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- [发明专利]外设的中断处理方法及设备-CN202110714677.1有效
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叶永汉
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厦门紫光展锐科技有限公司
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2021-06-25
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2022-08-30
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G06F9/48
- 本申请提供一种外设的中断处理方法及设备,涉及计算机技术领域。该方法应用于中断处理电路,中断处理电路包括至少一个中断接口、与中断接口对应的事件控制器,每个中断接口对应一个事件控制器,事件控制器是独立于中央处理器的数字逻辑电路,上述方法包括:通过中断接口接收第一外设的中断信号;响应于中断信号,通过中断接口对应的事件控制器,将中断接口对应的源寄存器指定的控制标记,写入到中断接口对应的目标寄存器指定的目标地址中,控制标记用于指示对目标地址对应的第二外设,进行与控制标记对应的控制处理
- 外设中断处理方法设备
- [发明专利]一种InGaN半导体材料及其外延制备方法和应用-CN201910667348.9有效
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江灏;王海龙
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中山大学
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2019-07-23
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2021-11-02
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H01L21/02
- 本发明公开了一种InGaN半导体材料及其外延制备方法和应用,所述InGaN半导体材料包括InGaN外延层,所述InGaN外延层采用Ga迁移增强外延方法制备,制备时通过对生长源通入量的周期性调制进行生长,在InGaN外延层的单个生长周期内向反应腔室同时通入或中断所用的N源和In源,而在同时中断和/或通入N源和In源时通入Ga源。本发明提供的InGaN半导体材料,具有缺陷密度低、结晶质量高、In组分分布均匀和光学性质良好的优点;所提供的外延制备方法为Ga迁移增强外延法,其通入时序可以有效增强Ga原子在生长表面的迁移,并减少In源与Ga源的晶格并入竞争,提高Ga源的利用率;这种方法制备的InGaN半导体材料具有广泛的应用前景。
- 一种ingan半导体材料及其外延制备方法应用
- [发明专利]数据传导方法及装置-CN202011572972.X在审
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任亮;傅雨梅;王璞;赵大卫
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北京知因智慧科技有限公司
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2020-12-25
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2021-04-06
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G06Q10/06
- 该方法包括:确定风险源企业节点;当风险源企业节点存在于包含环结构的企业图谱中时,根据风险传导规则判断风险源企业节点中携带的风险传导到的当前企业节点是否为经标记的企业节点;如果当前企业节点为经标记的企业节点,则中断所述的传导并获取风险传导路径;如果当前企业节点不为经标记的企业节点,则所述继续进行传导。本发明实施例的数据传导方法及装置针对风险在包含环结构的企业图谱中传导的问题设定了传导处理规则,使得风险传导能够在满足中断条件时中断,解决了在风险传导过程中的循环传导问题,提高了传导风险值的精准度,从而提高了风险传导技术的实用性
- 数据传导方法装置
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