[发明专利]一种三轴磁通门传感器在审
| 申请号： | 202310349719.5 | 申请日： | 2023-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN116299086A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 周柯;奉斌;金庆忍;莫枝阅;王晓明;卢柏桦 | 申请（专利权）人： | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05;G01R33/00 |
| 代理公司： | 南宁东智知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 45117 | 代理人： | 汪治兴 |
| 地址： | 530023 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三轴磁通门 传感器 | ||
1.一种三轴磁通门传感器，其特征在于，包括硅立方基座和三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片；
三个所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片分别位于所示硅立方基座的共顶点正交的三个平面上，并通过硅-玻璃键合技术键合到所述硅立方基座表面并精确定位固定，三个所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片的磁敏感方向分别是沿正交的三个方向探测磁场的x、y、z三个分量值。
2.根据权利要求1所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片包含玻璃衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述玻璃衬底用于键合到所述硅立方基座的表面。
4.根据权利要求3所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述硅立方基座的长宽高的尺寸均为1厘米。
5.根据权利要求4所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片尺寸为长度1厘米，宽度0.5厘米，厚度1.2毫米。
6.根据权利要求5所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述玻璃衬底厚度为1毫米。
7.根据权利要求6所述三轴磁通门传感器，其特征在于，键合过程中依靠所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片和所述硅立方基座二者对应的键合定位对准符号进行精确定位。
8.根据权利要求7所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述键合定位对准符号采用微电铸工艺制备。
9.根据权利要求8所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述键合定位对准符号材料为电铸铜。
10.根据权利要求9所述三轴磁通门传感器，其特征在于，所述硅立方基座表面的键合定位对准符号采用数控精密机械加工制备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西电网有限责任公司电力科学研究院，未经广西电网有限责任公司电力科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310349719.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种含氟溶剂用于制备二氟草酸硼酸钠的方法
- 下一篇：电动沐浴器
