[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202210719108.0 | 申请日: | 2022-06-23 |
公开(公告)号: | CN115050856A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 黄思;郁操;彭振维;张继腾 | 申请(专利权)人: | 苏州迈为科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 徐会娟 |
地址: | 215200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法,该方法包括:在半导体衬底的背面图形化以形成第一掺杂区域和第二掺杂区域,第一掺杂区域形成有第一本征i层和n型掺杂层,n型掺杂层为掺杂有第VA族元素的掺氧微晶硅层;形成第二本征i层和p型掺杂层,p型掺杂层为掺杂有第ⅢA族元素的非晶或微晶硅层;在第二本征i层和p型掺杂层上形成图形化的掩膜层,使第一掺杂区域上的第二本征i层和p型掺杂层裸露出,去除裸露的第二本征i层和p型掺杂层并保留第一本征i层和n型掺杂层。本发明可以简化制备工艺,减少由于隔离层进入腔体引起的污染风险,减少增加或去除隔离层的繁琐步骤。 | ||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州迈为科技股份有限公司,未经苏州迈为科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210719108.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的