[发明专利]一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法在审

专利信息
申请号: 202210133064.3 申请日: 2022-02-14
公开(公告)号: CN114528794A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 张小红;杨港;马存良 申请(专利权)人: 江西理工大学
主分类号: G06F30/331 分类号: G06F30/331;G06F111/10;G06F111/12
代理公司: 南昌朗科知识产权代理事务所(普通合伙) 36134 代理人: 郭毅力;郭显文
地址: 341000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法,由磁控忆阻器、荷控忆阻器构建的五维整数阶混合型忆阻电路,其中磁控忆阻器模型含有平方根算法和绝对值算法,荷控忆阻器是一种新颖的广义忆阻器模型。本发明根据分数阶微积分Grunwald‑Letnikov定义,从整数阶电路模型推导出分数阶混合型忆阻混沌电路模型,采用0‑1测试、SALI检测、Lyapunov指数以及复杂度方法验证了该分数阶电路具有复杂的非线性动力学行为;结合FPGA技术,设计了同阶次和不同阶次的分数阶混合型忆阻混沌模型,硬件仿真与数值计算结果一致,在复杂动力学和数字电路领域具有着广泛的应用潜力。
搜索关键词: 一种 基于 混合 型忆阻器 分数 混沌 电路设计 方法
【主权项】:
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