[发明专利]具有LF交叉电极的薄膜铌酸锂光学电场传感器及测量系统在审
| 申请号： | 202310347653.6 | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116520038A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 谢树果;田雨墨;杨燕;郭子贤 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 北京天汇航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11987 | 代理人： | 陈陈数 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有LF交叉电极的薄膜铌酸锂光学电场传感器及测量系统，属于光学电场传感器技术领域，解决了现有传感器存在体积大、难集成、电极间距较大、灵敏度低且频带较窄的问题。本发明的具有LF交叉电极的薄膜铌酸锂光学电场传感器，包括MZ波导和分段电极；MZ波导两臂为非对称结构；波导沿x轴切铌酸锂薄膜的y轴形成，包括脊型波导和铌酸锂平板层；脊型波导的宽度为0.6～1.5um，脊深为150～400nm；铌酸锂平板层高度为200～400nm；电极单元与波导之间为厚500～800nm的二氧化硅缓冲层；电极单元为“LF”形交叉式结构，分段电极总长度为4～15mm。本发明提出的传感器封装尺寸小，利集成，灵敏度高，光约束条件好，频带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 lf 交叉 电极 薄膜 铌酸锂 光学 电场 传感器 测量 系统 | ||
【主权项】：
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