专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]液晶显示面板-CN200710154240.7有效
  • 廖丽美;洪孟锋;林世轩 - 中华映管股份有限公司
  • 2007-09-10 - 2009-03-18 - G02F1/1362
  • 本发明涉及一种液晶显示面板,其包括对向基板、导电胶与主动元件阵列基板,其中对向基板具有共通电极层,且导电胶配置于共通电极层与主动元件阵列基板之间。主动元件阵列基板包括主动元件阵列、检测线路、透明导电层与多个第二接垫,其中主动元件阵列包括多条第一、多条第二配线与多个像素结构。检测线路与第一配线电性连接。因此,此主动元件阵列基板具有较大的布线区域。
  • 液晶显示面板
  • [发明专利]有机发光显示器-CN201910531102.9有效
  • 柯聪盈;郑贵宁;胡克龙;林立峯;陈钰琪;林恭正;马健凯;王品凡 - 友达光电股份有限公司
  • 2019-06-19 - 2023-10-27 - H10K59/12
  • 一种有机发光显示器,其包括基板、主动元件阵列层、有机钝化层、像素定义层、第一电极层、发光图案层以及第二电极层。主动元件阵列层设置于基板上,其中主动元件阵列层包括多个无机材料层。有机钝化层位于主动元件阵列层上。第一电极层位于有机钝化层上且贯穿有机钝化层而连接到主动元件阵列层。像素定义层位于第一电极层上且具有至少一子像素开口。发光图案层位于子像素开口中且接触第一电极层。第二电极层为无机材料,第二电极层覆盖发光图案层与像素定义层,其中第二电极层贯穿像素定义层以接触第一电极层,并且沿着像素定义层的外侧缘向下延伸并贯穿有机钝化层以接触主动元件阵列层中的至少一个无机材料层。
  • 有机发光显示器
  • [发明专利]应用于阵列式光主动元件的光次模组-CN200310112920.4无效
  • 陈逸明;王炯宏;郑耀龄;吴承勋;李顺天 - 财团法人工业技术研究院
  • 2003-12-25 - 2005-07-06 - G02B6/32
  • 一种应用于阵列式光主动元件的光次模组。为提供一种简化组装步骤、组装便捷、加速组装速度、提高耦合精度的信息传送系统部件,提出本发明,它包括基板、光主动元件、驱动IC、电路基板及封盖;基板具有分别形成阵列式透镜及形成金属接点、导线、对位点的两相对表面;光主动元件上设有连接基板金属接点的端子及相对于阵列式透镜的阵列式光点;驱动IC上设有连接基板上金属接点的端子,并透过导线连接至与光主动元件连接的金属接点,以驱动光主动元件;电路基板上设有连接基板上金属接点的端子,并透过导线与连接至与驱动IC连接的金属接点,以提供驱动IC的工作电源及相关控制信号;封盖覆盖基板、主动发光元件、驱动IC及部分电路基板。
  • 应用于阵列主动元件模组
  • [发明专利]显示面板及其制作方法-CN202111114150.1有效
  • 李明贤;吴佳恩;张书瀚 - 友达光电股份有限公司
  • 2021-09-23 - 2023-04-18 - H01L27/12
  • 一种显示面板及其制作方法,显示面板包括像素阵列基板及发光元件。像素阵列基板包括基板、主动元件、平坦层、多个金属接垫及多个导电氧化物图案。主动元件位于基板上并具有漏极。平坦层位于主动元件上。金属接垫位于平坦层上,主动元件的漏极电性连接金属接垫的其中之一。导电氧化物图案具有多个分别位于各金属接垫上的第一导电保护部,各第一导电保护部具有一开口,开口重叠于各金属接垫的顶面。发光元件位于像素阵列基板上,发光元件通过各第一导电保护部的开口电性连接各金属接垫。
  • 显示面板及其制作方法
  • [发明专利]主动元件基板及其制造方法-CN202210825484.8在审
  • 范扬顺;黄震铄 - 友达光电股份有限公司
  • 2022-07-13 - 2022-09-30 - H01L27/12
  • 本发明公开一种主动元件基板及其制造方法,其中该主动元件基板包括基板、第一半导体元件以及第二半导体元件。第一半导体元件以及第二半导体元件设置于基板之上。第一半导体元件包括第一栅极、第一半导体层、第一源极以及第一漏极。第一栅极与第一半导体层之间夹有栅介电结构。栅介电结构包括栅介电层的一部分与铁电材料层的一部分的堆叠。第二半导体元件电连接至第一半导体元件,且包括第二栅极、第二半导体层、第二源极以及第二漏极。第二栅极与第二半导体层之间夹有铁电材料层的另一部分。
  • 主动元件及其制造方法

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