[发明专利]单晶生长装置有效
| 申请号： | 202210100195.1 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114606565B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/26;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 吴婷 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶生长装置，单晶生长装置包括：炉体、坩埚、导流筒、反射模块和图像接收模块，炉体内限定出炉室，坩埚可升降地设于炉室内，导流筒位于坩埚上方且中心设有适于晶棒穿过的通道，导流筒内形成第一光线传输通道和第二光线传输通道，坩埚的内周壁和坩埚内溶汤的交界位置与和第二光线传输通道连通的入光孔相对的区域为检测区域，反射模块包括第一反射件，第一反射件设于第一光线传输通道和第二光线传输通道的连通位置，并将进入第二光线传输通道的光线反射转向第一光线传输通道，检测区域的图像通过反射模块反射后进入图像接收模块。根据本发明的单晶生长装置，可以准确地观测坩埚内溶汤的液面高度，利于保证单晶的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 装置 | ||
【主权项】：
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