[实用新型]一种双磁体扬声器磁路结构以及双磁体扬声器有效

专利信息
申请号: 202220592240.5 申请日: 2022-03-17
公开(公告)号: CN216852331U 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 胡强 申请(专利权)人: 苏州登堡电子科技有限公司
主分类号: H04R9/02 分类号: H04R9/02;H04R9/06
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 蔡晓敏
地址: 215026 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种双磁体扬声器磁路结构,其包括双磁体、磁轭以及线圈。双磁体设置于磁轭内,线圈位于磁轭的内壁与双磁体的外壁之间。双磁体包括第一磁体、第二磁体以及非导磁华司,第一磁体和第二磁体相对设置,第一磁体和第二磁体相对的面的磁性相同。非导磁华司叠置于第一磁体和第二磁体之间。无需采用导磁材料的华司,磁力线由于相斥作用也会在上下磁路的间隙中聚集。非导磁华司有效降低了扬声器的自感系数,降低了高频段的感抗,提升扬声器的高频响应。增加华司厚度不会增加扬声器的自感系数,在满足磁场强度的情况下,增加非导磁华司的厚度,能提高磁隙中水平磁场的高度,保证线圈上下振动时尽可能多的位于线性磁场中,降低非线性失真。
搜索关键词: 一种 磁体 扬声器 磁路 结构 以及
【主权项】:
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