[发明专利]用于同位素电池的放射源及其制备方法、同位素电池在审
| 申请号： | 202310657026.2 | 申请日： | 2023-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN116705376A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 中子高新技术产业发展（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | G21G4/06 | 分类号： | G21G4/06;G21H1/00 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482 | 代理人： | 王秀青 |
| 地址： | 401331 重庆市沙坪坝区*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于同位素电池技术领域，具体提供一种用于同位素电池的放射源及其制备方法、同位素电池。旨在解决现有放射源在制备时不易制备无衬底的放射源薄膜，以及现有的放射源薄膜在与半导体换能元件连接时容易损坏放射源的问题。为此，本发明的放射源包括依次连接的衬底层、放射源层和连接层，所述衬底层连接在所述放射源层的一侧面且能够与所述放射源层分离，所述连接层设置成具有粘接性并且能够传递所述放射源层所辐射的能量。本发明的放射源方便制备且自身具备粘接性使用时可直接粘接在半导体换能元件上，不会损坏放射源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 同位素 电池 放射源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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