[发明专利]一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202211184526.0 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115584478A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王翼;赵志飞;李赟;周平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 田凌涛 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法。该方法在SiC外延片上淀积一层硅(Si)薄膜。生长过程中采用氢气、氩气混合气体作为载气，在抑制Si团簇形成的同时降低Si薄膜的沉积速率，使生长更加可控。在生长Si薄膜前，先生长一层富Si的SiC作为牺牲层，然后在较低温度下将其去除，以形成适于Si薄膜生长的富Si表面，提高Si薄膜的平整度。在降温过程中采用纯氩气降温，以减小降温过程中氢气对Si薄膜的破坏。本方案简单易行，且和主流SiC外延工艺相兼容，适于工业化生产，具有极大的推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 密度 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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