[发明专利]一种三轴磁通门传感器在审
申请号: | 202310349719.5 | 申请日: | 2023-04-04 |
公开(公告)号: | CN116299086A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 周柯;奉斌;金庆忍;莫枝阅;王晓明;卢柏桦 | 申请(专利权)人: | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 |
主分类号: | G01R33/05 | 分类号: | G01R33/05;G01R33/00 |
代理公司: | 南宁东智知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 45117 | 代理人: | 汪治兴 |
地址: | 530023 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明属于设备技术领域,尤其涉及三轴磁通门传感器包括硅立方基座和三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片;微机电系统单轴磁通门传感器芯片分别位于所示硅立方基座的共顶点正交三平面上,并通过硅‑玻璃键合技术键合到硅立方基座表面,微机电系统单轴磁通门传感器芯片的磁敏感方向分别是沿正交的三个方向探测磁场的x、y、z三个分量值。通过硅‑玻璃键合技术在硅立方体上键合固定微机电系统单轴磁通门传感器芯片,与传统三轴磁通门传感器使用三维骨架作为支撑粘贴磁芯然后缠绕铜线相比,不仅大大缩短了三轴磁通门传感器的尺寸和制造周期,而且减小了三轴磁通门传感器的轴间正交误差,可实现三轴磁通门传感器的批量生产降低应用成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 三轴磁通门 传感器 | ||
【主权项】:
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