[发明专利]硅析出用芯线在审
申请号: | 202310074529.7 | 申请日: | 2018-02-14 |
公开(公告)号: | CN116005259A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 西川正芳;井上裕司 | 申请(专利权)人: | 株式会社德山 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/14;C30B28/10 |
代理公司: | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人: | 郝文婷;王庆云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成,多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下,并且,在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。 | ||
搜索关键词: | 析出 用芯线 | ||
【主权项】:
暂无信息
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