜制备技术领域，所述方法是将含超疏水聚合物的溶液与二维纳米片分散液混合均匀后沉积在多孔基底膜上，得到蜂巢孔状膜；本发明制备的蜂巢孔状膜的溶剂通量远大于原始二维材料堆积的膜的溶剂通量
一种基于二维纳米构筑蜂巢孔状膜方法应用

[发明专利]一种快速沉淀制备二维碱式氧化锰纳米片的方法-CN201910840063.0在审
发明人：赖伟鸿;李用成;宫毅涛;刚勇;李亚书;李东祥;王绍才 -专利权人：辽宁星空新能源发展有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明提供一种快速沉淀制备二维碱式氧化锰纳米片的方法，在未来的工业化大量应用生产显得尤为重要。该方法在制备材料中具有高效、快速、简洁等多种优秀特征，克服了沉淀反应的快速析晶导致的调控二维纳米材料的巨大挑战性，制备出二维纳米材料碱式氧化锰（MnOOH），利用氨水（NH₄OH）为沉淀剂快速沉淀出目标材料，NH₄OH具有低解离系数，可以缓慢的释放出OH^~离子，平衡材料的生长速度和扩散速度，使得材料在生长过程中可以定向的按照二维方向生长，本发明提供一种具有优异性能的MnOOH纳米片的形貌和物相调控方法。
二维纳米材料碱式氧化锰快速沉淀纳米片制备氨水形貌沉淀反应二维方向目标材料平衡材料生长过程物相调控优异性能制备材料生长沉淀剂二维解离析晶离子扩散释放调控应用生产

[发明专利]一种介电柔性薄膜及其制备方法-CN202210491992.7在审
发明人：姚玲敏;谢钊洋;谭艺鹏;高航;冯梓文;李卓阳 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明介电柔性薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1：以二氧化钛和硝酸铋为原料制备二维纳米钛酸铋；S2：将二维纳米钛酸铋加入有机溶剂中，混匀后加入PVDF，搅拌，得到二维钛酸铋/PVDF胶体；S3：采用溶液浇铸法将二维钛酸铋
一种柔性薄膜及其制备方法

[发明专利]一种插层-剥离勃姆石制备二维纳米片的方法-CN202310629558.5在审
发明人：白鹏;赵振祥;吴萍萍;吴安;谢威龙;阎子峰 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种插层‑剥离勃姆石制备二维纳米片的方法，具有大孔容高比表面积的二维勃姆石技术领域，提供了一种低成本合成兼具大孔容高比表面积的二维勃姆石纳米片的方法。本发明以无机小分子对勃姆石进行插层，并削弱层间作用力，从而剥离出二维勃姆石纳米片层。所得纳米片增加了勃姆石的比表面积，而纳米片组装形成的孔道提升了勃姆石的孔体积。本发明提供的制备方法具有合成成本低、操作简单、采用工业原料合成、不使用任何有机模板剂、适合工业化生产等优势；本发明制备的二维勃姆石纳米片孔容高达2.43cm3/g，比表面积高达542.3m2/g，由长度超过20nm厚度约为2nm的二维纳米片组装而成。
一种剥离勃姆石制备二维纳米方法

[发明专利]一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品-CN201711358841.X有效
发明人：张骐;金宝;周兴;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明属于硫化镉晶体材料领域，并公开了一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品。该方法包括下列步骤：(a)选取反应容器，将其划分为上游区域、中心区域和下游区域，选取Cd源和S源，将二者分开独立置于上游区域；(b)选取In化合物作为表面抑制剂置于中心区域，选取云母作为衬底置于下游区域；(c)在反应容器中通入惰性气体隔离氧气反应，反应后在云母衬底上形成单所需非层状二维纳米硫化镉晶体材料。通过本发明，满足大批量二维纳米CdS晶体材料的制备需求，产物晶面表面平整、形貌均一、元素分布均匀，且原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产。
一种制备层状二维纳米硫化晶体材料方法产品

[发明专利]0维钒酸盐量子点/二维石墨碳化氮纳米片的制备-CN201910587993.X在审
发明人：于京华;殷雪梅;葛慎光 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种0维钒酸盐量子点/二维石墨碳化氮纳米片复合材料的合成方法；0维/二维纳米材料异质结，尤其是量子点/纳米片异质结由于其高电荷迁移率而引起了科研人员对光激发电子/空穴使用的极大关注；在此，已经开发出钒酸盐AgVO₃，BiVO₄，InVO₄和CuV₂O₆）量子点/石墨碳氮化物异质结，其表现出超越传统0维/二维复合材料的多种独特进步；本发明利用超薄的石墨碳氮化物，高度分散的钒酸盐纳米晶体具备的光电活性，上转换吸收和氮配位点，以及它们之间的强耦合和带隙匹配通过原位反应途径制备复合材料，工艺流程简单，对环境无污染，操作过程简单，成本低，反应条件易实现，有望为各种光电子应用提供多功能0维/二维纳米材料。
钒酸盐量子点纳米片二维二维纳米材料复合材料石墨石墨碳碳化氮异质结空穴氮化物异质结制备复合材料电荷迁移率光电子应用环境无污染操作过程反应条件高度分散光电活性纳米晶体原位反应工艺流程氮化物强耦合上转换带隙氮配位点制备匹配合成激发吸收科研表现开发

[发明专利]一种利用盐湖卤水剥离二维材料及同步生产高纯氢氧化锂的方法-CN201911297510.9有效
发明人：孙伟;江锋;王丽;唐鸿鹄;张烨 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C25B1/16 文献下载
摘要：本发明涉及二维纳米材料制备领域及高纯氢氧化锂制备领域，具体为一种盐湖卤水生产高纯氢氧化锂及同步制备纳米二维材料的方法。本发明将待剥离的二维材料制成电极，然后在隔绝空气的有机环境中通过电解同步实现二维材料的剥离和高纯氢氧化锂的制备。本发明采用电化学法同步回收盐湖锂资源及制备纳米二维材料，具有连续作业、操作简单、产品性能稳定等特点，为盐湖锂资源的高效回收与纳米二维材料的制备提供稳定可靠的方法。
一种利用盐湖卤水剥离二维材料同步生产高纯氢氧化锂方法