[发明专利]氢化碳薄膜无效
| 申请号： | 98103656.2 | 申请日： | 1998-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1192023A | 公开（公告）日： | 1998-09-02 |
| 发明（设计）人： | R·L·怀特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,傅康 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 利用氢化碳薄膜变化的特性,例如低氢含量下可获得好的附着力,中等氢含量下可获得高的硬度,和高氢含量的低表面能,来优化磁盘上的氢化碳薄膜保护层的各层或区域的氢含量。在一个实施例中,以这样的溅射氢化碳薄膜涂敷在磁盘上,即此薄膜有氢浓度梯度,在向着膜表面方向上浓度增加。第二实施例使用两层,其中底层氢含量低于表面层。第三实施例使用三层薄膜结构,在底层有最小氢化程度,在中间层有中间氢化程度和在顶层有高氢化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种用作磁盘驱动器耐磨组成部分的制品，其特征在于包括：其上没有或有多层薄膜层的衬底；和处在衬底或薄膜层上而构成表面的薄膜保护层，薄膜保护层包含碳和氢，其中在最接近衬底或薄膜层处的氢原子百分数最低，而向表面逐渐增加，并在表面处氢原子百分数达到最大。
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