[发明专利]单晶转变控制无效
| 申请号： | 99124353.6 | 申请日： | 1999-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1255556A | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | 法津·H·阿扎德;马歇尔·G·琼斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B1/00 | 分类号： | C30B1/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多晶态物品在固态工艺被转变成单晶。加热物品的一端达到预定的空间温度曲线,该曲线的最高温度接近物品的熔点温度。保持温度曲线,在物品的第一端引发晶态转变。热量沿物品传向与其相对的另一端,因此可在沿着物品的方向上传播晶态转变。 | ||
| 搜索关键词： | 转变 控制 | ||
【主权项】：
1、一种控制多晶态物品转变为固态单晶的方法，包括：加热所述物品的第一端以达到预定的空间温度曲线，该曲线的最高温度接近其熔点；保持所述温度曲线在物品所述的第一端引发所述晶态转变；和沿所述物品移动将热量移到相对的第一端，以相应地传播所述晶态转变。
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- 2001-03-12 - 2003-06-25 -
- 一种在天然氮化物晶种上由III－V族氮化物刚玉(坯料)高速气相生长形成的刚玉(图1)，由该刚玉可以得到用于制作微电子器件结构的晶片(图5)。刚玉具有微电子器件质量，例如具有大于1厘米的横向尺寸，长度大于1毫米，及上表面缺陷密度小于107个缺陷/cm2。以高于20微米/小时的生长速度，通过气相晶体取向生长方法，在对应的天然III－V族氮化物晶种上生长III－V族氮化物材料，从而形成III－V族氮化物刚玉。
- 一种双区加热真空感应单晶炉-02211866.7
- 赵乃仁;李金国;王志辉;侯桂臣;金涛;孙晓峰;管恒荣;胡壮麒 - 中国科学院金属研究所
- 2002-05-22 - 2003-02-19 -
- 本实用新型涉及定向凝固技术，具体地说是一种用于定向凝固及单晶生长的真空感应单晶炉。包括隔热挡板、感应线圈、水冷环，加热装置为双区加热结构，由上下石墨发热体构成，热电偶置于上、下石墨发热体之间，上、下石墨发热体高度比为2～5，上、下石墨发热体均加设热电偶，接信号至控温仪表，水冷环为具有3～5匝螺旋型筒状结构，装在加热装置下部、于结晶器外侧，水冷环与加热装置之间安放环状、三层钼片相间结构的隔热挡板。本实用新型具有温度梯度高的特点。
- 单晶转变控制-99124353.6
- 法津·H·阿扎德;马歇尔·G·琼斯 - 通用电气公司
- 1999-11-25 - 2000-06-07 -
- 多晶态物品在固态工艺被转变成单晶。加热物品的一端达到预定的空间温度曲线,该曲线的最高温度接近物品的熔点温度。保持温度曲线,在物品的第一端引发晶态转变。热量沿物品传向与其相对的另一端,因此可在沿着物品的方向上传播晶态转变。
- 专利分类
