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[发明专利]一种铀钚溶液贮槽及乏燃料后处理系统-CN202310348043.8在审
发明人：于淼;陈添;邵增;杨海峰;易璇;胡小利;张毅诚 -专利权人：中国核电工程有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G21F9/22 文献下载
摘要：本发明公开一种铀钚溶液贮槽以及包括该铀钚溶液贮槽的乏燃料后处理系统，所述铀钚溶液贮槽包括筒体、中子吸收组件，中子吸收体组件包括第一中子吸收体与第二中子吸收体，所述第一中子吸收体与所述第二中子吸收体均设置筒体内部，且所述第一中子吸收体位于所述筒体的中心，所述第二中子吸收体的横截面为圆环形，所述第一中子吸收体与所述第二中子吸收体将筒体内部分隔成第一贮存区域与第二贮存区域，所述第一贮存区域位于第一中子吸收体与第二中子吸收体之间，所述第二贮存区域位于筒体内壁与第二中子吸收体之间，所述第一贮存区域和所述第二贮存区域均用于存储铀钚溶液。
一种溶液贮槽燃料处理系统

[发明专利]一种具有反射层的非均匀控制棒-CN202110474238.8有效
发明人：刘成;聂小琴 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G21C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反射层的非均匀控制棒，包括：内层柱体，其上端连接有控制棒驱动装置连接杆，所述内层柱体设置有间隔分布的中子吸收体Ⅰ和非中子吸收体Ⅰ；外层圆环柱体，其可滑动设置在所述内层柱体的外部，其结构包括：中子吸收体Ⅱ和非中子吸收体Ⅱ，其在所述外层圆环柱体上间隔分布，所述中子吸收体Ⅱ的外侧设置有反射层。本发明使用反射层取代了非均匀控制棒的外部中子吸收体Ⅱ，通过反射层反射中子的形式阻止中子进入内部中子吸收体中，与外层圆环柱体的中子吸收体一样，反射层起到了自屏蔽的作用，降低了中子的消失率。有助于增加堆芯中子通量密度，从而实现提高堆芯燃耗水平的功能。
一种具有反射层均匀控制棒

[发明专利]梯度式高分子基中子吸收栅板材料及其制备方法-CN201410406078.3有效
发明人：仇云龙;汪涛;汤晓斌 -专利权人：中兴能源装备有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： B32B27/18 文献下载
摘要：本发明公开了梯度式高分子基中子吸收栅板材料，该材料包括快中子慢化吸收层、中能中子吸收层和热中子吸收层，三种吸收层梯度层压而成；快中子慢化吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氟化锂、氢化锂或碳化硼的吸收体材料；中能中子吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氧化钐的中子吸收体材料；热中子吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氧化钆或氧化镉的中子吸收体材料。本发明还公开了梯度式高分子基中子吸收栅板材料的制备方法，梯度式高分子基中子吸收栅板材料具有吸收效率高、寿命长、力学性能高、工艺简单等特点，而且对γ光子有一定的吸收效果，可用于乏燃料贮存与其他类型中子源，
梯度高分子中子吸收板材料及制备方法

[发明专利]一种碳化硼中子吸收体-CN201410525417.X有效
发明人：邹建军;孙振忠;何伦华;康乐;陈洁;卢怀乐;许楚滨 -专利权人：东莞理工学院;邹建军;孙振忠;何伦华;康乐;陈洁;卢怀乐;许楚滨
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于吸收杂散中子的中子吸收体，尤指一种由成本低、来源广的原料制成的吸收体并实现不影响探测器的探测以及在放射状中子准直器中吸收杂散中子目标的一种碳化硼中子吸收体，所述的碳化硼中子吸收体的原料主要包括碳化硼粉末、胶体和固化剂，所述的胶体与固化剂的含量比值为5：2，胶体与碳化硼粉末的含量比值为1:19-1:4；本发明的碳化硼中子吸收体的原料易获取，采用的配方解决氢元素影响中子吸收的问题，成本降低，克服了现阶段使用的碳化硼陶瓷材料价格较为昂贵、原料较难获取的缺点，但本发明所得的碳化硼中子吸收体可达到碳化硼陶瓷材料能达到的效果或达到更好效果，是一种广泛应用能带来长期经济效益的中子吸收体。
一种碳化中子吸收体

[发明专利]一种能展平堆芯轴向功率分布的控制棒及控制棒组件-CN201410246885.3有效
发明人：刘成 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G21C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种能展平堆芯轴向功率分布的控制棒，包括内层和外层，其中内层可相对外层轴向滑动，外层包括若干个沿轴向间隔分布的中子吸收体和非中子吸收体，内层包括若干个沿轴向间隔分布的中子吸收体和非中子吸收体，外层和内层的所有中子吸收体与非中子吸收体长度相同，内层比外层多一个中子吸收体或非中子吸收体。
一种能展平堆芯轴向功率分布控制棒组件

[其他]考虑到零反应性再分布因素而应用轴向不均匀吸收材料的全长控制棒-CN86104957无效
发明人：汤·奎克·恩古詹 -专利权人：西屋电气公司
申请日： 1986-08-07 - 公布日： 1987-04-01 - 主分类号： G21C7/10 文献下载
摘要：本发明属于一种中子吸收控制棒，该棒装有由不同中子吸收能力的两种不同中子吸收材料(50、52)构成的不均匀中子吸收体。低吸收能力的材料(52)是银-铟-镉，它从邻接棒的前端向后端装填，成为中子吸收体全长的主要部分(3/4)。高吸收能力的材料(50)是碳化硼，它从邻接低吸收能力的材料处装填到棒的后端。成为中子吸收体的小部分(1/4)。中子吸收体的不均匀性使在寿命末期期间和在零功率堆芯条件下的轴向通量不平衡减到最小。
考虑到反应再分因素应用轴向不均匀吸收材料全长控制棒

[发明专利]一种具有非均匀反射层的非均匀控制棒-CN202110475992.3有效
发明人：刘成;聂小琴 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G21C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有非均匀反射层的非均匀控制棒，包括：内层柱体，其上端和下端分别设置有多个反射层Ⅰ，内层柱体上端的反射层Ⅰ与下端的反射层Ⅰ之间设置有间隔分布的中子吸收体Ⅰ和非中子吸收体Ⅰ；外层圆环柱体，其滑动设置在内层柱体的外部，外层圆环柱体的结构包括：反射层Ⅱ，其分别设置在外层圆环柱体的上端和下端，外层圆环柱体上端的反射层Ⅱ与下端的反射层Ⅱ之间设置有间隔分布的中子吸收体Ⅱ和非中子吸收体Ⅱ；中子吸收体Ⅱ的外侧设置有反射层Ⅲ，外层圆环柱体中部的中子吸收体Ⅱ外侧未设置反射层Ⅲ。本发明通过在非均匀控制棒中增加非均匀分布的中子反射层实现了堆芯轴向的中子补偿作用，改善了堆芯轴向功率分布。
一种具有均匀反射层控制棒

[发明专利]微通道型快中子飞行时间探测器-CN202011143349.2有效
发明人：唐琦;宋仔峰;刘品阳;易涛;肖云青;刘忠杰 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微通道型快中子飞行时间探测器，包括中子吸收体和设置在中子吸收体一侧的电子收集极，所述中子吸收体内阵列分布有若干个通道，通道的内壁上设有次级电子发射层，各个所述通道均贯穿中子吸收体的厚度方向，所述中子吸收体在对应通道两端的侧面上分别设有电极，两个电极之间加载有时间门控脉冲高压，用于在所述通道内形成电场，电场的方向朝向所述电子收集极。本发明的有益效果是：能够对中子飞行时间谱的信号在时域上进行选通，对于强干扰下的弱信号具有更高的测量信噪比。
通道快中子飞行时间探测器

[发明专利]溶解器临界安全控制方法-CN202211390227.2在审
发明人：邵增;陈添;于淼;杨海峰;易璇;张毅诚;胡小利;樊雨轩 -专利权人：中国核电工程有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G21C19/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶解器临界安全控制方法，包括以下步骤：将中子吸收体颗粒加入到溶解器中，中子吸收体颗粒用于吸收中子，使得中子吸收体颗粒在溶解器中的乏燃料溶解液中悬浮，通过监测乏燃料溶解液中的悬浮的中子吸收体颗粒的体积占比为预设体积占比本发明提供了一种溶解器临界安全控制方法，能够在不增加溶解管内固体构件的基础上，大幅降低溶解器所在系统的核反应性，提高溶解器的横截面积、处理质量、处理组件的最高富集度，同时中子吸收体颗粒能够在沉降离心的工艺流程中随不溶残渣一同去除，避免了加入可溶中子吸收材料进行溶解器临界安全控制引入的对后续流程及最终产品的不利影响。
溶解临界安全控制方法

[发明专利]一种控制棒用碳化硼-氧化钆中子吸收体材料及其制备方法-CN202111436340.5有效
发明人：周勤;汪景新;吕华权;罗宝军;张振鲁 -专利权人：华能核能技术研究院有限公司;华能山东石岛湾核电有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G21C7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制棒用碳化硼‑氧化钆中子吸收体材料及其制备方法，该碳化硼‑氧化钆中子吸收体材料由以下质量份的原料组分制备得到：天然碳化硼粉体50～90份，氧化钆10～50份。本发明还提供了上述中子吸收体材料的制备方法。本发明制备的吸收体是可以替代B4C芯块的高中子吸收价值的碳化硼‑氧化钆(B4C‑Gd2O3)混合烧结陶瓷吸收体，可以减少控制棒数量，简化高温气冷堆功率调节和停堆系统设计方案。
一种控制棒碳化氧化中子吸收体材料及其制备方法

[发明专利]一种含Eu镍基中子吸收体材料及其制备方法和应用-CN202211234767.1有效
发明人：高士鑫;佘加;周毅;何大明;岳慧芳;陈聪;秦勉;顾益宇;辛勇;张丰收;李垣明;郑乐乐;赵艳丽;孙志鹏 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种含Eu镍基中子吸收体材料及其制备方法和应用，含Eu镍基中子吸收体材料包括以下质量百分数的成分：5.00％～20.00％Eu，5.00％～25.00％Cr，余量为Ni，所述Cr固溶于所述Ni基体中，所述含Eu镍基中子吸收体材料的相组成主要是Ni和Ni5Eu。所述含Eu镍基中子吸收体材料在熔炼制备过程中采用了特殊的布料方式和阶梯控制熔炼功率方法，可有效降低Eu的挥发，使Eu含量得到准确控制；所述含Eu镍基中子吸收体材料具有良好的力学性能、高温稳定性和耐腐蚀性能
一种 eu 中子吸收体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高价值控制棒中子吸收体材料-CN201911221086.X有效
发明人：陈向阳;卢俊强;张兆泉;刘婵云;陈军;程熙月;范武刚;李聪 -专利权人：上海核工程研究设计院有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G21C7/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种高价值控制棒中子吸收体材料，该中子吸收体材料包括至少一种第一组分和至少一种第二组分，其中所述第一组分具有良好的中子吸收能力，所述第二组分与第一组分可形成稳定化合物；所述中子吸收体材料的初始反应性价值不低于本发明公开的中子吸收体材料的核物理性能优于常见商用吸收体材料，且显著提升了使用温度限值，提升了设计灵活性和堆芯安全性。
一种价值控制棒中子吸收体材料

[发明专利]一种含Eu铁基中子吸收材料及其制备方法和应用-CN202211234124.7有效
发明人：岳慧芳;佘加;高士鑫;周毅;赵艳丽;秦勉;辛勇;李垣明;顾益宇;陈聪;郑乐乐;张丰收;孙丹 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C22C38/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种含Eu铁基中子吸收体材料及其制备方法和应用，含Eu铁基中子吸收体材料包括以下质量百分数的组分：5.00％～20.00％Eu，10％～40.00％Ni，0.00％～3.00％Zr，0.00％～8.00％Al，余量为Fe；所述含Eu铁基中子吸收体材料在熔炼制备过程中采用了预先制备Eu‑Ni中间合金的方式，可有效降低Eu的挥发，使Eu含量得到准确控制；所述含Eu铁基中子吸收体材料具有良好的耐腐蚀性能和力学性能
一种 eu 中子吸收材料及其制备方法应用

[发明专利]微通道型快中子图像探测器-CN202011142557.0有效
发明人：唐琦;宋仔峰;刘品阳;易涛;肖云青;刘忠杰 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种微通道型快中子图像探测器，包括中子吸收体，所述中子吸收体上分布有若干个贯穿其厚度方向的通道，所述通道的内壁上均设有次级电子发射层，所述中子吸收体厚度方向的一侧依次设有微通道板、荧光屏和CCD相机，其中荧光屏与CCD相机通过光纤面板耦合，所述中子吸收体和微通道板的两侧均加载有电压，分别用于在通道内和微通道板内形成电场，所述中子吸收体中掺入有高Z元素。
通道快中子图像探测器

[发明专利]一种高硼装载量的中子吸收体材料-CN202010573534.9在审
发明人：陈向阳;卢俊强;郑轶雄;秦慧敏;张兆泉;范武刚;王晓娇;李聪 -专利权人：上海核工程研究设计院有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硼装载量的中子吸收体材料，所述中子吸收体材料为多B化合物，所述多B化合物的化学式为MBx，其中x不小于6，B的质量分数不低于75％，M为Al，Mg，Si，Y热中子吸收截面不超过1.5靶恩的元素及其混合物。本发明所述的中子吸收材料的吸收价值和抗水腐蚀性能优于B4C和ZrB2等常用含B吸收体材料，因此显著提升了中子吸收体的反应性价值和包壳破损下的安全性
一种装载量中子吸收体材料

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