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[发明专利]一种聚乳酸改性二硫化钼纳米片层的制备方法-CN201510028312.8有效
发明人：陈鹏鹏;聂王焰;周艺峰;梁霄 -专利权人：安徽大学
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚乳酸改性二硫化钼纳米片层的制备方法，首先通过锂插入剥离法制备单片层状二硫化钼，然后对单片层二硫化钼进行官能团修饰，最后将丙交酯与修饰了官能团的单片层二硫化钼进行原位聚合反应得到聚乳酸接枝二硫化钼复合材料本发明方法制得的聚乳酸接枝二硫化钼纳米片层改善了二硫化钼在聚合物中的分散情况，提高了二硫化钼的生物相容性以及其与聚合物的相容性。
一种乳酸改性二硫化钼纳米制备方法

[发明专利]一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法-CN201811326754.0在审
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种单晶二硫化钼器件阵列的制备方法，首先通过化学气相沉积法在基底表面生长大面积连续的多晶二硫化钼；其次通过刻蚀将二硫化钼图形化，在基底表面形成晶核阵列；之后将表面带有晶核阵列的基底再次进行化学气相沉积，在晶核处生成单晶二硫化钼，该单晶二硫化钼生长的位置由植入晶核的位置精确控制，形成单晶二硫化钼阵列；最后采用微纳加工技术加工金属电极，形成单晶器件阵列；本发明通过植入晶核的方法可避免二硫化钼器件阵列中存在晶界缺陷，获得高质量二硫化钼微纳器件阵列，为二硫化钼器件的实用化奠定基础。
二硫化钼单晶晶核器件阵列化学气相沉积基底表面植入制备微纳加工技术单晶器件金属电极晶界缺陷微纳器件生长图形化多晶基底刻蚀加工

[发明专利]一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法-CN201310187544.9有效
发明人：胡源;周克清;桂宙 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C08K9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其包括如下步骤：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将有机改性剂加入二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。本发明提供的有机改性二硫化钼纳米片层制备方法简单，成本低，制得的有机改性二硫化钼纳米片层的层间距大，能较好的分散在有机溶剂中且不易团聚，具有广阔的应用前景。
一种有机改性二硫化钼纳米及其制备方法

[发明专利]一种糖类有机碳还原制备类石墨烯二硫化钼的方法-CN201610964522.2有效
发明人：胡平;王快社;陈震宇;常恬;周宇航;杨帆;胡卜亮;李秦伟;邓洁;刘晓平 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种糖类有机碳还原制备类石墨烯二硫化钼的方法，将二硫化钼粉末加入到插层溶液中进行插层反应，反应完成后过滤、烘干，得到插层二硫化钼粉末；将步骤一制得的插层二硫化钼粉末与糖类有机碳和水混合并搅拌均匀，干燥、研磨，得到前驱体粉末；前驱体粉末在保护气体下进行还原反应，反应完全后冷却，取出反应产物，研磨后即得到类石墨烯二硫化钼。本发明利用糖类有机碳源与二硫化钼混合形成前驱体，使得有机碳源插入二硫化钼粉末层间增大其层间距离，减弱二硫化钼层间范德华力作用，结合糖类有机碳源加热碳化促使实现二硫化钼的还原与剥离。
一种糖类有机还原制备石墨二硫化钼方法

[发明专利]二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统-CN201910899712.4有效
发明人：刘大猛;房亮;庞华;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统，该方法包括：获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件；根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，获得二硫化钼的摩擦特征数据；在获得二硫化钼的目标摩擦力后，基于二硫化钼的摩擦特征，控制电子束照射二硫化钼，以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力。本发明可以对二硫化钼进行摩擦调控，避免静电力的干扰，准确度高。
二硫化钼摩擦调控方法装置系统

[发明专利]一种yolk-shell结构二硫化钼@碳电极材料的制备方法-CN201711154716.7在审
发明人：卢红斌;潘运梅;张佳佳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种yolk‑shell结构二硫化钼@碳电极材料的制备方法。利用二硫化钼前驱体溶剂热（乙二醇）得到单分散二硫化钼纳米球；多巴胺在二硫化钼颗粒界面自聚合得到二硫化钼@聚多巴胺核壳结构，将二硫化钼@聚多巴胺进行高温碳化处理得到核壳结构二硫化钼@碳纳米颗粒；将二硫化钼@碳分散在双氧水溶液中，经双氧水刻蚀处理得到yolk‑shell结构二硫化钼@碳材料。二硫化钼和碳壳之间的空隙可以通过调节双氧水的浓度来实现很好的调控。当双氧水的浓度为0.4 vol%时，制备得到的yolk‑shell结构二硫化钼@碳锂离子电池负极在第二圈的放电比容量高达1167 mAh g‑1，经过200圈循环之后的放电比容量为
一种 yolk shell 结构二硫化钼电极材料制备方法

[发明专利]基于改性二硫化钼的橡胶密封复合材料及其制备方法-CN202210464605.0在审
发明人：石敏;孙静;宋季岭;秦舒浩 -专利权人：贵州省材料产业技术研究院
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C08L23/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于改性二硫化钼的橡胶密封复合材料及其制备方法，包括橡胶基体、改性二硫化钼、硫化剂、硫化助剂和填料，橡胶基体、改性二硫化钼、硫化剂、硫化助剂和填料的质量比分别为75‑80：4‑8：0.5本发明将二硫化钼进行有机改性，增加二硫化钼在橡胶中的分散性以及增加橡胶与二硫化钼的界面相容性，将改性后的二硫化钼与橡胶进行共混薄通，硫化以后得到低摩擦系数橡胶复合材料。
基于改性二硫化钼橡胶密封复合材料及其制备方法

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法-CN202110432046.0有效
发明人：唐军利 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明一种二硫化钼薄膜的制备方法，将工件去油去污，超声波清洗30～60min，得到清洗后的工件，然后将清洗后的工件悬挂于磁控溅射炉内，使清洗后的工件表面正对二硫化钼靶材，二硫化钼靶材的纯度不小于99.9％，二硫化钼靶材与工件待涂面的距离为8～10cm，利用磁控溅射将二硫化钼均匀溅射在工件表面，形成二硫化钼薄膜材料初制品，最后将步骤2的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，得到二硫化钼薄膜。本发明通过在磁控溅射过程中使用高电压、低电流可以使得二硫化钼的晶型定向排列，从而得到银灰色二硫化钼薄膜，一方面可以提高二硫化钼润滑效果，另一方面磁控溅射控制容易，工艺简单，适于大规模工业化生产。
一种二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铁层状双金属氢氧化物/二硫化钼复合材料及其制备方法和应用-CN202210885020.6在审
发明人：刘阳桥;孙盛睿;汤亚;李小红 -专利权人：江苏先进无机材料研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铁层状双金属氢氧化物/二硫化钼复合材料及其制备方法和应用。所述铜铁层状双金属氢氧化物/二硫化钼复合材料包括：二硫化钼，以及原位生长在二硫化钼表面的铜铁层状双金属氢氧化物；所述二硫化钼中金属性二硫化钼的质量含量≥50%。
一种层状双金属氢氧化物二硫化钼复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种界面修饰的二硫化钼材料及其制备方法与应用-CN202211048407.2有效
发明人：陈洪;王然浩 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种界面修饰的二硫化钼材料及其制备方法与应用。所述界面修饰的二硫化钼材料为吡啶类物质共价修饰的二硫化钼材料。本发明公开的界面修饰的二硫化钼材料，是一种新型的有机功能分子修饰的二硫化钼材料，具体为吡啶类物质共价修饰的二硫化钼材料。所述界面修饰的二硫化钼材料具有良好的水溶性和稳定性，且对贵金属具有较高的回收效率，应用前景好。
一种界面修饰二硫化钼材料及其制备方法应用

[实用新型]一种制备微细二硫化钼的粉碎装置-CN202222467813.4有效
发明人：朱传荣;马团结;庞晓波 -专利权人：上海若松金属制品有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备微细二硫化钼的粉碎装置，属于二硫化钼制备技术领域，解决了现有的二硫化钼粉碎存在粉碎效果差的问题，其技术要点是：第一箱体内设置有破碎筛分机构以及输料机构，第二箱体内设置有粉碎机构，破碎筛分机构和输料机构可实现对二硫化钼的多次粉碎筛分作业，显著提升了对二硫化钼的粉碎效率以及粉碎效果，使二硫化钼粉碎的较为彻底，通过破碎筛分机构中设置的一个第一电机，即可实现对二硫化钼的粉碎以及二硫化钼的输送作业，节省了电器的使用，具有节能环保的理念，粉碎机构可便于对进入的二硫化钼进行再次的粉碎作业，显著提升了对二硫化钼的粉碎效率，具有粉碎效果好和粉碎效率高的优点。
一种制备微细二硫化钼粉碎装置

[发明专利]一种中空花球结构二硫化钼及其应用-CN202210069144.7在审
发明人：齐福刚;余昊;欧阳晓平;李盾;赵镍;张彪;曹红帅;刘洋彬;向泽辉;唐俊;周遨;谭雅莉 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种中空花球结构二硫化钼及其应用，属于涂料设计制备技术领域。所述二硫化钼呈现出中空花球状；中空花球结构二硫化钼中含有呈“U”型结构的中空花球结构二硫化钼颗粒；所述呈“U”型结构的中空花球结构二硫化钼颗粒中，中空部位直接和外接连通道。其制备方法为：利用一步水热法制备尺寸和形貌不同的花球状二硫化钼。其应用为：利用全氟硅烷改性剂在极性有机溶剂中将花球状二硫化钼改性成具有含氟的超疏水有机基团的二硫化钼；将改性二硫化钼和树脂粉末用分散机按一定比例均匀分散混合，得到多功能有机涂料。本发明首次利用特殊结构的二硫化钼的吸波性能制备出了具有防污、防腐、吸波等功能的多功能涂层。
一种中空结构二硫化钼及其应用

[发明专利]一种高导电性二硫化钼材料及其制备方法、应用-CN201911302683.5有效
发明人：杨亚东;吴炳辉 -专利权人：山东海科创新研究院有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼材料，所述二硫化钼材料含有氧元素；所述二硫化钼材料中的氧原子含量小于等于1at％。本发明得到了一种具体较高导电性的二硫化钼材料，该二硫化钼材料中含有少量的氧元素(氧原子)，达到了提高导电性的目的。而且本发明采用了一种快速简单方法制备上述具有高导电性的二硫化钼微片，通过在少氧氛围下低温煅烧，得到了高导电的二硫化钼微片，再结合特定的整体制备过程，还使得制备的二硫化钼微片具有优异的分散性。本发明提供的制备方法工艺简单、易操作、成本低及适合大规模制备，扩宽二硫化钼的应用领域，推动二硫化钼的快速发展。
一种导电性二硫化钼材料及其制备方法应用

[发明专利]一种金属相二硫化钼基面内异质结构、自支撑电极、制备方法及应用-CN202210440305.9有效
发明人：李楠;王凯雯;刘志鹏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明适用于材料领域，提供了一种金属相二硫化钼基面内异质结构，包括：所述金属相二硫化钼基面内异质结构以金属相二硫化钼的纳米片层为主体，将过渡金属硫化物的团簇嵌入金属相二硫化钼的片层面内，即过渡金属硫化物的团簇取代金属相二硫化钼片层中部分二硫化钼团簇，在所得到的异质结构中，过渡金属硫化物团簇和金属相二硫化钼位于同一平面内。在这种异质结构中，能带结构丰富且易于调控的过渡金属硫化物可以与金属相二硫化钼在界面处产生丰富的“硫桥”，从而调节硫原子的电子结构；此外，过渡金属硫化物团簇与金属相二硫化钼形成“线/面”接触，能够形成更为丰富的异质相界面
一种金属二硫化钼基面内异质结构支撑电极制备方法应用

[发明专利]一种钠离子电池硬炭-二硫化钼负极材料及其制备方法-CN202210928908.3在审
发明人：谢皎;王瑨 -专利权人：四川佰思格新能源有限公司;成都佰思格科技有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种钠离子电池硬炭‑二硫化钼负极材料及其制备方法，涉及钠离子电池技术领域，制备方法包括如下步骤：将钼源与硫源溶解于溶剂中，混合，得到混合液；将混合液进行喷雾干燥，得到二硫化钼前驱体；在氩氢混合气保护下，对二硫化钼前驱体进行烧结，得到二硫化钼；将碳源与二硫化钼混合，加入乙烯焦油，进行烧结，得到钠离子电池硬炭‑二硫化钼负极材料。本发明提供的钠离子电池硬炭‑二硫化钼负极材料的制备方法，首先通过钼源与硫源反应生成二硫化钼，再将碳源与二硫化钼混合、烧结，得到以硬炭材料包覆二硫化钼的结构，一方面提高导电性能，另一方面避免储钠过程中膨胀率过高
一种钠离子电池二硫化钼负极材料及其制备方法