“二氮杂萘类”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果9266486个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多环芳烃并氮杂萘类衍生物、其合成方法及其电子器件-CN202010301079.7在审
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及多环芳烃并氮杂萘类衍生物及其合成方法和含有多环芳烃并氮杂萘类衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，Z表示CR1或者本发明的多环芳烃并氮杂萘类衍生物通过引入多环芳烃并氮杂萘类刚性结构，得到的多环芳烃并氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的多环芳烃并氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。
芳烃氮杂萘类衍生物合成方法及其电子器件

[发明专利]氮杂萘类衍生物、其合成方法及其电子器件-CN202010293485.3在审
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及氮杂萘类衍生物及其合成方法和含有氮杂萘类衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，L1～L3各自独立地表示单键、羰基、具有6至18个碳原子的芳香族烃基或具有5至18个碳原子的芳香族杂环基的一个或多个。本发明的氮杂萘类衍生物通过引入氮杂萘类刚性结构，得到的氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。
氮杂萘类衍生物合成方法及其电子器件

[发明专利]氮杂萘类衍生物及其制备方法和电子器件-CN202010294749.7在审
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明提供一种氮杂萘类衍生物及其制备方法和电子器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明通过引入氮杂萘类衍生物的稠环结构，得到的氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的氮杂萘类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
氮杂萘类衍生物及其制备方法电子器件

[发明专利]苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法和电子器件及发光光谱调节方法-CN202010295405.8在审
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明提供一种苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法和电子器件及发光光谱调节方法，涉及有机光电材料技术领域。本发明通过引入苊并氮杂萘类衍生物的稠环结构，得到的苊并氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
氮杂萘类衍生物及其制备方法电子器件发光光谱调节

[发明专利]苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法及红外电子器件和红外装置-CN202010296086.2有效
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C07D487/06 文献下载
摘要：本发明提供一种苊并氮杂萘类衍生物及其制备方法及红外电子器件和红外装置，涉及有机光电材料技术领域。本发明通过引入苊并氮杂萘类衍生物的稠环结构，得到的苊并氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的苊并氮杂萘类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
氮杂萘类衍生物及其制备方法红外电子器件装置

[发明专利]含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜及其制备方法-CN201010141349.9有效
发明人：蹇锡高;张守海;杨大令;王锦艳;刘程 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： B01D71/52 文献下载
摘要：本发明公开了一类含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜及其制备方法。含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜由含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮经卤甲基化改性，得到卤甲基化含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮。卤甲基化含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮(以卤甲基取代度为100％时为例)的结构简式如下：其中X可以为将卤甲基化含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮溶解于溶剂中配制铸膜液，刮制成膜。再浸泡于多元胺或吡啶溶液中进行胺化处理，得到含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜。由于聚合物分子链中含有全芳环扭曲非共平面的二氮杂萘酮联苯结构，所制得阴离子交换膜具有优良的选择透过性能。
含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换及其制备方法

[发明专利]含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮两性离子交换膜及其制备方法-CN201711016692.9有效
发明人：蹇锡高;张守海;刘程;王锦艳 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C08J5/22 文献下载
摘要：本发明属于离子交换膜技术领域，公开了一类含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮两性离子交换膜及其制备方法。含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮两性离子交换膜由含卤甲基二氮杂萘酮结构聚芳醚酮与磺化含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮混合后溶解于溶剂中配制铸膜溶液，刮制成膜，得到共混基膜，将其浸泡于多元胺或吡啶溶液中对卤甲基进行胺化处理，得到即含有磺酸基团又含有季铵基团或吡啶基团的含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮两性离子交换膜。由于聚合物分子链中含有全芳环扭曲非共平面的二氮杂萘酮联苯结构，在强酸强氧化性溶液中具有良好的化学稳定性，同时具有高离子选择性和传导性，在全钒液流电池领域具有非常好的应用前景。
含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮两性离子交换及其制备方法

[发明专利]芴并氮杂萘类衍生物、其合成方法及其电子器件-CN202010307203.0在审
发明人：崔林松;朱向东;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及芴并氮杂萘类衍生物及其合成方法和含有芴并氮杂萘类衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，Y表示C(R1)氮杂萘类衍生物通过引入芴并氮杂萘类刚性结构，得到的芴并氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的芴并氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。
氮杂萘类衍生物合成方法及其电子器件

[发明专利]氮杂双环医药中间体的合成及工艺方法-CN201110066023.9有效
发明人：吴勇;齐铭 -专利权人：韶远化学科技(上海)有限公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明提供了一类喹啉酮羧酸和萘啶酮羧酸类抗生素类、及治疗前列腺增生等新型药物中间体多氮杂环的合成及工艺方法。利用便宜、易得氨基丙醛缩二甲醇和氮取代的甘氨酸为原料，经过5步反应，得到氮杂双环化合物。本方法原料易得，成本低，反应简单，易于控制，处理简单，收率高，并且易于放大生产，包括但不限于脂肪族，芳香族和杂环类多氮杂环，本发明为绿色化工提供了一条切实可行的喹啉酮羧酸和萘啶酮羧酸类医药中间体多氮杂环的合成及工艺方法
氮杂双环医药中间体合成工艺方法

[发明专利]含双二氮杂萘酮的无规磺化高聚物及其合成和应用-CN200410051862.3无效
发明人：孟跃中;陈玉林;肖敏;王雷;王拴紧 -专利权人：中山大学
申请日： 2004-10-19 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明涉及一类含双二氮杂萘酮的无规磺化高聚物及其合成和应用。该类化合物的结构如式(1)所示，其合成过程是：利用一系列新型含双二氮杂萘酮类双酚单体与磺化二卤单体和二卤单体在碳酸钾的作用下于极性非质子溶剂里进行共聚反应，通过调节磺化二卤单体和二卤单体的摩尔比，制备得一类磺化度不同的含双二氮杂萘酮的无规磺化高聚物
含双二氮杂萘酮磺化高聚物及其合成应用

[发明专利]表面改性的含二氮杂萘酮联苯结构的聚芳醚类骨植入材料及其制备方法-CN201811237105.3有效
发明人：蹇锡高;柳承德;刘程;王锦艳;张守海 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： A61L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面改性的含二氮杂萘酮联苯结构的聚芳醚类骨植入材料及其制备方法。所述聚芳醚类骨植入材料包括：含二氮杂萘酮联苯结构的聚芳醚，表面为带孔的三维结构；聚多巴胺层，附着于所述聚芳醚的表面；类骨磷灰石层，附着于所述聚多巴胺层的表面；一种表面改性的含二氮杂萘酮联苯结构的聚芳醚类骨植入材料的制备方法，包括：在聚芳醚表面制备带孔三维结构的步骤、聚多巴胺改性聚芳醚的步骤和类骨磷灰石层的制备步骤。
表面改性含二氮杂萘酮联苯结构聚芳醚类骨植入材料及其制备方法

[发明专利]燃料电池用电极、其制造方法和采用其的燃料电池-CN200710199859.X有效
发明人：崔成宇;朴贞玉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：所述催化剂层包括催化剂和选自上式1表示的第一氧氮杂萘单体、上式2表示的第二氧氮杂萘单体、其组合、由第一氧氮杂萘单体构成的均聚物、由第二氧氮杂萘单体构成的均聚物和由第一和第二氧氮杂萘单体构成的共聚物的至少一种所述电极的第一和/或第二氧氮杂萘单体包含氟或含氟官能团。
燃料电池用电制造方法采用

[发明专利]一种氮杂萘酰亚胺类Cd2+探针分子及其合成方法与应用-CN201610545865.5有效
发明人：张宇;郭祥峰;杨瑞;贾丽华 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：一种氮杂萘酰亚胺类Cd2+探针分子及其合成方法与应用，本发明涉及Cd2+探针分子及其合成与应用。本发明是要解决现有的检测Cd2+的分子探针抗Zn2+干扰性较差的技术问题。本发明的氮杂萘酰亚胺类Cd2+探针分子，其结构式为制法用吡喃并[3,4,5‑de]喹啉‑2,4,6(1H)‑三酮、烷基胺在乙醇中反应后，分离出中间体Ⅰ；再与三氯氧磷反应，分离出中间体Ⅱ；再与2‑氨基苄胺反应，分离出中间体Ⅲ；再与2‑氯乙酰氯反应，分离出中间体Ⅳ；最后与二(2‑吡啶甲基)胺反应，分离出氮杂萘酰亚胺类Cd2+探针分子。
一种氮杂萘酰亚胺 cd sup 探针分子及其合成方法应用

[发明专利]含氮双杂环医药中间体的合成及工艺方法-CN201110066022.4有效
发明人：吴勇;齐铭 -专利权人：韶远化学科技(上海)有限公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明提供了一类喹啉酮羧酸和萘啶酮羧酸类抗菌类、及治疗前列腺增生等新型药物中间体多氮杂环的合成及工艺方法。利用便宜和易得的吡啶二羧酸为原料，经过4步反应，得到含氮双杂环化合物。本方法原料易得，成本低，反应简单，易于控制，处理简单，收率高，并且易于放大生产，包括但不限于脂肪族，芳香族和杂环类多氮杂环，本发明为绿色化工提供了一条切实可行的喹啉酮羧酸和萘啶酮羧酸类药物中间体的合成及工艺方法
含氮双杂环医药中间体合成工艺方法

[发明专利]阻碍剂-CN200480005332.3无效
发明人：中谷和彦;堀江壮太;斋藤烈;萩原伸也;后藤佑树;小堀哲生 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：一种阻碍剂，其中含有萘啶二聚物、萘啶－氮杂喹啉酮杂种、三萘啶－氮杂喹啉酮杂种、或三萘啶－氮杂喹啉酮杂种的衍生物。对RRE 100纳摩尔浓度和Rev蛋白100纳摩尔浓度的结合，如使用含萘啶二聚物的阻碍剂，则采用1.2微摩尔浓度～12微摩尔浓度，如使用含萘啶－氮杂喹啉酮杂种的阻碍剂，则采用2微摩尔浓度～20微摩尔浓度，如使用含三萘啶－氮杂喹啉酮杂种或三萘啶－氮杂喹啉酮杂种衍生物的阻碍剂，则采用200纳摩尔浓度～2微摩尔浓度。
阻碍

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top