[发明专利]晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质在审
申请号: | 202211404864.0 | 申请日: | 2022-11-10 |
公开(公告)号: | CN115906447A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 李兴冀;杨剑群;应涛;魏亚东 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人: | 尹泽民 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质。本方法包括:构建晶体管界面态模型;若缺陷类型为受主型缺陷;根据受主型电离概率模型计算出被电离的受主型界面态缺陷浓度;将受主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到受主型泊松方程;利用受主型泊松方程替代泊松方程,得到受主型晶体管界面态优化模型;若缺陷类型为施主型缺陷;根据施主型电离概率模型计算出被电离的施主型界面态缺陷浓度;将施主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到施主型泊松方程;利用施主型泊松方程替代泊松方程,得到施主型晶体管界面态优化模型。本方案的有益效果是:优化了晶体管界面态模型,利用本优化模型得到的基极电流仿真结果更准确。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 界面 模型 优化 方法 计算 设备 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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