[发明专利]能量收集器和包括该能量收集器的显示设备在审

专利信息
申请号: 202210943900.4 申请日: 2022-08-04
公开(公告)号: CN116322271A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 宋明珢;黄俊夏;黄宰彻;朴惠兰 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H10N35/00 分类号: H10N35/00;H10N30/00
代理公司: 北京市集佳律师事务所 16095 代理人: 康建峰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种能量收集器和显示设备。能量收集器包括:壳体,其包括在纵向方向上设有孔的内部空间;第一磁体部分,其设置在壳体的内部空间的中心部分处;第二磁体部分,其在内部空间中与第一磁体部分分隔开,第二磁体部分包括第一表面,第一表面具有与第一磁体部分的磁性排斥力;以及发电装置部件,其设置在第二磁体部分的第二表面上并且被配置成基于其变形产生电能。
搜索关键词: 能量 收集 包括 显示 设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210943900.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 能量收集器和包括该能量收集器的显示设备-202210943900.4
  • 宋明珢;黄俊夏;黄宰彻;朴惠兰 - 乐金显示有限公司
  • 2022-08-04 - 2023-06-23 - H10N35/00
  • 公开了一种能量收集器和显示设备。能量收集器包括:壳体,其包括在纵向方向上设有孔的内部空间;第一磁体部分,其设置在壳体的内部空间的中心部分处;第二磁体部分,其在内部空间中与第一磁体部分分隔开,第二磁体部分包括第一表面,第一表面具有与第一磁体部分的磁性排斥力;以及发电装置部件,其设置在第二磁体部分的第二表面上并且被配置成基于其变形产生电能。
  • MRAM器件的制备方法-201910184568.6
  • 刘鲁萍;王雷 - 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
  • 2019-03-12 - 2023-04-07 - H10N35/00
  • 本发明提供一种MRAM器件的制备方法,包括:提供基底,在所述基底上依次沉积底电极金属层、磁性隧道结的多层膜以及金属薄膜保护层;在所述金属薄膜保护层上第一次沉积介电层;进行第一次光刻和刻蚀,在所述基底上形成具有间隔的多个预存储结构;第二次沉积介电层;进行第二次光刻和刻蚀,在所述基底上形成多个存储单元结构,且在相邻两个存储单元结构之间保留有与所述存储单元结构等高的介电层;沉积抛光阻挡层;第三次沉积介电层;进行化学机械抛光,直至暴露出所述金属薄膜保护层上方以及相邻两个存储单元结构之间的介电层上方的所有抛光阻挡层。本发明能够提高CMP制程中抛光终点的控制精度。
  • 半导体器件及其形成方法-202210820904.3
  • 庄学理;王宏烵;黄胜煌;张弘郁;郭耿铭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-07-12 - 2023-03-31 - H10N35/00
  • 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。公开了用于磁阻随机存取存储器(MRAM)的图案化磁隧道结(MTJ)的改进方法以及由其形成的半导体器件。在一个实施例中,一种方法包括:在半导体衬底上方沉积底部电极层;在底部电极层上方沉积MTJ膜堆叠件;在MTJ膜堆叠件上方沉积顶部电极层;图案化顶部电极层;实施第一蚀刻工艺,以图案化MTJ膜堆叠件;在MTJ膜堆叠件上实施第一修整工艺;在实施第一修整工艺之后,在MTJ堆叠件上方沉积第一间隔件层;以及在沉积第一间隔件层之后,实施第二蚀刻工艺,以图案化第一间隔件层、MTJ膜堆叠件、和底部电极层,以形成MRAM单元。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top