[实用新型]一种双磁体扬声器磁路结构以及双磁体扬声器有效
申请号: | 202220592240.5 | 申请日: | 2022-03-17 |
公开(公告)号: | CN216852331U | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 胡强 | 申请(专利权)人: | 苏州登堡电子科技有限公司 |
主分类号: | H04R9/02 | 分类号: | H04R9/02;H04R9/06 |
代理公司: | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人: | 蔡晓敏 |
地址: | 215026 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种双磁体扬声器磁路结构,其包括双磁体、磁轭以及线圈。双磁体设置于磁轭内,线圈位于磁轭的内壁与双磁体的外壁之间。双磁体包括第一磁体、第二磁体以及非导磁华司,第一磁体和第二磁体相对设置,第一磁体和第二磁体相对的面的磁性相同。非导磁华司叠置于第一磁体和第二磁体之间。无需采用导磁材料的华司,磁力线由于相斥作用也会在上下磁路的间隙中聚集。非导磁华司有效降低了扬声器的自感系数,降低了高频段的感抗,提升扬声器的高频响应。增加华司厚度不会增加扬声器的自感系数,在满足磁场强度的情况下,增加非导磁华司的厚度,能提高磁隙中水平磁场的高度,保证线圈上下振动时尽可能多的位于线性磁场中,降低非线性失真。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁体 扬声器 磁路 结构 以及 | ||
【主权项】:
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