[实用新型]一种Cu-Cu键合装置有效
| 申请号： | 202320302429.0 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN218769436U | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 母凤文;马强;高智伟 | 申请（专利权）人： | 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/768;B08B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300459 天津市滨海新区塘沽海洋科*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及三维封装技术领域，公开了一种Cu‑Cu键合装置。Cu‑Cu键合装置包括机架、键合机构、压合机构、真空泵和供气机构，键合机构设置在机架上且包括键合腔室、载台组件和压头组件，键合腔室围成容纳腔，载台组件设置在容纳腔内并能承载和加热两个样品；压合机构设置在机架上，且能驱动压头组件相对于键合腔室升降，以压合载台组件上的两个样品；真空泵与键合腔室相连通并能使容纳腔形成负压；供气机构与键合腔室连通并能向键合腔室内通入惰性气体和还原性气体。本实用新型的Cu‑Cu键合装置，在键合过程中能去除样品表面的氧化物、无定型碳等污染物，且键合后样品的热应力小，适用于温度敏感、热膨胀系数高等的器件的键合中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
