[实用新型]一种填充6

摘要

一种填充6LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，该探测器包括半绝缘GaAs衬底、SiO2钝化层、微沟槽、正面肖特基金属电极及背面欧姆金属电极，并在微沟槽内填充6LiF中子转换材料，中子入射面为正面。本实用新型在半绝缘GaAs衬底表面刻蚀微沟槽，有效增加中子转换材料及转换材料与半导体材料的接触面积，当中子照射6LiF后发生核反应产生α粒子，α粒子进入半绝缘GaAs衬底电离GaAs产生电子‑空穴对，在外加偏压产生的电场作用下电子‑空穴分别向两端定向运动，进而增加电子‑空穴对的收集效率，有效提高中子探测器的探测效率。