[发明专利]氢化碳薄膜无效

专利信息
申请号: 98103656.2 申请日: 1998-01-16
公开(公告)号: CN1192023A 公开(公告)日: 1998-09-02
发明(设计)人: R·L·怀特 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11B5/62 分类号: G11B5/62;G11B5/84
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,傅康
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氢化 薄膜
【权利要求书】:

1.一种用作磁盘驱动器耐磨组成部分的制品,其特征在于包括:

其上没有或有多层薄膜层的衬底;和

处在衬底或薄膜层上而构成表面的薄膜保护层,薄膜保护层包含碳和氢,其中在最接近衬底或薄膜层处的氢原子百分数最低,而向表面逐渐增加,并在表面处氢原子百分数达到最大。

2.权利要求1的制品,其特征在于最低氢原子百分数在从20到30%范围内。

3.权利要求1的制品,其特征在于最高氢原子百分数大于35%。

4.权利要求1的制品,其特征在于最低氢原子百分数小于10%,而最高氢原子百分数大于35%。

5.权利要求1的制品,其特征在于表面层有大于72度的水接触角。

6.权利要求1的制品,其特征在于薄膜保护层有大约50到200埃厚度。

7.一种在磁盘驱动器中用作处在磨损条件下的组成部分的制品,其特征在于包括:

第一含氢化碳(C:H)的薄膜层,它淀积在衬底上或先前已形成的薄膜层上,此含氢化碳(C:H)的薄膜层含X原子百分数的氢,而X小于或等于35%;

第二含C:H的薄膜层,它淀积在所述第一薄膜层上,此第二薄膜层含Y原子百分数的氢,而Y大于X;

含C:H的表面薄膜层,它淀积在所述第二薄膜层上,此表面薄膜层含Z原子百分数的氢,而Z大于Y。

8.权利要求7的制品,其特征在于所述表面层氢含量Z为35%原子百分数或更大。

9.权利要求7的制品,其特征在于所述第二层氢含量Y在20%到35%原子百分数范围内。

10.权利要求7的制品,其特征在于所述表面层氢含量Z为35%原子百分数或更大,所述第二层氢含量Y在20到35%原子百分数而所述第一层氢含量X小于15%原子百分数。

11.权利要求7的制品,其特征在于所述第一、第二和表面薄膜层的总厚度为从20到200埃。

12.权利要求7的制品,其特征在于所述第二层有大于12.5千兆帕(Gpa)的硬度。

13.权利要求7的制品,其特征在于所述表面层有大于72度的水接触角。

14.一种在磁盘驱动器中用作处在磨损条件下的组成部分的制品,其特征在于包括:

第一含氢和碳(C:H)的薄膜层,它淀积在衬底上或先前已形成的薄膜层上,此第一层薄膜层含氢原子百分数的范围从20%到30%;和

含C:H的表面薄膜层,它淀积在所述第一薄膜层上,此表面薄膜层含氢原子百分数大于35%。

15.权利要求14的制品,其特征在于所述第一和表面薄膜层的总厚度为从20到200埃。

16.权利要求14的制品,其特征在于所述第一层的氢含量Y足以使第一层的硬度大于12.5千兆帕(Gpa)。

17.权利要求14的制品,其特征在于所述表面层的氢含量Z足以使水的接触角大于72度。

18.一种磁盘驱动器,其特征在于包括:

可旋转的薄膜盘;

可定位在薄膜盘上的滑动器;

用于转动薄膜盘的装置;和

有形成含碳和氢的耐磨表面的保护外层的滑动器或薄膜盘,此保护外层在耐磨表面处的氢原子百分数最高,向衬底方向氢逐渐减少,在最接近衬底处氢原子百分数最低。

19.权利要求18的制品,其特征在于在耐磨表面处氢含量为35%原子百分数或更大。

20.权利要求18的制品,其特征在于最低氢原子百分数在20到35%范围内。

21.权利要求18的制品,其特征在于最低氢原子百分数在10%而最高氢原子百分数大于35%。

22.权利要求18的制品,其特征在于耐磨表面层有大于72度的水接触角。

23.权利要求18的制品,其特征在于所述保护外层的厚度大约为20到200埃。

24.权利要求18的制品,其特征在于耐磨表面硬度大于12.5Gpa。

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