[发明专利]一种ABO3在审

专利信息
申请号: 202311016760.7 申请日: 2023-08-14
公开(公告)号: CN116924796A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 孟彬;张涵;房聪聪;林武;魏子程 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C04B35/493 分类号: C04B35/493;C04B35/622
代理公司: 昆明隆合知识产权代理事务所(普通合伙) 53220 代理人: 龙燕
地址: 650093 云南*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开一种ABO3型低介电损耗陶瓷及其制备方法,属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为(Pb(1‑1.5x)Lax)(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3(x=0~0.04,且x≠0);制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、TiO2、ZrO2、SnO2、HfO2、La2O3粉末,之后进行湿法球磨、干燥、研磨、煅烧,对所得煅烧粉末进行二次球磨、干燥、研磨、压制成型,最后经空气中烧结得到;高熵陶瓷在1kHz测试频率下,在193℃左右的温度下介电常数高达24920;其中,(Pb0.97La0.02)(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3在测试温度为250~350℃、在1kHz和10kHz和100kHz测试频率下,介电损耗均低于0.001;(Pb0.97La0.02)(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷有望成为高介电常数、低介电损耗的陶瓷电容器的候选材料。
搜索关键词: 一种 abo base sub
【主权项】:
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