[发明专利]一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 202210607364.0 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114686965B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张辉;王嘉斌;夏宁;马可可;李成;吴丹;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B13/16 | 分类号： | C30B13/16;C30B13/28;C30B29/16 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 盛影影 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法。本发明中提及的无铱区熔法属于熔体法生长单晶的方法，不使用贵金属作为发热源，通过外部的发热体发热，热量通过高透过率、高导热性能材料做成的气氛隔离装置，将固体氧化镓多晶料棒或者陶瓷棒加热融化，然后将籽晶与熔体接触，通过对温度、升降、转速等工艺条件进行控制，使熔融区逐步的上移，进而使远离热场的熔体区按照籽晶晶向进行定向结晶，最终获得大尺寸、高质量、确定晶向的氧化镓单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无铱区熔法 氧化 晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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